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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d dram

全球硅片產(chǎn)業(yè)變遷的下一站是中國？

  • 作為IC晶圓生產(chǎn)直接的原材料，全球硅片行業(yè)經(jīng)歷了從6寸向12寸的迭代，同時生產(chǎn)中心由美國轉(zhuǎn)移到了日本。目前日本憑借半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分工帶來的機遇占據(jù)硅片行業(yè)50%以上份額，但......
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DRAM技術(shù)再一次實現(xiàn)突破，DDR6火速殺到：速度飛天

  • 　　據(jù)外媒消息，第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內(nèi)存即DDR6的研發(fā)，預(yù)期速率12Gb/s，也就是DDR6-12000。　　接受采訪時，SK海力士研發(fā)Fellow Kim Dong-kyun前瞻，DDR6將在5~6年內(nèi)發(fā)展起來?！　im Dong-kyun透露，“后DDR5”產(chǎn)品已經(jīng)有幾套技術(shù)概念成型，其中一套延續(xù)現(xiàn)有的數(shù)據(jù)傳輸規(guī)范，另一套則是將DRAM和CPU等片上系統(tǒng)的處理技術(shù)結(jié)合。　　資料顯示，去年11月，SK海力士宣布基于1Ynm工藝、開發(fā)出單顆容量16Gb(2GB)的DD
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莫大康：影響2019中國半導(dǎo)體業(yè)增長的三個關(guān)鍵因素

  • 業(yè)界都謹(jǐn)慎地觀察2019年中國半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展態(tài)勢，用呈”不確定性”，而一言以蔽之。本文擬從以下三個方面，包括2019年全球半導(dǎo)體業(yè)的弱勢;中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展由產(chǎn)能擴充階段轉(zhuǎn)向產(chǎn)品增長的攻堅戰(zhàn);以及在貿(mào)易戰(zhàn)下心理因素的影響等來初探2019年中國半導(dǎo)體業(yè)的增長。
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2019年全球Flash支出達(dá)260億美元　連續(xù)3年高于DRAM與晶圓代工支出

  • 盡管隨著主要存儲器業(yè)者已完成或即將完成Flash存儲器產(chǎn)量擴增計劃，2019年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出將會大幅下滑，但該支出金額仍然會繼續(xù)高于各業(yè)者在DRAM與晶圓代工業(yè)務(wù)上的支出?！　CInsights最新資料顯示，2016年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出金額為144億美元，低于同年晶圓代工業(yè)務(wù)資本支出金額的219億美元。　
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非易失性存儲器和易失性存儲器的對比

  • 　　非易失性存儲器技術(shù)是在關(guān)閉計算機或者突然性、意外性關(guān)閉計算機的時候數(shù)據(jù)不會丟失的技術(shù)。非易失性存儲器技術(shù)得到了快速發(fā)展，非易失性存儲器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。　　　　在很多的存儲系統(tǒng)的寫操作程序中，內(nèi)存作為控制器和硬盤之間的重要橋梁，提供更快速的性能，但是如果發(fā)生突然間斷電的情況，如何保護(hù)內(nèi)存中的數(shù)據(jù)不丟失，這是存儲系統(tǒng)中老生常談的議題。易失性存儲器就是在關(guān)閉計算機或者突然性、意外性關(guān)閉計算機的時候，里面的數(shù)據(jù)會丟失，就像內(nèi)存。非易失性存儲器在上面的情況下數(shù)據(jù)不會丟失，像硬盤等外存。RRAM是一
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2019年第一季DRAM合約價跌幅擴大至近20%

  • 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查，2018年12月正值歐美年節(jié)時期，DRAM成交量清淡，因此不列入合約價計算，意味著12月份合約價與11月份大致持平。主流模組8GB均價仍在60美元左右，而4GB約在30美元水位，但兩種模組的最低價分別已跌破60與30美元關(guān)卡。DRAMeXchange指出，2019年第一季合約價已于去年12月開始議定，綜合庫存過高、需求比原先預(yù)估更為疲弱，以及短中期經(jīng)濟展望不明朗等因素，買賣雙方已有8GB均價降至55美
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晉華、聯(lián)電被控竊取機密案開庭 美方多管齊下打擊中國內(nèi)存自主化進(jìn)程

  • 隨著中美談判嘗試結(jié)束貿(mào)易戰(zhàn)，對于兩國沖突的一個關(guān)鍵方面——針對涉嫌盜竊商業(yè)機密的刑事起訴，美國謀求新的策略來打擊中國實現(xiàn)內(nèi)存芯片量產(chǎn)的愿景。據(jù)外媒報道，當(dāng)?shù)貢r間本周三，福建晉華與其合作伙伴臺灣聯(lián)電被控竊取商業(yè)機密一案在舊金山聯(lián)邦法院審理，預(yù)計晉華和聯(lián)電將做無罪辯護(hù)。
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Gartner：三星2018年再度登頂全球半導(dǎo)體市場

  • 　　據(jù)BusinessKorea北京時間1月8日報道，受內(nèi)存行業(yè)的增長推動，去年全球半導(dǎo)體市場同比增長了13%。三星電子以15.9%的市場份額維持住了全球龍頭老大的位置;SK海力士排名第三(注)，營收同比增長38.2%，在行業(yè)前十大公司中增速最快?！　?jù)市場研究公司Gartner日前發(fā)布的2018年全球半導(dǎo)體市場初步報告顯示，全球半導(dǎo)體營收去年達(dá)4767億美元，同比增長13.4%。存儲芯片占半導(dǎo)體總營收的比重從2017年的31%上升至了2018年的34.8%，占比最大?！　∪请娮尤ツ甑陌雽?dǎo)體營收達(dá)759
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CES 2019：英特爾推出5G芯片 躋身無線基站

