3d dram 文章進(jìn)入3d dram技術(shù)社區(qū)

美光科技就中國(guó)福建省專利訴訟案件的聲明

　　美光科技有限公司(納斯達(dá)克代碼：MU)宣布，中國(guó)福建省福州市中級(jí)人民法院于今日通知美光科技的兩家中國(guó)子公司，針對(duì)聯(lián)華電子股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“聯(lián)電”)與福建省晉華集成電路有限公司(以下簡(jiǎn)稱“晉華”)提起專利侵權(quán)訴訟的案件，該法院已批準(zhǔn)向美光科技兩子公司裁定初步禁令。這次聯(lián)電和晉華提起專利侵權(quán)訴訟，實(shí)為報(bào)復(fù)此前臺(tái)灣檢察機(jī)關(guān)針對(duì)聯(lián)電及其三名員工侵犯美光商業(yè)機(jī)密提起的刑事訴訟，以及美光科技就此針對(duì)聯(lián)電和晉華向美國(guó)加利福尼亞北區(qū)聯(lián)邦地區(qū)法院提起的民事訴訟?！　≡摮醪浇罱姑拦饪萍純芍袊?guó)子公司在中國(guó)制造、銷(xiāo)
關(guān)鍵字：美光科技 DRAM NAND

重拳！美芯片巨頭在華遭禁售

此次對(duì)美國(guó)芯片巨頭美光(Micron)發(fā)出“訴中禁令”雖不是最終判決，但似乎暗示美光確實(shí)存在侵權(quán)行為。而這是中國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體一路被指稱“竊密”和“侵權(quán)”以來(lái)，首次成功重拳回?fù)簟?/li>
關(guān)鍵字：芯片，美光，DRAM

3D SiC技術(shù)閃耀全場(chǎng)，基本半導(dǎo)體參展PCIM Asia引關(guān)注

　　6月26日-28日，基本半導(dǎo)體成功參展PCIM?Asia 2018上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)?！　』景雽?dǎo)體展臺(tái)以充滿科技感和未來(lái)感的藍(lán)白為主色調(diào)，獨(dú)有的3D SiC?技術(shù)和自主研發(fā)的碳化硅功率器件吸引了眾多國(guó)內(nèi)外參展觀眾的眼球?！　∪颡?dú)創(chuàng)3D SiC?技術(shù)　　展會(huì)期間，基本半導(dǎo)體技術(shù)團(tuán)隊(duì)詳細(xì)介紹了公司獨(dú)創(chuàng)的3D SiC?外延技術(shù)，該技術(shù)能夠充分利用碳化硅的材料潛力，通過(guò)外延生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)取代離子注入，使碳化硅器件在高溫應(yīng)用中擁有更高的穩(wěn)定性。優(yōu)良的外延質(zhì)量和設(shè)計(jì)靈活性也有利于實(shí)現(xiàn)高電流密度的
關(guān)鍵字：基本半導(dǎo)體 3D SiC技術(shù) 碳化硅功率器件

紫光對(duì)3D NAND閃存芯片的戰(zhàn)略愿景

在“2018中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)年會(huì)暨IC中國(guó)峰會(huì)”上，紫光集團(tuán)有限公司董事長(zhǎng)趙偉國(guó)作了“自主可控的中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)崛起之路”報(bào)告，介紹了從2015年3月到2018年上半年的三年時(shí)間，紫光進(jìn)入3D NAND閃存芯片的思考與愿景。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 3D NAND 自主可控 201807

傳三星、SK海力士18nm DRAM出現(xiàn)良率問(wèn)題，市場(chǎng)價(jià)格增添變量

　　受惠于市場(chǎng)需求強(qiáng)力推升，服務(wù)器存儲(chǔ)器供應(yīng)持續(xù)吃緊，近來(lái)市場(chǎng)傳出，存儲(chǔ)器龍頭廠三星與海力士18nm制程出現(xiàn)良率問(wèn)題，應(yīng)用于高階服務(wù)器產(chǎn)品遭到退貨，包括美國(guó)及大陸廠商已要求暫時(shí)停止出貨。盡管三星對(duì)外刻意采取低調(diào)，但多家臺(tái)灣地區(qū)業(yè)者近日仍紛紛接獲消息，業(yè)界預(yù)計(jì)最快1~2個(gè)月左右應(yīng)可改善良率，但由于第3季DRAM價(jià)格預(yù)期將緩步上升，如今再受到高階DRAM產(chǎn)出供不應(yīng)求，將為下半年市場(chǎng)價(jià)格漲幅投下變量?！　「鶕?jù)市場(chǎng)消息傳出，三星及SK海力士先后于5月起傳出18nm制程出現(xiàn)質(zhì)量疑慮，并遭到數(shù)據(jù)中心客戶退貨，且在改善
關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM

