1nm 文章進(jìn)入1nm技術(shù)社區(qū)

1nm制程集成電路新賽道準(zhǔn)備就緒！

近日，北京科技大學(xué)與新紫光集團(tuán)簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將聚焦先進(jìn)制程集成電路的前瞻技術(shù)和關(guān)鍵核心技術(shù)研究，開展科技創(chuàng)新、成果轉(zhuǎn)化、人才培養(yǎng)等全方位合作，共同打造集成電路領(lǐng)域的未來科學(xué)與技術(shù)戰(zhàn)略高地。據(jù)北京科技大學(xué)介紹，雙方將共同建設(shè)“二維材料與器件集成技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心”“8英寸二維半導(dǎo)體晶圓制造與集成創(chuàng)新中心”等高水平研發(fā)平臺(tái)，重點(diǎn)開展二維半導(dǎo)體材料與器件的規(guī)?；苽涔に嚭托酒O(shè)計(jì)制造等方面的產(chǎn)學(xué)研合作，在二維半導(dǎo)體材料制備、關(guān)鍵裝備研發(fā)、集成制造工藝技術(shù)等方面協(xié)同攻關(guān)。中國科學(xué)院院士、北京科技大學(xué)前沿交
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三星1nm量產(chǎn)計(jì)劃或?qū)⑻崆爸?026年

據(jù)外媒報(bào)道，三星計(jì)劃在今年6月召開的2024年晶圓代工論壇上，正式公布其1nm制程工藝計(jì)劃，并計(jì)劃將1nm的量產(chǎn)時(shí)間從原本的2027年提前到2026年。據(jù)了解，三星電子已于2022年6月在全球首次成功量產(chǎn)3nm晶圓代工，并計(jì)劃在2024年開始量產(chǎn)其第二代3nm工藝。根據(jù)三星之前的路線圖，2nm SF2 工藝將于2025年亮相，與 3nm SF3 工藝相比，同等情況下能效可提高25%，性能可提高12%，同時(shí)芯片面積減少5%。報(bào)道中稱，三星加速量產(chǎn)1nm工藝的信心，或許來自于“Gate-All-Around（
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晶圓代工：1nm芯片將至？

生成式AI強(qiáng)勁需求推動(dòng)之下，不僅高性能AI芯片廠商持續(xù)受益，晶圓代工領(lǐng)域也嘗到了先進(jìn)制程帶來的甜頭，進(jìn)而持續(xù)瞄準(zhǔn)2nm、1nm等制程芯片生產(chǎn)。近期，晶圓代工廠商先進(jìn)制程布局再次傳出新進(jìn)展。1nm 2027年投入生產(chǎn)？近期，英特爾對(duì)外表示Intel 18A將于今年年底量產(chǎn)。為推銷該工藝節(jié)點(diǎn)，韓媒表示英特爾執(zhí)行長(zhǎng)Pat Gelsinger去年會(huì)見韓國IC設(shè)計(jì)公司高層，以爭(zhēng)取商機(jī)。Intel 18A之后，英特爾還將積極瞄準(zhǔn)更先進(jìn)的制程工藝。據(jù)悉，英特爾近期對(duì)外公布了Intel 14A（1.4nm制程）路線，但未
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沖刺 1nm 制程，日本 Rapidus、東京大學(xué)與法國研究機(jī)構(gòu)合作開發(fā)尖端半導(dǎo)體

IT之家 11 月 17 日消息，據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》當(dāng)?shù)貢r(shí)間今日凌晨報(bào)道，日本芯片制造商 Rapidus、東京大學(xué)將與法國半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu) Leti 合作，共同開發(fā)電路線寬為 1nm 級(jí)的新一代半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)技術(shù)。報(bào)道稱，雙方將從明年開始展開人員交流、技術(shù)共享，法國研究機(jī)構(gòu) Leti 將貢獻(xiàn)其在芯片元件方面的專業(yè)技術(shù)，以構(gòu)建供應(yīng) 1nm 產(chǎn)品的基礎(chǔ)設(shè)施。雙方的目標(biāo)是確立設(shè)計(jì)開發(fā)線寬為 1.4nm-1nm 的半導(dǎo)體所需要的基礎(chǔ)技術(shù)。制造 1nm 產(chǎn)品需要不同于傳統(tǒng)的晶體管結(jié)構(gòu)，Leti 在該領(lǐng)域的
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IMEC發(fā)布1nm以下制程藍(lán)圖：FinFET將于3nm到達(dá)盡頭

