3d dram 文章進(jìn)入3d dram技術(shù)社區(qū)

AMD和宏碁指出：現(xiàn)在推出3D產(chǎn)品還為時(shí)太早

　　5月13日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，AMD和宏碁對(duì)于現(xiàn)在的3D標(biāo)準(zhǔn)，具有一致看法：即現(xiàn)在推出3D還為時(shí)過(guò)早。兩家公司都稱，現(xiàn)在的標(biāo)準(zhǔn)相互沖突。宏碁同時(shí)也指出，3D技術(shù)是其未來(lái)需要發(fā)展的四大關(guān)鍵技術(shù)之一。據(jù)悉宏碁在今年第一季度超越惠普成為筆記本銷量最大的廠家。　　宏碁市場(chǎng)營(yíng)銷總裁莫爾貝洛(Gianpierro Morbello)說(shuō)：“3D將是下一個(gè)關(guān)鍵技術(shù)，我們將利用這項(xiàng)技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)下一步發(fā)展。我們現(xiàn)在首先需要知道的是這項(xiàng)技術(shù)具有統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)。” 　　AMD公司也具有同樣的觀點(diǎn)，A
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光刻設(shè)備交貨延期推遲DRAM 40納米戰(zhàn)局

　　全球DRAM產(chǎn)業(yè)40納米大戰(zhàn)出現(xiàn)變量，由于浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)(Immersion Scanner)遞延交貨之故，瑞晶已松口表示，原本計(jì)劃年底前旗下8萬(wàn)片12寸晶圓產(chǎn)能要全轉(zhuǎn)進(jìn)45納米制程的目標(biāo)，將正式遞延至2011年第1季，其第1臺(tái)浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)本周才會(huì)正式到貨，比原訂時(shí)程晚了2~3個(gè)月，內(nèi)部已決定將8萬(wàn)片產(chǎn)能全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)63納米制程作為應(yīng)變。DRAM業(yè)者皆認(rèn)為，全球DRAM 產(chǎn)業(yè)的40納米正式對(duì)決時(shí)間點(diǎn)，會(huì)是在2011年! 　　瑞晶總經(jīng)理陳正坤表示，瑞晶第1臺(tái)浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)將于本周正式到貨，預(yù)計(jì)在9月之前會(huì)有5~6臺(tái)
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三星第一季度NAND Flash市占逼近40%大關(guān)

　　2010年第1季全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)市占率中，仍以三星電子(Samsung Electronics)位居龍頭，根據(jù)集邦統(tǒng)計(jì)，三星的市占率高達(dá)39.2%，東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后，第1季位元成長(zhǎng)率較上季增加15%，但平均單價(jià)(ASP)小跌5%，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值規(guī)模約43.63億美元，較上季39.1億元成長(zhǎng)11.6%。　　NAND Flash產(chǎn)業(yè)2009年率先落底反彈，但2010年表現(xiàn)空間不多，在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile
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美光12億美元并恒憶坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術(shù)

　　美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收購(gòu)NOR Flash大廠恒憶(Numonyx B.V.)的所有程序。依據(jù)協(xié)議，美光已發(fā)行大約1.38億股普通股(大約相當(dāng)于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導(dǎo)體、私募股權(quán)基金Francisco Partners)。　　完成收購(gòu)恒憶后美光成為同時(shí)擁有DRAM、NAND以及NOR技術(shù)的記憶體晶片大廠。恒憶去年第4季營(yíng)收約5.50億美元，自由現(xiàn)金流量達(dá)4,200萬(wàn)美元。交易完成后美光/恒憶將與意法共享位于義大利Agrate的&ld
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Q1全球DRAM產(chǎn)值續(xù)增三星穩(wěn)居龍頭

　　DRAM價(jià)格走揚(yáng)，帶動(dòng)全球第一季DRAM產(chǎn)值持續(xù)攀高至92.77億美元，較去年第4季再成長(zhǎng)6.9%;其中，南韓三星市占率達(dá)32.3%，穩(wěn)居全球DRAM龍頭寶座。　　集邦科技表示，盡管第一季為DRAM產(chǎn)業(yè)傳統(tǒng)淡季，不過(guò)，在電腦系統(tǒng)廠商擔(dān)心下半年恐將缺貨、積極儲(chǔ)備安全庫(kù)存下，帶動(dòng)第 1季DRAM市場(chǎng)需求淡季不淡，價(jià)格也持續(xù)走揚(yáng)。　　根據(jù)統(tǒng)計(jì)，第一季DDR3合約季均價(jià)上漲16%，現(xiàn)貨季均價(jià)也上漲14%;DDR2產(chǎn)品方面，第1季合約季均價(jià)上漲5%，現(xiàn)貨季均價(jià)則持平表現(xiàn)。　　而在產(chǎn)品價(jià)格走揚(yáng)，加上各
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集邦科技: 全球DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收2010第一季營(yíng)收續(xù)成長(zhǎng)6.9%

