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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 176 層 nand

NAND Flash 2020年新戰(zhàn)場暗潮洶涌　各家布局蓄勢待發(fā)

  • 受到東芝工廠停產(chǎn)及日韓貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致存儲器價(jià)格將反轉(zhuǎn)契機(jī)出現(xiàn)，NAND Flash價(jià)格調(diào)漲從7月開始顯現(xiàn)，而國際大廠之間的技術(shù)競爭更是暗潮洶涌。
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  東芝存儲器  NAND Flash  3D XPoint  Z-NAND  

日韓貿(mào)易戰(zhàn)與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價(jià)格走勢，長期須關(guān)注原廠庫存水位

  • Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，繼6月中旬東芝斷電事件后，日本政府近日宣布從7月4日起，開始管控向南韓出口3種生產(chǎn)半導(dǎo)體、智能手機(jī)與面板所需的關(guān)鍵材料，造成存儲器產(chǎn)業(yè)下游模組廠出現(xiàn)提高報(bào)價(jià)狀況，然而，由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出貨，僅是申請流程延長，短期結(jié)構(gòu)性供需反轉(zhuǎn)的可能性低。日韓貿(mào)易戰(zhàn)的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲器價(jià)格將反轉(zhuǎn)，集邦咨詢分析指出，因DRAM價(jià)格已歷經(jīng)連續(xù)三個(gè)季度快速下滑，下游
  • 關(guān)鍵字： 日韓貿(mào)易戰(zhàn)  東芝  DRAM/NAND  

SK海力士宣布：全球首款128層4D NAND下半年開賣

  • SK海力士于26日宣布，將量產(chǎn)全球首款128層的1Tb（Terabit） TLC 4D NAND閃存，并計(jì)劃下半年開始銷售。
  • 關(guān)鍵字： SK海力士  4D NAND  128層  

停電余威沖擊NAND Flash出貨　價(jià)格維持小跌

  • 日本三重縣四日市日前發(fā)生停電意外，市場傳出存儲器大廠東芝存儲器(TMC)當(dāng)?shù)貭I運(yùn)的5座 NAND Flash工廠的營運(yùn)中斷，盡管東芝存儲器尚未對外說明影響，但據(jù)傳出，合作投資的威騰(WD)已通知客戶可能無法按照原定時(shí)程出貨。
  • 關(guān)鍵字： ?威騰  東芝存儲器  NAND Flash  

NAND閃存連跌一年半 減產(chǎn)也阻止不了跌價(jià)

  • NAND閃存價(jià)格已經(jīng)連跌了6個(gè)季度，這讓上游NAND廠商三星、東芝、美光等損失慘重，紛紛削減NAND產(chǎn)能。在群聯(lián)臺北電腦展上，群聯(lián)公司董事長潘建成也預(yù)測NAND閃存價(jià)格已經(jīng)跌破了成本，未來跌幅會收窄，需求則會升溫。
  • 關(guān)鍵字： NAND  減產(chǎn)  

長江存儲64層NAND量產(chǎn)在即　與紫光集團(tuán)角力戰(zhàn)漸起

  • 市場傳出，長江存儲有意改變策略，越過大股東紫光集團(tuán)的銷售管道，采取自產(chǎn)自銷3D NAND芯片的模式，也讓雙方暗自較勁的角力戰(zhàn)儼然成形。
  • 關(guān)鍵字： 紫光集團(tuán)  長江存儲  3D NAND  

為物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)發(fā)展做出突出貢獻(xiàn)，Entegris用了哪些方法？

  • 當(dāng)前，我們正在經(jīng)歷第四次工業(yè)革命的歷史進(jìn)程，在這里催生了很多新技術(shù)和新市場，比如物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、新能源、3D打印、納米技術(shù)等等。這么多新的技術(shù)和產(chǎn)品相互激勵(lì)、互相融合，共同推動半導(dǎo)體行業(yè)不斷發(fā)展，從而改變?nèi)祟惖纳罘绞健?/li>
  • 關(guān)鍵字： 物聯(lián)網(wǎng)  Entegris  3D NAND  

集邦咨詢：受惠需求回溫及產(chǎn)能調(diào)節(jié)，第二季NAND Flash合約價(jià)跌幅略有收斂

  • 　　Mar. 20, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查指出，受到服務(wù)器需求疲弱、智能手機(jī)換機(jī)周期延長、蘋果新機(jī)銷售不如預(yù)期等終端需求不佳沖擊，2019年第一季各類NAND Flash產(chǎn)品合約價(jià)綜合季跌幅近20%，是自2018年初NAND Flash轉(zhuǎn)為供過于求以來跌幅最劇的一季。　　展望第二季，DRAMeXchange分析師葉茂盛表示，歷經(jīng)第一季的需求低谷之后，智能手機(jī)、筆記本電腦及服務(wù)器等主要需求較第一季有所改善。另一方面，NAND Flash供應(yīng)商
  • 關(guān)鍵字： NAND  UFS  SSD  