近日，比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)發(fā)表1納米以下制程藍(lán)圖，分享對(duì)應(yīng)晶體管架構(gòu)研究和開發(fā)計(jì)劃。外媒報(bào)導(dǎo)，IMEC制程藍(lán)圖顯示，F(xiàn)inFET晶體管將于3納米到達(dá)盡頭，然后過渡到Gate All Around(GAA)技術(shù)，預(yù)計(jì)2024年進(jìn)入量產(chǎn)，之后還有FSFET和CFET等技術(shù)?！鱏ource：IMEC隨著時(shí)間發(fā)展，轉(zhuǎn)移到更小的制程節(jié)點(diǎn)會(huì)越來越貴，原有的單芯片設(shè)計(jì)方案讓位給小芯片(Chiplet)設(shè)計(jì)。IMEC的制程發(fā)展愿景，包括芯片分解至更小，將緩存和存儲(chǔ)器分成不同的晶體管單元，然后以3D排列堆疊至其
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不止2納米，Rapidus還計(jì)劃興建1nm制程芯片廠？

為重振日本半導(dǎo)體，由索尼集團(tuán)和NEC等8家科技大廠共同投資的合資企業(yè)Rapidus計(jì)劃到2025年在日本制造出尖端的2nm芯片。近日，Rapidus表示，不止2nm，還將向1nm進(jìn)軍。據(jù)日媒報(bào)道，近期在媒體圓桌會(huì)議中，Rapidus社長(zhǎng)小池淳義說明了北海道千歲市新廠興建計(jì)劃和員工招聘情況。據(jù)悉，該千歲廠將興建2棟以上的廠房，且除了2nm之外，也將興建1nm制程芯片廠房。預(yù)計(jì)2027年開始IIM 1(第1棟廠房)將生產(chǎn)2nm芯片，而IIM 2(第2棟廠房)將生產(chǎn)1nm產(chǎn)品。之后也考慮將廠房數(shù)擴(kuò)增至3-4
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EUV電老虎臺(tái)積電1nm工廠耗電驚人：輕松百億度

臺(tái)積電在先進(jìn)工藝上的布局深遠(yuǎn)，除了已經(jīng)量產(chǎn)的5nm、4nm之外，明年重點(diǎn)量產(chǎn)3nm，2nm工藝則會(huì)在2025年量產(chǎn)，1nm工藝也在路上了，已經(jīng)開始選址工作，2028年有望量產(chǎn)。1nm芯片工廠的投資驚人，3nm、5nm工廠的建設(shè)資金大約是200億美元，1nm工藝的投資計(jì)劃高達(dá)320億美元，輕松超過2000億元，成本要比前面的工藝高多了。不僅如此，1nm工廠的耗電量也會(huì)是個(gè)麻煩，相比3nm工廠年耗電量70億度的水平來說，1nm工廠不會(huì)少于80億度，甚至接近100億度。這是什么概念？預(yù)計(jì)到了2028年，這個(gè)1n
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臺(tái)積電1nm晶圓廠最早有望于2026年動(dòng)工，2028年量產(chǎn)

