20納米 文章 進(jìn)入20納米技術(shù)社區(qū)
Metryx和Intel合作開發(fā)20納米節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體工藝
- 英國質(zhì)量計(jì)量設(shè)備廠商Metryx日前正式加入一項(xiàng)由歐洲廠商主導(dǎo)的半導(dǎo)體設(shè)備創(chuàng)新發(fā)展評(píng)估項(xiàng)目，在此合作框架下，Metryx將和Intel，IMEC等展開深入合作，為20納米節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體工藝開發(fā)提供高精度質(zhì)量計(jì)量技術(shù)和設(shè)備。高精度質(zhì)量計(jì)量技術(shù)用于監(jiān)控淀積工藝和其它引起質(zhì)量細(xì)微變化的工藝步驟，也可以用來監(jiān)控由于高參雜注入導(dǎo)致光刻膠剝落而引起的硅損耗、襯底損壞等問題。
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臺(tái)積電有優(yōu)勢(shì)應(yīng)對(duì)IBM技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)
- 近年來IBM技術(shù)陣營不斷坐大，Global Foundries與三星電子(Samsung Electronics)不僅全力爭(zhēng)取人才及訂單，在技術(shù)上亦加速追趕臺(tái)積電與聯(lián)電，值得注意的是，IBM陣營將于2011年1月于美國舉辦通用平臺(tái)(Common Platform)技術(shù)論壇，揭露20納米以下制程藍(lán)圖，頗有鳴鼓備戰(zhàn)意味。對(duì)于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手節(jié)節(jié)進(jìn)逼，臺(tái)積電董事長張忠謀顯得老神在在，他認(rèn)為，IBM技術(shù)已不是強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，臺(tái)積電在生產(chǎn)與伙伴關(guān)系上領(lǐng)先同業(yè)，是臺(tái)積電成功關(guān)鍵。
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挑戰(zhàn)臺(tái)積電 全球晶圓首度公布20納米技術(shù)藍(lán)圖
- 全球晶圓(Global Foundries)于美東時(shí)間1日舉行成軍以來首屆全球技術(shù)論壇，會(huì)中展示28納米類比/混合訊號(hào)(AMS)生產(chǎn)設(shè)計(jì)流程開發(fā)套件，并推出新的28納米HPP(High Perfoarmance Plus)技術(shù)，預(yù)計(jì)于第4季正式向客戶推出，另外也首度揭示22/20納米制程技術(shù)藍(lán)圖與時(shí)間進(jìn)程，預(yù)計(jì)2013年正式進(jìn)入量產(chǎn)。與會(huì)人士指出，全球晶圓在技術(shù)上進(jìn)逼至20納米，時(shí)程上亦與臺(tái)積電甚為相近，與臺(tái)積電在先進(jìn)制程較勁意味濃厚。 為因應(yīng)快速成長的智能型移動(dòng)裝置市場(chǎng)，全球晶圓在原本的28納
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臺(tái)積電、全球晶圓激戰(zhàn)ARM平臺(tái) 20納米世代競(jìng)賽提前啟動(dòng)
- 全球晶圓(Global Foundries)挑戰(zhàn)臺(tái)積電晶圓代工市場(chǎng)地位來勢(shì)洶洶，2010年初甫與安謀(ARM)攜手開發(fā)28納米制程，挑戰(zhàn)臺(tái)積電在先進(jìn)制程領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，然臺(tái)積電亦不干示弱，正式宣布與ARM簽訂長期合約，將技術(shù)世代延續(xù)至28與20納米制程，建立更長遠(yuǎn)合作關(guān)系，在看好ARM平臺(tái)于可攜式電子產(chǎn)品發(fā)展?jié)摿?，臺(tái)積電與全球晶圓雙方熱戰(zhàn)互不相讓。 臺(tái)積電指出，已與ARM簽訂長期合約，在制程平臺(tái)上擴(kuò)展ARM系列處理器及實(shí)體智財(cái)設(shè)計(jì)開發(fā)，從目前技術(shù)世代延伸到未來20納米制程，以ARM處理器為設(shè)計(jì)核心，并
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臺(tái)積電中止凌動(dòng)項(xiàng)目轉(zhuǎn)投ARM再攻移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)
- 去年春天，臺(tái)積電與英特爾曾牽手相歡，雙方首度在處理器領(lǐng)域達(dá)成代工戰(zhàn)略合作，尤其面向移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、嵌入式市場(chǎng)的英特爾凌動(dòng)產(chǎn)品。今年春天，由于客戶需求不足，雙方無奈分手，中止了合作。 昨天，不甘寂寞的臺(tái)積電再度執(zhí)人之手。不過，這次不是英特爾，而是英特爾在移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)的對(duì)手——英國ARM。 雙方表示，將在臺(tái)積電工藝平臺(tái)上擴(kuò)展ARM一系列處理器以及物理IP(知識(shí)產(chǎn)權(quán))模塊的開發(fā)，并從目前的技術(shù)65納米延伸到未來的20納米。而且，雙方將以ARM處理器為核心，以臺(tái)積電工藝為基礎(chǔ)