DRAM漲價(jià)驅(qū)動(dòng)，全球服務(wù)器銷(xiāo)額增33%、高于銷(xiāo)量升幅

　　Gartner 6月11日公布，2018年第1季全球服務(wù)器銷(xiāo)售額年增33.4%至166.93億美元、出貨量年增17.3%?！　artner研究副總裁Jeffrey Hewitt指出，服務(wù)器市場(chǎng)是由超大規(guī)模(Hyperscale)數(shù)據(jù)中心以及企業(yè)與中型數(shù)據(jù)中心支出攀高所驅(qū)動(dòng)。他還提到，服務(wù)器第1季銷(xiāo)售均價(jià)上揚(yáng)的原因之一是DRAM價(jià)格因供給吃緊而走高。　　Gartner統(tǒng)計(jì)顯示，2018年第1季北美服務(wù)器銷(xiāo)售額、出貨量分別成長(zhǎng)34%、24.3%，亞太分別成長(zhǎng)47.8%、21.9%，歐洲、中東與非洲(EM
關(guān)鍵字： DRAM

中國(guó)存儲(chǔ)芯片要打破美日韓的壟斷局面尚需時(shí)間

　　受中美競(jìng)爭(zhēng)特別是中興事件的影響，國(guó)內(nèi)對(duì)芯片的重視程度被進(jìn)一步拔高，而在存儲(chǔ)芯片方面隨著三大存儲(chǔ)芯片企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫和福建晉華的快速推進(jìn)讓人看到中國(guó)存儲(chǔ)芯片企業(yè)有機(jī)會(huì)打破當(dāng)前由美日韓企業(yè)壟斷的局面，不過(guò)要打破這一局面還需要時(shí)間。　　美日韓壟斷存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)　　存儲(chǔ)芯片主要分為兩種，分別是DRAM和NAND flash，在我們?nèi)粘Ｒ?jiàn)到的產(chǎn)品中分別是PC用的DRAM內(nèi)存條和SSD硬盤(pán)，這兩類產(chǎn)品在各個(gè)行業(yè)都有廣泛的應(yīng)用，而且隨著各個(gè)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展這兩類產(chǎn)品的重要性正日益凸顯，這也導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片價(jià)格自2016年
關(guān)鍵字：芯片，DRAM

無(wú)錫SK海力士工廠突發(fā)火災(zāi)，DRAM又要漲價(jià)了？

SK海力士在無(wú)錫可謂多災(zāi)多難。2008年曾經(jīng)停電4個(gè)小時(shí)，2013年又發(fā)生重大火災(zāi)，都有大量晶圓報(bào)廢，對(duì)全球DRAM內(nèi)存、NAND閃存供應(yīng)造成重大影響。
關(guān)鍵字： SK海力士，DRAM

中國(guó)不滿DRAM漲太兇，傳代陸廠向三星、SK海力士殺價(jià)

　　韓國(guó)兩大存儲(chǔ)器廠三星、SK海力士傳被中國(guó)商務(wù)部旗下反壟斷主管機(jī)關(guān)約談，且被要求對(duì)中國(guó)科技廠調(diào)降存儲(chǔ)器售價(jià)。　　韓國(guó)媒體KoreaTimes.com報(bào)導(dǎo)，去年存儲(chǔ)器價(jià)格飛漲不停，大幅侵蝕中國(guó)智能手機(jī)、PC廠的利潤(rùn)，中國(guó)政府要求三星與SK海力士降價(jià)顯然為此而來(lái)。據(jù)統(tǒng)計(jì)，全球75%的DRAM供給掌握在三星、SK海力士的手里?！　≈袊?guó)政府找韓國(guó)存儲(chǔ)器雙雄的碴，背后還有其它動(dòng)機(jī)，推測(cè)應(yīng)該與技術(shù)交叉授權(quán)有關(guān)。熟知內(nèi)情的人士指出，盡管三星、SK海力士都在中國(guó)設(shè)廠，但產(chǎn)品采用的技術(shù)落后韓國(guó)廠至少兩個(gè)世代，且極少交叉授
關(guān)鍵字： DRAM 三星

DRAM/NAND存儲(chǔ)器需求持續(xù)增溫南亞科、旺宏業(yè)績(jī)看好

　　隨物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代來(lái)臨，數(shù)據(jù)中心、高速傳輸?shù)?G受重視，研調(diào)單位指出，協(xié)助運(yùn)算處理的DRAM與資訊儲(chǔ)存的NAND Flash等需求也持續(xù)增溫，南亞科(2408)日前表示，今年DRAM市場(chǎng)仍供不應(yīng)求，帶動(dòng)存儲(chǔ)器族群行情向上，旺宏(2337)在權(quán)證市場(chǎng)同受關(guān)注，昨(29)日登上成交金額之首?！　∧蟻喛谱蛉展蓛r(jià)雖然收小黑，小跌0.4%，收在98.9元(新臺(tái)幣，后同)，但獲外資逆勢(shì)敲進(jìn)逾2,000張，頗有逢低承接意味。　　南亞科今年首季每股盈余(EPS)達(dá)2.39元，隨著DRAM市場(chǎng)仍持續(xù)供不應(yīng)求，對(duì)今年整體營(yíng)運(yùn)表
關(guān)鍵字： DRAM NAND

中國(guó)不滿DRAM漲太兇，傳代陸廠向三星、SK海力士殺價(jià)