晶圓代工龍頭臺(tái)積電此前預(yù)計(jì)3nm制程將于第4季度量產(chǎn)，2nm于2025年量產(chǎn)，近期1nm也有了消息。據(jù)中國臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，臺(tái)積電1nm新廠此前已確定落腳竹科龍?zhí)秷@區(qū)，該園區(qū)相關(guān)負(fù)責(zé)人王永壯于15日受訪時(shí)透露，竹科龍?zhí)秷@區(qū)三期擴(kuò)建先導(dǎo)計(jì)劃已上報(bào)，若一切順利，目標(biāo)2026年中即可供廠商展開建廠作業(yè)。業(yè)界認(rèn)為，這意味著臺(tái)積電1納米廠最快2026年中可開始動(dòng)土，最快2027年試產(chǎn)、2028年量產(chǎn)，屆時(shí)臺(tái)積電海外廠區(qū)最先進(jìn)制程應(yīng)仍在3納米。
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臺(tái)積電 1nm 廠將落地龍?zhí)?/a>

IT 之家 11 月 22 日消息，中國臺(tái)灣行政院副院長(zhǎng)沈榮津表示，臺(tái)積電 1 納米新廠將落地桃園龍?zhí)丁?jù)稱，臺(tái)積電大本營在新竹科學(xué)園區(qū)，若真的想要超前部署臺(tái)灣半導(dǎo)體先進(jìn)制程，就近選擇龍?zhí)犊茖W(xué)園區(qū)是最理想之處，并將為桃園帶來上萬個(gè)就業(yè)機(jī)會(huì)，進(jìn)而帶動(dòng)桃園整個(gè)地方經(jīng)濟(jì)發(fā)展。IT之家曾報(bào)道，隨著龍?zhí)犊茖W(xué)園期三期計(jì)劃的啟動(dòng)，業(yè)界傳出臺(tái)積電將會(huì)在新竹科學(xué)園區(qū)轄下的龍?zhí)犊茖W(xué)園區(qū)建設(shè) 2 納米以下制程生產(chǎn)基地的消息，臺(tái)積電對(duì)此表示不排除任何可能。沈榮津表示，未來臺(tái)積電 1nm 廠設(shè)在龍?zhí)?，北起桃園龍

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摩爾定律不死臺(tái)積電已在謀劃1nm工藝：下代EUV光刻機(jī)是關(guān)鍵

　　在先進(jìn)工藝上，臺(tái)積電今年底量產(chǎn)3nm工藝，2025年則是量產(chǎn)2nm工藝，這一代會(huì)開始使用GAA晶體管，放棄現(xiàn)在的FinFET晶體管技術(shù)。　　再往后呢？2nm之后是1.4nm工藝，Intel、臺(tái)積電及三星這三大芯片廠商也在沖刺，其中三星首個(gè)宣布2027年量產(chǎn)1.4nm工藝，臺(tái)積電沒說時(shí)間點(diǎn)，預(yù)計(jì)也是在2027年左右。　　1.4nm之后就是1nm工藝了，這個(gè)節(jié)點(diǎn)曾經(jīng)被認(rèn)為是摩爾定律的物理極限，是無法實(shí)現(xiàn)的，但是現(xiàn)在芯片廠商也已經(jīng)在攻關(guān)中?！　∨_(tái)積電已經(jīng)啟動(dòng)了先導(dǎo)計(jì)劃，傳聞中的1nm晶圓廠將落戶新竹科技園下
關(guān)鍵字：光刻機(jī) 臺(tái)積電摩爾定律 1nm

芯片制程突破1nm后，這個(gè)發(fā)展方向很有前景

眾所周知，芯片的工藝是越來越先進(jìn)，臺(tái)積電的代工能力已經(jīng)到5nm了，而且直言不諱的表示3nm、2nm已經(jīng)在路上了。隨著集成電路的發(fā)展，計(jì)算機(jī)一直受到摩爾定律的支配，目前，芯片都是由硅為基礎(chǔ)，在上面刻蝕電路，但是，理論研究表明，當(dāng)芯片制程達(dá)到1nm的時(shí)候，量子隧穿效應(yīng)，就是電子不受控制，所以這是人們很擔(dān)心的問題，1nm后怎么辦？芯片上有無數(shù)個(gè)晶體管，他們是芯片的核心，也就說，目前的技術(shù)是要把晶體管做的越來越小，這樣，芯片上能容納的晶體管就很多，芯片的性能就隨之增加。而目前最小的是1 nm柵極長(zhǎng)度的二硫
關(guān)鍵字： 1nm 量子隧穿效應(yīng)