　　根據(jù)集邦科技公布價(jià)格，DDR3合約季均價(jià)與現(xiàn)貨季均價(jià)繼2009年第四季分別大漲40%與30%后，在2010年第一季分別續(xù)漲16%與 14%;DDR2合約季均價(jià)與現(xiàn)貨季均價(jià)2009年第四季分別大漲61%與68%后，在2010年第一季淡季不淡，合約季均價(jià)續(xù)漲5%，現(xiàn)貨季均價(jià)持平，持續(xù)維持在高檔價(jià)格。　　由于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)廠商于第一季拉高DDR3的搭載比例由去年第四季的40%拉高至60% 造成第一季DDR3供貨吃緊。DDR2方面在現(xiàn)貨市場(chǎng)需求仍大部份在DDR2，而DRAM廠快速轉(zhuǎn)進(jìn)至DDR3，使買方亦努力拉
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海力士：一季度DRAM芯片平均售價(jià)季漲3%

　　以收入計(jì)全球第二大電腦記憶芯片制造商海力士半導(dǎo)體公司(Hynix Semiconductor Inc.)22日公布，一季度公司動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)平均售價(jià)季比上升3%，09年四季度漲幅為26%。　　然而，海力士半導(dǎo)體公司在一份聲明中稱，一季度NAND快閃記憶芯片售價(jià)季比下降8%，09年四季度降幅為5%。　　該公司補(bǔ)充道，一季度DRAM芯片發(fā)貨量季比上升6%，NAND芯片發(fā)貨量季比持平。　　海力士半導(dǎo)體公布，該公司一季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為28%，09年四季度該公司營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為25%。
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追隨三星之路　爾必達(dá)推出32GB容量模塊

　　日韓DRAM大廠制程競(jìng)賽延伸至產(chǎn)品規(guī)格之戰(zhàn)，在三星電子(Samsung Electronics)于3月底，宣布推出由32GB大容量服務(wù)器內(nèi)存模塊后，日系內(nèi)存大廠爾必達(dá)(Elpida)也宣布4Gb DDR3芯片正式問(wèn)世，不但采40奈米制程生產(chǎn)，未來(lái)也將用此芯片生產(chǎn)32GB內(nèi)存模塊，應(yīng)用于服務(wù)器、大型數(shù)據(jù)中心或其他大型系統(tǒng)等，DRAM大廠在產(chǎn)品規(guī)格之戰(zhàn)，逐漸由主流規(guī)格2Gb，延伸至4Gb容量。　　爾必達(dá)22日指出，將正式推出4Gb DDR3芯片，主要是采用40納米制程生產(chǎn)，且響應(yīng)近期科技產(chǎn)業(yè)吹起的環(huán)保
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追趕65納米

　　在渡過(guò)困難的09年后,全球半導(dǎo)體業(yè)迎來(lái)新一輪的高潮。市場(chǎng)相繼出現(xiàn)存儲(chǔ)器, 模擬電路等缺貨現(xiàn)象及OEM庫(kù)存不足。具風(fēng)向標(biāo)意義的1Gb DDR2價(jià)格由1,5美元升至3,0美元, 所以虧損了近3年的美光, 爾必達(dá)及海力士都報(bào)導(dǎo)扭虧為盈, 預(yù)計(jì)2010年全球DRAM增長(zhǎng)40%,可達(dá)319億美元。　　以臺(tái)積電為首的代工業(yè)也是看好, 預(yù)計(jì)今年有20%的增長(zhǎng)。2010年Q1，它的65納米先進(jìn)制程取消淡季的固定優(yōu)惠，實(shí)際上是變相的價(jià)格上漲。臺(tái)積電去年第四季營(yíng)收920.9億臺(tái)幣，季增2.4%，65納米占營(yíng)收30%，
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DRAM供不應(yīng)求因素供給和需求分析

　　2010年DRAM產(chǎn)業(yè)自谷底回春，不淡擺脫過(guò)去虧損連連的情況，或是各廠要求政府要紓困，幾乎每家DRAM業(yè)者都開始賺錢，且DRAM供不應(yīng)求情況越來(lái)越嚴(yán)重，價(jià)格也不斷上漲，現(xiàn)在DDR3和DDR2價(jià)格1顆3美元的情況發(fā)生在傳統(tǒng)淡季，實(shí)在少見，且缺貨的情況短期內(nèi)無(wú)法紓解。　　市場(chǎng)分析主要原因可分為供給和需求兩方配合。在供給端方面，除了三星電子(SamsungElectronics)實(shí)力和財(cái)力雄厚外，廠的資本支出頂多只能應(yīng)付制程微縮的需求，沒(méi)有多余的資金可蓋新廠房。　　再者，2010年各廠轉(zhuǎn)進(jìn)50或是4
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海力士1Q獲利季增25%

