芯片制程突破1nm后，這個(gè)發(fā)展方向很有前景

眾所周知，芯片的工藝是越來越先進(jìn)，臺(tái)積電的代工能力已經(jīng)到5nm了，而且直言不諱的表示3nm、2nm已經(jīng)在路上了。

隨著集成電路的發(fā)展，計(jì)算機(jī)一直受到摩爾定律的支配，目前，芯片都是由硅為基礎(chǔ)，在上面刻蝕電路，但是，理論研究表明，當(dāng)芯片制程達(dá)到1nm的時(shí)候，量子隧穿效應(yīng)，就是電子不受控制，所以這是人們很擔(dān)心的問題，1nm后怎么辦？

芯片上有無數(shù)個(gè)晶體管，他們是芯片的核心，也就說，目前的技術(shù)是要把晶體管做的越來越小，這樣，芯片上能容納的晶體管就很多，芯片的性能就隨之增加。而目前最小的是1 nm柵極長(zhǎng)度的二硫化鉬晶體管。而且，并不是到1nm才會(huì)發(fā)生擊穿效應(yīng)，而是進(jìn)入7nm節(jié)點(diǎn)后，這個(gè)現(xiàn)象就越來越明顯了，電子從一個(gè)晶體管跑向另一個(gè)晶體管而不受控制，晶體管就喪失了原來的作用。

目前人類馬上將硅基材料的性能壓縮到了極限，所以，不能一棵樹上吊死，更換材料已經(jīng)被提上日程，而且，目前最有希望的便是二硫化鉬（MoS2）。

硅和二硫化鉬（MoS2）都有晶體結(jié)構(gòu)，但是，二硫化鉬對(duì)于控制電子的能力要強(qiáng)于硅，眾所周知，晶體管由源極，漏極和柵極，柵極負(fù)責(zé)電子的流向，它是起開關(guān)作用，在1nm的時(shí)候，柵極已經(jīng)很難發(fā)揮其作用了，而通過二硫化鉬，則會(huì)解決這個(gè)問題，而且，二硫化鉬的介電常數(shù)非常低，可以將柵極壓縮到1nm完全沒有問題。

1nm是人類半導(dǎo)體發(fā)展的重要節(jié)點(diǎn)，可以說，能不能突破1nm的魔咒，關(guān)乎計(jì)算機(jī)的發(fā)展，雖然二硫化鉬的應(yīng)用價(jià)值非常大，但是，目前還在早期階段，而且，如何批量生產(chǎn)1nm的晶體管還沒有解決，但是，這并不妨礙二硫化鉬在未來集成電路的前景。