1nm工藝CPU還有多遠(yuǎn)？臺(tái)積電即將挑戰(zhàn)極限：進(jìn)軍1nm工藝

我們現(xiàn)在使用的半導(dǎo)體大部分是硅基電路，問世已經(jīng)60年了，多年來都是按照摩爾定律2年一次微縮的規(guī)律發(fā)展，但它終究是有極限的。臺(tái)積電在突破5nm、3nm及未來的2nm之后，下一步就要進(jìn)軍1nm工藝了。根據(jù)臺(tái)積電的規(guī)劃，今年會(huì)量產(chǎn)5nm工藝，2022年則會(huì)量產(chǎn)3nm工藝，2nm工藝已經(jīng)在研發(fā)中了，預(yù)計(jì)會(huì)在2024年問世。2nm之后呢？臺(tái)積電在日前的股東大會(huì)上也表態(tài)，正在研究2nm以下的工藝，正在一步步逼近1nm工藝。1nm工藝不僅僅是這個(gè)數(shù)字看上重要，它還有更深的含義——1nm級(jí)別的工藝有可能是硅基半導(dǎo)體的終結(jié)
關(guān)鍵字： 1nm 臺(tái)積電

美國科研人員實(shí)現(xiàn)1nm 制程工藝

　　Intel、TSMC及三星三大半導(dǎo)體工廠今年將量產(chǎn)10nm工藝,他們中進(jìn)度快的甚至準(zhǔn)備在明年上馬7nm工藝,2020年前后則要推出5nm工藝。但是隨著制程工藝的升級(jí),半導(dǎo)體工藝也越來越逼近極限了,制造難度越來越大,5nm之后的工藝到現(xiàn)在為止都沒有明確的結(jié)論,晶體管材料、工藝都需要更新。在這一點(diǎn)上,美國又走在了前列,美國布魯克海文國家實(shí)驗(yàn)室的科研人員日前宣布實(shí)現(xiàn)了1nm工藝制造。　　來自EETimes的報(bào)道稱，美國能源部(DOE)下屬的布魯克海文國家實(shí)驗(yàn)室的科研人員日前宣布創(chuàng)造了新的世界記錄，他們成
關(guān)鍵字： 1nm 制程

1nm晶體管現(xiàn)身！

　　以物理學(xué)規(guī)則來看，電晶體的最小尺寸被認(rèn)為是5奈米，但透過采用碳奈米管制作電晶體閘極，這個(gè)極限已經(jīng)被突破… 　　碳奈米管從過去幾十年就已經(jīng)用于制作實(shí)驗(yàn)性電晶體，但大多是當(dāng)做電晶體通道(channel);美國勞倫斯柏克萊國家實(shí)驗(yàn)室(Lawrence Berkeley National Laboratory)的研究人員則是以奈米碳管制作閘極(gate)，并因此實(shí)現(xiàn)了號(hào)稱全世界最小的電晶體。　　　　采用二硫化鉬(molybdenum disulfide)通道與單奈米
關(guān)鍵字： 1nm 晶體管

為什么說7nm是物理極限？如何看待晶體管制程從14nm縮減到了1nm？

　　適用了20余年的摩爾定律近年逐漸有了失靈的跡象。從芯片的制造來看，7nm就是硅材料芯片的物理極限。不過據(jù)外媒報(bào)道，勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，采用碳納米管復(fù)合材料將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。那么，為何說7nm就是硅材料芯片的物理極限，碳納米管復(fù)合材料又是怎么一回事呢?面對(duì)美國的技術(shù)突破，中國應(yīng)該怎么做呢? 　　XX nm制造工藝是什么概念? 　　芯片的制造工藝常常用90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、14nm來表示，比如Intel最新的六代酷
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