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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d dram

“三足鼎立”的DRAM芯片市場是如何形成的？

  • DRAM芯片漲價不斷，三家壟斷企業(yè)賺翻了天，凈利潤高達50%以上，對于很多中小企業(yè)而言，它們也想改變DRAM市場的格局，很多國家想過通過“反壟斷”改變行業(yè)現(xiàn)狀，但仍舊無濟于事。
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DRAM內(nèi)存市場已經(jīng)為寡頭壟斷，時代變了，別再等漲跌循環(huán)了

  • 內(nèi)存漲價今年底也要到頭了，投行機構(gòu)也看衰內(nèi)存行業(yè)前景，認為明年內(nèi)存價格會跌，不過在內(nèi)存業(yè)內(nèi)廠商來看，內(nèi)存市場已經(jīng)變天了，已經(jīng)變成寡頭壟斷，不能再用以前的漲跌周期來看待了。
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紫光國微：公司DRAM芯片與三星有很大差距，DDR4仍是主流產(chǎn)品

  • 今年7月，三星宣布了8Gb LPDDR5內(nèi)存顆粒的正式量產(chǎn)。對此，有投資者在互動平臺上提問，這是否會對紫光國微的DDR4前景造成影響?
  • 關(guān)鍵字： 紫光國微，DRAM  

晶圓廠、DRAM和3D NAND投資驅(qū)動，中國晶圓代工產(chǎn)能將于2020年達到全球20%份額

  • 　　近日國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會SEMI公布了最新的中國集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)報告，報告顯示，中國前端晶圓廠產(chǎn)能今年將增長至全球半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能的16%，到2020年，這一份額將增加到20%。受跨國公司和國內(nèi)公司存儲和代工項目的推動，中國將在2020年的晶圓廠投資將以超過200億美元的支出，超越世界其他地區(qū)，占據(jù)首位?！　?014年中國成立大基金以來，促進了中國集成電路供應(yīng)鏈的迅速增長，目前已成為全球半導(dǎo)體進口最大的國家市場。SEMI指出，目前中國正在進行或計劃開展25個新的晶圓廠建設(shè)項目，代工廠、DRAM和3D
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今年全球半導(dǎo)體支出將首次突破1000億美元，內(nèi)存投資繼續(xù)瘋狂

  • 　　IC Insights預(yù)測，今年半導(dǎo)體資本支出總額將增至1020億美元，這是該行業(yè)年均支出總額首次超過1000億美元。今年1020億美元的支出水平比2017年的933億美元增長了9%，比2016年增長了38%。預(yù)計存儲器IC占2018年半導(dǎo)體支出的53%，其中，閃存占資本支出的份額最大，而DRAM資本支出今年將以最高的速度繼續(xù)增長?！　∪鐖D所示，超過一半的行業(yè)資本支出預(yù)計用于內(nèi)存尤其是DRAM和閃存生產(chǎn)，包括對現(xiàn)有晶圓廠產(chǎn)線和全新制作設(shè)施的升級?？偟膩碚f，預(yù)計今年內(nèi)存將占到半導(dǎo)體資本支出的53%，達到
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  DRAM  

STRATASYS推出碳纖維3D打印機滿足日益激增的碳纖維應(yīng)用需求

  • 隨著各行各業(yè)越來越多的公司開始使用復(fù)合材料，3D 打印和增材制造解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者Stratasys（Nasdaq：SSYS）正式發(fā)售價格實惠的碳纖維填充尼龍12材料專用增材制造系統(tǒng)。該工業(yè)級Fortus 380mc碳纖維3D打印機曾在今年3月首次亮相，目前已經(jīng)面向全球市場正式出貨，國內(nèi)售價53萬元人民幣（含稅）。
  • 關(guān)鍵字： Stratasys  3D 打印  碳纖維填充尼龍  

全球前15大半導(dǎo)體廠商排名：7家年增20%以上，中國大陸無一上榜

  • 　　8月20日，研究機構(gòu)ICInsights發(fā)布了2018年上半年全球半導(dǎo)體供應(yīng)商Top15榜單，三星位居第一位，英特爾位居第二位。不過遺憾的是，中國大陸暫時沒有公司進入這個榜單的前15名?！　「鶕?jù)發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，三星、英特爾、SK海力士、臺積電、鎂光排名榜單的前五位，相較于去年同期，這幾家公司都有比較明顯的增長，特別是三星、SK海力士以及鎂光，分列六至十五位的分別是博通、高通、東芝\東芝內(nèi)存、德州儀器、英偉達、西數(shù)\閃迪、英飛凌、恩智浦、意法半導(dǎo)體和聯(lián)發(fā)科。這里，英偉達數(shù)據(jù)最為搶眼，相較于去年同期，英偉
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盤點值得一看的未來新型電池技術(shù)

  • 顯然，我們不是第一次探討未來電池技術(shù)。在鋰電池?zé)o法獲得更大突破的情況下，科學(xué)家和技術(shù)人員紛紛著手研發(fā)新的電池技術(shù)，如石墨烯、鈉離子、有機電池
  • 關(guān)鍵字： 新型電池  3D  折疊  快速充電  