  • CES 2019展會上，英特爾宣布了因應(yīng)5G時代的“Snow Ridge”。此外，該公司還同時發(fā)布了10nm工藝的下代桌面和移動處理器Ice Lake、服務(wù)器處理器Ice Lake、Foveros 3D立體封裝處理器Lakefield。
  • 關(guān)鍵字： CES2019  5G芯片  Snow Ridge  Foveros 3D  

存儲器產(chǎn)業(yè)持續(xù)低迷，2019年如何破局？

  • DRAM內(nèi)存降價已是必然，內(nèi)存大廠也紛紛消減明年DRAM產(chǎn)能。不過這內(nèi)存漲的時候猛漲不止，降價的勢頭也同樣比預(yù)期更狠。與此同時，NAND Flash產(chǎn)能超出預(yù)期，以致市場供過于求，價格連續(xù)走跌。
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2018年三大手機創(chuàng)新技術(shù)：屏下指紋/前后雙屏/3D ToF

  • 2018年，手機廠商在圍繞提升屏占比、充電速度、拍照素質(zhì)等方面上都有不少突破和嘗試。衍生出滑蓋屏、水滴屏、打孔屏的設(shè)計，充電速度最高也提升到了50W、拍照則出現(xiàn)各種“超級夜景”，這些設(shè)計與創(chuàng)新為消費者提供了更多的選擇，但這些創(chuàng)新相比上述三種，它們出現(xiàn)并沒有讓消費者對手機的使用體驗有著超預(yù)期的提升，實用但并不令人心生向往。
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看看國外廠商正在發(fā)力研究的這些新技術(shù)

  • 　　每年十二月，在美國舊金山或華盛頓哥倫比亞特區(qū)其中一處舉行的年度電子會議。此會議作為一個論壇，在其中報告半導(dǎo)體、電子元件技術(shù)、設(shè)計、制造、物理與模型等領(lǐng)域中的技術(shù)突破。這個會會議就是IEEE國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting，縮寫：IEDM)　　在每一界的IEDM上，全球工業(yè)界與學(xué)界的管理者、工程師和科學(xué)家將會聚集在一起討論納米級CMOS晶體管技術(shù)、先進(jìn)內(nèi)存、顯示、感測器、微機電系統(tǒng)元件、新穎量子與納米級規(guī)模元件、粒子物理學(xué)現(xiàn)象、光電工程、
  • 關(guān)鍵字： DRAM  GAA-FET  

突破瓶頸，英特爾重塑數(shù)據(jù)中心存儲架構(gòu)

  • 2018年12月11日，以“智數(shù)據(jù)·創(chuàng)未來”為主題的2018中國存儲與數(shù)據(jù)峰會在北京拉開帷幕。作為中國數(shù)據(jù)與存儲行業(yè)頂級的交流平臺，本次峰會匯集了全球近百位來自產(chǎn)業(yè)界、學(xué)術(shù)界的專家，就數(shù)據(jù)洪流時代下，企業(yè)如何實施數(shù)據(jù)戰(zhàn)略、深挖數(shù)據(jù)價值，變數(shù)據(jù)資源為實現(xiàn)更廣泛商業(yè)價值的數(shù)據(jù)資產(chǎn)等話題展開深入探討。
  • 關(guān)鍵字： 數(shù)據(jù)  存儲  傲騰  QLC 3D NAND  

AI芯天下丨DRAM價格將持續(xù)下跌

  • 　　全球DRAM市場上，三星一家獨大，接著是SK Hynix及美光，這三家的DRAM份額占到了全球95%左右，而華亞科被美光全資收購之后，Nanya南亞科技也就變成全球第四大內(nèi)存芯片廠商了，雖然2.5%的份額跟前面三家公司20%—45%的份額相比是小巫見大巫?！　?　　DRAM連漲之后持續(xù)下跌　　在DRAM內(nèi)存漲價超過9個季度之后，內(nèi)存芯片價格終于在10月份大跌了一次，DRAMxChange稱10月份DRAM現(xiàn)貨價格跌了10%，預(yù)計2019年還會繼續(xù)跌20%。　　受此影響，全球第四大內(nèi)存芯片廠商南亞科
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DRAM降價將會比預(yù)期更猛，明年對于存儲器來說將是難熬的一年

  • 　　DRAM內(nèi)存降價已是必然，內(nèi)存大廠已紛紛消減明年DRAM產(chǎn)能。不過這內(nèi)存漲的時候猛漲不止，降的時候看來勢頭會比預(yù)期更狠。　　瑞銀分析師TimothyArcuri日前發(fā)布了關(guān)于內(nèi)存市場的分析報告，雖然維持美光公司的中性評級，但他下調(diào)了美光的目標(biāo)股價，從52美元砍至41美元。他不看好美光股價的原因就是明年Q1季度內(nèi)存降價幅度要高于預(yù)期，之前分析認(rèn)為明年環(huán)比下架10-12%左右，但是新的數(shù)據(jù)顯示明年Q1季度內(nèi)存價格降幅達(dá)到10-15%，而且NAND閃存價格也會降10-15%。　　此前，DRAMeXchang
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3d dram介紹

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