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GlobalFoundries宣布開發(fā)20nm工藝 與22nm共存
- GlobalFoundries近日宣布將會(huì)開發(fā)20nm半導(dǎo)體制造工藝，但與臺(tái)積電不同，新工藝將與 22nm共存，而且GF認(rèn)為這種半代工藝并不會(huì)消失。 臺(tái)積電不久前剛剛宣布，將跳過22nm工藝，改而直接上馬更先進(jìn)的20nm工藝，采用增強(qiáng)型高K金屬柵極(HKMG)、應(yīng)變硅、低電阻銅超低K互聯(lián)等技術(shù)，可帶來更高的柵極密度和芯片性能。在此之前，臺(tái)積電和GF還先后宣布將跳過32nm Bulk工藝，從40nm直奔28nm。 GF目前的業(yè)務(wù)主要有兩種，一是繼續(xù)為AMD制造微處理器，二是開拓新的代工業(yè)務(wù)，
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三星電子全球率先批量生產(chǎn)20納米制程N(yùn)AND閃存
- 據(jù)外電報(bào)道，三星電子表示，該公司從上周末開始批量生產(chǎn)20納米制程32GB多層單元(MLC)NAND閃存。 20納米制程32GB多層單元NAND閃存的生產(chǎn)性，比30納米制程高50%左右。三星電子在全球半導(dǎo)體行業(yè)率先投入到了量產(chǎn)。 三星電子相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，公司同時(shí)開發(fā)20納米制程32GB多層單元專用controller，確保了與30納米級(jí)NAND閃存相同的穩(wěn)定性。 三星電子的20納米制程N(yùn)AND閃存將先用于手機(jī)存儲(chǔ)卡SD卡。 此外，今年2月公布開發(fā)20納米制程64GB NAND閃存
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張忠謀：全球半導(dǎo)體市場(chǎng)連好5年
- 4月15日早間消息，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)灣晶圓代工龍頭臺(tái)積電昨(14)日在美國舉行年度技術(shù)論壇，董事長張忠謀表示，今明兩年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)均將健康成長，2011至2014年呈溫和成長，年復(fù)合成長率達(dá)4.2%。 張忠謀還稱，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需要更多合作，且早在芯片設(shè)計(jì)開始之前就要合作，才能有效降低成本，臺(tái)積電在20納米、14納米、10納米等先進(jìn)制程研發(fā)中不會(huì)缺席。 由于半導(dǎo)體市場(chǎng)景氣明顯復(fù)蘇，臺(tái)積電年度技術(shù)論壇吸引將近1800名客戶或合作伙伴代表參加，而張忠謀在演說時(shí)則針對(duì)未來5年半導(dǎo)體市場(chǎng)景氣、臺(tái)積
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臺(tái)積電宣布發(fā)展20納米工藝
- TSMC于美西時(shí)間13日在美國加州圣荷西市舉行技術(shù)研討會(huì)，會(huì)中宣布將跳過22納米工藝，直接發(fā)展20納米工藝。此系基于「為客戶創(chuàng)造價(jià)值」而作的決定，提供客戶一個(gè)更可行的先進(jìn)工藝選擇。 此次技術(shù)研討會(huì)有1,500位客戶及合作廠商代表參加，TSMC研究發(fā)展資深副總經(jīng)理蔣尚義在會(huì)中表示，TSMC20納米工藝將比22納米工藝擁有更優(yōu)異的閘密度(gate density)以及芯片性價(jià)比，為先進(jìn)技術(shù)芯片的設(shè)計(jì)人員提供了一個(gè)可靠、更具競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的工藝平臺(tái)。此外，20納米工藝預(yù)計(jì)于2012年下半開始導(dǎo)入生產(chǎn)。
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美光攜手南亞科技開發(fā)20納米芯片制程技術(shù)
- 據(jù)國外媒體報(bào)道，臺(tái)灣南亞科技總裁連日昌周三表示，公司目前正在與合作伙伴美光科技聯(lián)手，共同為未來的DRAM生產(chǎn)開發(fā)先進(jìn)的20納米芯片制程技術(shù)。 這 項(xiàng)先進(jìn)的芯片制程技術(shù)有助于提高芯片性能、減少芯片耗電量、降低芯片生產(chǎn)成本。連日昌周三在臺(tái)北的一次媒體活動(dòng)中說，企業(yè)要想在未來五年的DRAM市場(chǎng)上 保持競(jìng)爭(zhēng)力，擁有領(lǐng)先技術(shù)至關(guān)重要。 采用20納米制程技術(shù)生產(chǎn)芯片將有助美光和南亞科技與業(yè)界領(lǐng)先企業(yè)三星電子展開更加有效的競(jìng)爭(zhēng)。當(dāng)前，三星已經(jīng)在它的生產(chǎn)線上采用了30納米芯片制程技術(shù)。三星稱，使用30納米
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20納米介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)20納米的理解，并與今后在此搜索20納米的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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