韓國(guó)兩大存儲(chǔ)器廠三星、SK海力士傳被中國(guó)商務(wù)部旗下反壟斷主管機(jī)關(guān)約談，且被要求對(duì)中國(guó)科技廠調(diào)降存儲(chǔ)器售價(jià)。
關(guān)鍵字： DRAM SK海力士

這一廣泛使用的器件中國(guó)技術(shù)不差，差距在于產(chǎn)業(yè)化

　　特朗普政府發(fā)起的貿(mào)易戰(zhàn)雖然收?qǐng)?，但這幾個(gè)月，人們開(kāi)始尋找中國(guó)可能被卡脖子的短板，中國(guó)大量進(jìn)口的IGBT也被挖了出來(lái)。有媒體就認(rèn)為，由于中國(guó)IGBT需要大量進(jìn)口，而這個(gè)產(chǎn)業(yè)又被西方國(guó)家把持，對(duì)于中國(guó)正在大力發(fā)展的高鐵和新能源汽車(chē)來(lái)說(shuō)是一個(gè)潛在的威脅。不過(guò)，在IGBT技術(shù)上，中國(guó)其實(shí)并不差，大量依賴進(jìn)口，并非技術(shù)水平不行。　　造成大量進(jìn)口國(guó)外產(chǎn)品的局面，只是因?yàn)樯虡I(yè)上和其他一些原因。　　IGBT市場(chǎng)基本被外商壟斷　　IGBT英文全稱是Insulated Gate Bipolar Transistor，也就
關(guān)鍵字： IGBT DRAM

韓、臺(tái)存儲(chǔ)器廠商瘋狂加碼DRAM產(chǎn)業(yè) 搶占最后的紅利期

　　長(zhǎng)期以來(lái)，我國(guó)的NAND閃存芯片和DRAM內(nèi)存芯片的需求幾乎全部靠進(jìn)口來(lái)解決，市場(chǎng)長(zhǎng)期被三星、SK海力士以及美光等存儲(chǔ)器巨頭所壟斷。　　以全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)前兩位的三星和SK海力士為例。數(shù)據(jù)顯示，三星的全球內(nèi)存市場(chǎng)占有率為46%，閃存市場(chǎng)占有率為39%。SK海力士的全球內(nèi)存市場(chǎng)占有率為29%，閃存市場(chǎng)占有率為15%。僅這兩家企業(yè)，就占據(jù)了全球75%的內(nèi)存市場(chǎng)以及閃存市場(chǎng)的半壁江山。如果再加上美光的市場(chǎng)份額，這三家企業(yè)的全球內(nèi)存市場(chǎng)份額之和達(dá)到了95%。　　毫無(wú)疑問(wèn)，現(xiàn)在存儲(chǔ)市場(chǎng)話語(yǔ)權(quán)仍被這幾
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 DRAM

在日美爭(zhēng)奪戰(zhàn)中起飛的韓國(guó)半導(dǎo)體

　　韓國(guó)政府與企業(yè)的相互配合　　1961年，樸正熙發(fā)動(dòng)軍事政變奪取政權(quán)，以反對(duì)政治貪腐為名趕走了李承晚，建立了威權(quán)體制。樸正熙上臺(tái)之初宣布要嚴(yán)懲“腐敗政治”，發(fā)布了一份包含11位企業(yè)家的名單，要以“發(fā)不義之財(cái)”的名義逮捕他們。　　排在首位的便是第一制糖(三星的前身)的會(huì)長(zhǎng)李秉喆。當(dāng)時(shí)，李秉喆滯留在日本，韓國(guó)政府遣人催促他回國(guó)，一番猶豫之后，李秉喆在日本開(kāi)了新聞發(fā)布會(huì)，宣布所有家產(chǎn)全部捐獻(xiàn)國(guó)家，之后返回韓國(guó)。　　當(dāng)時(shí)，樸正熙與李秉喆面談，作為有&l
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 DRAM

DRAM行業(yè)深度報(bào)告：期待國(guó)產(chǎn)產(chǎn)能釋放改變?nèi)蚬┙o格局

　　存儲(chǔ)器市場(chǎng)爆發(fā)，DRAM市場(chǎng)前景看好。2017年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)增長(zhǎng)率達(dá)到60%，首次超越邏輯電路，成為半導(dǎo)體第一大產(chǎn)品。DRAM繼續(xù)保持半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域市占率第一。DRAM廠商中，三星、SK海力士和美光均采用IDM模式繼續(xù)保持壟斷地位，合計(jì)市占率超過(guò)95%，國(guó)產(chǎn)廠商開(kāi)始積極布局，2018年將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，有望逐步改變當(dāng)前產(chǎn)業(yè)格局。DRAM消費(fèi)產(chǎn)品中，移動(dòng)終端、服務(wù)器和PC依舊占據(jù)頭三名，合計(jì)占比86%，未來(lái)將繼續(xù)拉動(dòng)DRAM消費(fèi)增長(zhǎng)。　　三星領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)明顯，傳統(tǒng)技術(shù)難以替代。三星于2017年開(kāi)始量產(chǎn)第二
關(guān)鍵字： DRAM 三星