芯片制程突破1nm后，這個發(fā)展方向很有前景

眾所周知，芯片的工藝是越來越先進，臺積電的代工能力已經到5nm了，而且直言不諱的表示3nm、2nm已經在路上了。

隨著集成電路的發(fā)展，計算機一直受到摩爾定律的支配，目前，芯片都是由硅為基礎，在上面刻蝕電路，但是，理論研究表明，當芯片制程達到1nm的時候，量子隧穿效應，就是電子不受控制，所以這是人們很擔心的問題，1nm后怎么辦？

芯片上有無數個晶體管，他們是芯片的核心，也就說，目前的技術是要把晶體管做的越來越小，這樣，芯片上能容納的晶體管就很多，芯片的性能就隨之增加。而目前最小的是1 nm柵極長度的二硫化鉬晶體管。而且，并不是到1nm才會發(fā)生擊穿效應，而是進入7nm節(jié)點后，這個現象就越來越明顯了，電子從一個晶體管跑向另一個晶體管而不受控制，晶體管就喪失了原來的作用。

目前人類馬上將硅基材料的性能壓縮到了極限，所以，不能一棵樹上吊死，更換材料已經被提上日程，而且，目前最有希望的便是二硫化鉬（MoS2）。

硅和二硫化鉬（MoS2）都有晶體結構，但是，二硫化鉬對于控制電子的能力要強于硅，眾所周知，晶體管由源極，漏極和柵極，柵極負責電子的流向，它是起開關作用，在1nm的時候，柵極已經很難發(fā)揮其作用了，而通過二硫化鉬，則會解決這個問題，而且，二硫化鉬的介電常數非常低，可以將柵極壓縮到1nm完全沒有問題。

1nm是人類半導體發(fā)展的重要節(jié)點，可以說，能不能突破1nm的魔咒，關乎計算機的發(fā)展，雖然二硫化鉬的應用價值非常大，但是，目前還在早期階段，而且，如何批量生產1nm的晶體管還沒有解決，但是，這并不妨礙二硫化鉬在未來集成電路的前景。