東芝和西數(shù)正研發(fā)128層3D NAND閃存：最早2020年上市

  • 　　根據(jù)外媒的報(bào)道，東芝及其戰(zhàn)略盟友西部數(shù)據(jù)準(zhǔn)備推出更高密度128層3D NAND閃存。在東芝的命名法中，該芯片將命名為BiCS-5。　　　　據(jù)介紹，芯片將實(shí)現(xiàn)TLC，而不是更新的QLC。這可能是因?yàn)镹AND閃存制造商仍然對QLC芯片的低產(chǎn)量有擔(dān)心。該芯片的數(shù)據(jù)密度為512 Gb，新的128層芯片的容量比96層芯片多33%，可以在2020到2021年實(shí)現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn)?！　?jù)報(bào)道，新芯片每單位信道的寫入性能從66 MB / s增加到132 MB / s。據(jù)報(bào)道，該芯片還采用了CuA(陣列電路)，這是一
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存儲市場寡頭競爭，中國能否突出重圍

  • 事實(shí)上中國巨額的投入也間接促進(jìn)了韓、美兩國大廠資本開支的上升。三星2017年在DRAM和NAND上投入的資本開支就達(dá)到200億美金，因此，我國廠商的數(shù)字分?jǐn)偟矫磕辏€難以和龍頭廠商相比。雖然在量產(chǎn)初期，如此巨大的資本開支也會給中國企業(yè)帶來不小的折舊壓力，下行周期中技術(shù)、管理略遜的中國企業(yè)可能必須經(jīng)歷幾年內(nèi)虧損，但若想實(shí)現(xiàn)存儲器的國產(chǎn)替代，這種投入十分必要。
  • 關(guān)鍵字： NAND  存儲器  

中國將增加在美半導(dǎo)體采購量？韓媒：不太容易

  • 　　據(jù)businesskorea報(bào)道，中國計(jì)劃在未來六年內(nèi)將在美國的半導(dǎo)體采購增加到2000億美元(約合225.9萬億韓元)，大約是目前水平的五倍?！　∪欢?，許多專家表示，美國急于遏制中國的半導(dǎo)體野心，不太可能接受中國的提議，因?yàn)樗鼘⒃黾訉χ袊陌雽?dǎo)體依賴?！　№n國企業(yè)對該計(jì)劃持謹(jǐn)慎態(tài)度，主要有兩個(gè)原因。　　首先，中國沒有提及將購買哪一種半導(dǎo)體。一家韓國半導(dǎo)體公司的高級官員表示:“中國沒有說明將進(jìn)口何種半導(dǎo)體芯片，無論是內(nèi)存、中央處理器(CPU)還是系統(tǒng)半導(dǎo)體芯片。在這種情況下，很難預(yù)測對韓國企業(yè)的影響。
  • 關(guān)鍵字： NAND  DRAM  

IC Insights：大陸半導(dǎo)體制造困難大，五年后自制率不過半

  • ICInsights最新報(bào)告顯示，大陸的集成電路生產(chǎn)仍遠(yuǎn)低于政府的目標(biāo)。報(bào)告指出，2018年大陸半導(dǎo)體市場為......
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  晶圓  NAND  

韓媒：存儲器產(chǎn)業(yè)陷入低迷，中國企業(yè)或放緩前進(jìn)步伐

  • 根據(jù)韓國媒體Business Korea報(bào)道，由于存儲器產(chǎn)業(yè)從2018年年底迎來低迷，存儲器產(chǎn)品價(jià)格下跌，各大存儲器廠商先后宣布降低產(chǎn)量以來，雖然三星仍然穩(wěn)坐半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)頭把交椅，但是其盈利能力已經(jīng)受到質(zhì)疑?！　o獨(dú)有偶，SK海力士等廠商的日子也不好過。頭部廠商的日子尚且如此，那還在奮斗中的中國存儲器廠商又將面對怎樣的未來呢?　
  • 關(guān)鍵字： 存儲器，NAND  

集邦咨詢：供需失衡態(tài)勢難止，NAND Flash供應(yīng)商2019年資本支出年減2%

  • 　　根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，2018年NAND Flash市場經(jīng)歷全年供過于求，且2019年筆記本電腦、智能手機(jī)、服務(wù)器等主要需求表現(xiàn)仍難見起色，預(yù)計(jì)產(chǎn)能過剩難解。在此情況下，供應(yīng)商將進(jìn)一步降低資本支出以放緩擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)程，避免位元成長過多導(dǎo)致過剩狀況加劇?！　RAMeXchange調(diào)查指出，2018年因供過于求難以遏制，韓系供應(yīng)商帶頭降低資本支出。NAND Flash總體資本支出下調(diào)近10%，但供需失衡的情形仍無法逆轉(zhuǎn)。2019年美系廠商減少資本支出，使得NAND
  • 關(guān)鍵字： NAND  東芝  
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