集邦咨詢：DRAM價格已近高點

  • 　　根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，2018年第二季由于供給吃緊情況延續(xù)，帶動整體DRAM報價走揚，DRAM總營收較上季成長11.3%，再創(chuàng)新高。除了圖像處理內(nèi)存(graphicDRAM)仍受惠于虛擬挖礦(cryptocurrency)需求的增溫，帶動價格有15%顯著上漲外，其余各應(yīng)用類別的內(nèi)存季漲幅約在3%左右?！　≌雇谌緝r格走勢，DRAMeXchange指出，PC-OEM廠已陸續(xù)在七月份議定合約價格。就一線大廠定價來看，均價已來到34.5美元，較前一季上漲約1.5%
  • 關(guān)鍵字： DRAM  美光  

新一輪手機漲價潮，供應(yīng)鏈和新技術(shù)要“背鍋”

  • 智能手機的漲價潮已然是一種普遍現(xiàn)象，Galaxy Note 9的定價邏輯或許只是新一輪漲價潮的開始，曾經(jīng)標(biāo)售1999元的旗艦機早已漸行漸遠。
  • 關(guān)鍵字： 手機  DRAM  

3D圖形芯片的算法原理是什么樣的？

  • 一、引言3D芯片的處理對象是多邊形表示的物體。用多邊形表示物體有兩個優(yōu)點：首先是直接(盡管繁瑣)，多邊形表示的物體其表面的分段線性特征除輪廓外可
  • 關(guān)鍵字： 3D  圖形芯片  算法原理  

第三季利基型DRAM價格持平，DDR3具成本優(yōu)勢短期仍為主流

  • 　　根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心最新調(diào)查，DRAM原廠已陸續(xù)與客戶談定7月份利基型內(nèi)存合約價，價格大致和6月相同。展望第三季，預(yù)期DDR4利基型內(nèi)存報價水平將較接近主流標(biāo)準(zhǔn)型與服務(wù)器內(nèi)存，因原廠可透過封裝打線形式的改變(bonding option)做產(chǎn)品類別更換。DDR3則呈現(xiàn)相對穩(wěn)健的供需結(jié)構(gòu)，報價預(yù)期沒有明顯變動。整體而言，第三季利基型內(nèi)存價格走勢預(yù)估將持平?！　DR3具成本優(yōu)勢，短期仍為利基型記內(nèi)存主流　　就產(chǎn)品應(yīng)用種類觀察，首先在利基型內(nèi)存需求大宗的電視，今年出貨量持穩(wěn)，約為2.157億臺。不過
  • 關(guān)鍵字： DRAM  DDR3  

閃存降價利好可持續(xù)至2019下半年,大容量高性能SSD普及進行時

  • 　　幾年前突然“大火”的存儲行情，給業(yè)界帶來的極大的沖擊。在 PC 市場衰退后本就不多的 DIY 用戶，要么咬牙買高價內(nèi)存(DRAM)和固態(tài)硬盤(SSD)、要么咬牙推遲或干脆直接放棄了裝機升級的計劃。當(dāng)然，市場也不是沒有好消息。據(jù)集邦咨詢(DRAMeXchange)所述，近期閃存降價的趨勢，有望持續(xù)到 2019 上半年。　　DRAMeXchange 報告稱，2018 年 3~4 季度，NAND 閃存的平均銷售價格，預(yù)計將下降 10% 。集邦認為，市場需求較低的情況下所增長的產(chǎn)能，是推動這一趨勢的主要原因。
  • 關(guān)鍵字： 閃存  DRAM  

IC Insights預(yù)測：全球IC增長和全球GDP增長關(guān)聯(lián)日益密切

  • 　　在最近發(fā)布的《麥克萊恩2018年中期報告》(McClean Report 2018)中，IC Insights預(yù)測，2018-2022年全球GDP和IC市場相關(guān)系數(shù)將達到0.95，高于2010-2017年期間的0.88。 IC Insights描述了從2010年到2017年全球GDP增長與IC市場增長之間日益密切的關(guān)聯(lián)，以及到2022年的最新預(yù)測?！　∪鐖D所示，在2010-2017年的時間段內(nèi)，全球GDP增長與IC市場增長的相關(guān)系數(shù)為0.88，這是一個強勁的數(shù)字，因為完全相關(guān)為1.0。在此期間之前的3
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

中國存儲三大陣營相繼試產(chǎn),兩年后或取得全球產(chǎn)業(yè)話語權(quán)

  • 　　今年下半年，隨著長江存儲、福建晉華、合肥長鑫國內(nèi)三大存儲廠商相繼進入試產(chǎn)階段，中國存儲產(chǎn)業(yè)將迎來發(fā)展的關(guān)鍵階段。業(yè)界認為，國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期雖難大舉撼動全球版圖，但或?qū)θ虼鎯κ袌鰞r格走勢造成影響。　　而隨著中美貿(mào)易局勢的緊張，以及中國監(jiān)管機構(gòu)正式啟動對三星、美光、SK海力士等存儲機構(gòu)的反壟斷調(diào)查，中國存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也愈發(fā)受到關(guān)注。　　目前，中國存儲器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注于移動式內(nèi)存的合肥長鑫，以及致力于利基型內(nèi)存的福建晉華三大陣營?！　〗趥鞒龊戏书L鑫投產(chǎn)8
  • 關(guān)鍵字： NAND  DRAM  
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3d dram介紹

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