　　韓國(guó)半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)公布2010會(huì)計(jì)年度第1季 (2010年1~3月)財(cái)報(bào)，與2009年同期凈損1.18兆韓元(約10.62億美元)相比，海力士本季達(dá)成獲利8,220億韓元，比前季成長(zhǎng)25%。營(yíng)收則達(dá)2.82兆韓元，比2009年同期成長(zhǎng)115%，亦比前季略增220億韓元。　　海力士營(yíng)收穩(wěn)定成長(zhǎng)，主要受到存儲(chǔ)器市場(chǎng)景氣興盛、DRAM出貨量增加及存儲(chǔ)器平均價(jià)格拉臺(tái)刺激。　　海力士表示，DRAM本季平均價(jià)格成長(zhǎng)3%、出貨量成長(zhǎng)6%。NAND Flash平均價(jià)格雖下滑8%，然出貨量持平。
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三星、海力士停電　PC恐受沖擊

　　存儲(chǔ)器大廠三星電子(Samsung Electronics)器興廠3月底甫發(fā)生停電事件，海力士(Hynix)位于韓國(guó)M10廠房21日亦出現(xiàn)停電意外，海力士宣稱僅發(fā)生0.1秒瞬間電壓下降，由于有不斷電系統(tǒng)支應(yīng)，并未造成任何損失，存儲(chǔ)器業(yè)者則傳出這次海力士實(shí)際停電時(shí)間是下午1~3點(diǎn)，長(zhǎng)達(dá)2小時(shí)之久，盡管停電事件對(duì)于實(shí)際產(chǎn)出影響有限，然因目前DRAM市場(chǎng)供給嚴(yán)重吃緊，若韓系大廠再減少一些產(chǎn)能，恐怕將對(duì)PC廠出貨造成沖擊。　　海力士位于韓國(guó)京畿道M10廠房在 21日下午傳出突然停電事件，公司在第1時(shí)間出面
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設(shè)備產(chǎn)能皆不足模擬IC缺貨潮不停歇

　　全球模擬IC市場(chǎng)自2010年初以來(lái)，一路傳出的缺貨聲浪至今未歇，雖然模擬IC供貨商不斷加班趕貨，但比起下游客戶預(yù)先在淡季建立庫(kù)存，及越買不到越要買的心態(tài)，市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口看來(lái)比整個(gè)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈想得都還要大。業(yè)者更是直言，此模擬IC供需吃緊風(fēng)潮將至少延續(xù)到2010年底。　　原因無(wú)他，國(guó)外模擬IC供應(yīng)廠在機(jī)臺(tái)設(shè)備采買名單上，只能算是個(gè)后段名單，而臺(tái)系模擬IC設(shè)計(jì)業(yè)者在搶產(chǎn)能動(dòng)作上，也只算是個(gè)較慢的族群，當(dāng)兩者因素放在一起時(shí)，就是客戶缺貨抱怨的電子信件一路傳送下去。　　國(guó)外模擬IC供貨商雖然普遍都
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五一價(jià)格戰(zhàn)：家電商看好LED TV 狂甩LCD TV

　　近日，康佳、海信、長(zhǎng)虹等中國(guó)家電大廠以及部分外資品牌紛紛加入到彩電產(chǎn)品的降價(jià)潮當(dāng)中。由于家電廠商紛紛扎堆LED TV，使得LCD TV面臨拋售境界，價(jià)格大幅下跌。　　在此輪降價(jià)熱潮當(dāng)中，中國(guó)國(guó)產(chǎn)46寸LED TV新品價(jià)格已跌破9000元人民幣大關(guān)，創(chuàng)下了歷史新低，而外資品牌同尺寸產(chǎn)品也跌至14000元左右。業(yè)內(nèi)人士指出，受LED TV大規(guī)模降價(jià)的影響，在接下來(lái)的彩電產(chǎn)品銷售比重中，LCD TV所占據(jù)的份額將逐步縮小，而為了進(jìn)一步清理庫(kù)存，LCD TV接下來(lái)降價(jià)趨勢(shì)將會(huì)更加明顯。　　業(yè)內(nèi)人士還指
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存儲(chǔ)器中采用銅工藝對(duì)于設(shè)備市場(chǎng)的影響

　　按Information Network總裁Robert Casterllano的說(shuō)法,2009年存儲(chǔ)器芯片向銅互連工藝過(guò)渡開始熱了起來(lái)，由此雖然2009年整個(gè)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)下降超過(guò)40%以上, 而與銅互連直接相關(guān)連的設(shè)備僅下降8.7%。　　在2006未Micron技術(shù)公司首先在DRAM產(chǎn)品制造中采用銅工藝代替鋁。一年之后Elpida跟進(jìn)。之后所有的存儲(chǔ)器制造商, 以三星為首都對(duì)于存儲(chǔ)器生產(chǎn)線進(jìn)行升級(jí)改造, 導(dǎo)入銅工藝。因此影響了2009年銅淀積設(shè)備和材料的市場(chǎng)。公司認(rèn)為此種趨勢(shì)將影響半導(dǎo)體設(shè)備市
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