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三星電子以3D V-NAND主宰SSD版圖生態(tài)
- 2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場中的3D V-NAND占比達10%,為當初預期的3倍以上,預料到了2016年,占比將進一步提升至40%,三星電子(Samsung Electronics)將成市場最大贏家。 據(jù)韓媒Money Today報導,逐漸取代傳統(tǒng)硬碟(HDD)的SSD,發(fā)展重心開始愈來愈偏向3D V-NAND。三星2013年領先全球率先推出3D V-NAND后,目前仍然是唯一量產(chǎn)3D V-NAND業(yè)者。 據(jù)市調(diào)業(yè)者IHS iSuppli統(tǒng)計資料,如果以數(shù)量而言,2015年企業(yè)用SSD
- 關鍵字: 三星 V-NAND
平面架構1x納米NAND揭密!
- 過去的一年半以來,主要NAND快閃記憶體制造商已經(jīng)開始銷售1x奈米等級的平面快閃記憶體;根據(jù)我們調(diào)查開放市場上所銷售元件的供應來源,美光(Micron)是從2014年2月開始供應1x奈米元件的第一家記憶體廠商,隨后是在同年10月推出產(chǎn)品的SK海力士(Hynix)。在近六個月之后,TechInsights實驗室才出現(xiàn)三星(Samsung) 16奈米與東芝(Toshiba) 15奈米產(chǎn)品。 針對平面NAND快閃記憶體的微影尺寸終點,在文獻中已經(jīng)有很多討論;其替代方案是垂直堆疊式的快閃記憶體,例如三星
- 關鍵字: NAND SK海力士
蘋果要用?三星西安半導體工廠傳擴產(chǎn) 50%
- 南韓媒體中央日報日文版 19 日報導,因固態(tài)硬碟(SSD)需求提振 3D 架構的 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)需求呈現(xiàn)急速增長,故三星電子(Samsung)計劃把生產(chǎn) 3D NAND 的中國西安半導體工廠產(chǎn)量較現(xiàn)行擴增 50%。報導指出,據(jù)熟知三星事務的關系人士透露,目前三星西安工廠晶圓月產(chǎn)量為 4-5 萬片,而三星計劃于今年內(nèi)將其產(chǎn)量提高 5 成(增加 2 萬片)至 6-7 萬片。 據(jù) 報導,三星于去年 5 月開始量產(chǎn) 3D NAND,為目前唯一導入量產(chǎn)的廠商,且三星計劃
- 關鍵字: 三星 NAND
慧榮科技宣布SM2256 SATA 6Gb/s SSD控制器現(xiàn)支持Micron 128Gb 16nm TLC NAND閃存
- 在設計和推廣固態(tài)存儲設備專用NAND閃存控制器方面處于全球領導地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation)今日宣布旗下SM2256 SATA(6Gb/s)客戶端SSD控制器現(xiàn)支持Micron(鎂光)新推出的16nm 128Gb TLC NAND 閃存,有助實現(xiàn)優(yōu)異的性能和無可比擬的可靠性,成就新一代高性價比的TLC SSD產(chǎn)品。 SM2256是世界上首款支持Micron 16nm TLC NAND的SSD控制器,同時也是市場上性能最佳、成本最優(yōu)
- 關鍵字: NAND SM2256
Flash廠力推3D/TLC NAND 高密度/低成本SSD加速問世
- 固態(tài)硬碟(SSD)規(guī)格更吸睛。記憶體制造商擴大采用新型3D堆疊與三層式儲存(TLC)設計架構,讓NAND Flash晶片容量密度激增,且成本顯著下滑,吸引固態(tài)硬碟開發(fā)商大舉采納,用以打造兼具高儲存容量和價格優(yōu)勢的新產(chǎn)品。 固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點--價格將有顯著突破。NAND快閃記憶體(Flash Memory)大廠及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠,正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)快閃記憶體解決方案,并將于2015?2016年逐漸放量,協(xié)助SSD廠商開發(fā)
- 關鍵字: NAND SSD
Flash廠力推3D/TLC NAND 高密度/低成本SSD加速問世
- 固態(tài)硬碟(SSD)規(guī)格更吸睛。記憶體制造商擴大采用新型3D堆疊與三層式儲存(TLC)設計架構,讓NAND Flash晶片容量密度激增,且成本顯著下滑,吸引固態(tài)硬碟開發(fā)商大舉采納,用以打造兼具高儲存容量和價格優(yōu)勢的新產(chǎn)品。 固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點--價格將有顯著突破。NAND快閃記憶體(Flash Memory)大廠及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠,正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)快閃記憶體解決方案,并將于2015?2016年逐漸放量,協(xié)助SSD廠商開發(fā)
- 關鍵字: NAND SSD
分析師:NAND第三季可望擺脫供過于求
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查報告顯示,受到新款智慧型手機上市以及 2015年度蘋果(Apple)新款iPhone即將開始拉貨的影響,NAND Flash市況將逐漸增溫,預估在第三季擺脫供過于求,轉為供需較為平衡的格局。 從供給面來觀察,雖然各家NAND Flash廠商陸續(xù)宣布3D-NAND Flash的量產(chǎn)時程,但嵌入式產(chǎn)品應用仍須考量控制晶片的搭配,與各種系統(tǒng)端搭配的相容性問題,DRAMeXchange預估2015年3D-NAND Flash的產(chǎn)出比
- 關鍵字: TrendForce NAND
研調(diào):NAND Flash需求漸加溫,估Q3擺脫供過于求
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查報告顯示,受到新款智慧型手機上市以及今(2015)年度蘋果新款iPhone即將開始拉貨的影響,NAND Flash市況將逐漸增溫,預估在第三季將擺脫供過于求,轉為供需較為平衡的格局。 從供給面觀察,雖然各家NAND Flash廠商陸續(xù)宣布3D -NAND Flash的量產(chǎn)時程,但嵌入式產(chǎn)品應用仍須考量控制晶片的搭配,與各種系統(tǒng)端搭配的相容性問題,DRAMeXchange預估,2015年3D-NAND Flash的產(chǎn)出比重將僅
- 關鍵字: TrendForce NAND Flash
2016年3D V-NAND市場擴大10倍 三星拉大與后起業(yè)者差距
- 在存儲器芯片市場上,垂直堆疊結構的3D V-NAND Flash比重正迅速擴大,全球企業(yè)間的競爭也將漸趨激烈。 據(jù)韓國MT News報導,2016年前3D V-NAND市場規(guī)模預估將擴大10倍,而除目前獨占市場的三星電子(Samsung Electronics)外,也將有更多半導體廠加速生產(chǎn)V-NAND。三星獨大V-NAND市場,為拉大與后起業(yè)者的差距,生產(chǎn)產(chǎn)品將從目前的32層堆疊結構,增加到48層。 外電引用市調(diào)機構IHS iSuppli資料指出,以NAND Flash的技術分類,V-N
- 關鍵字: 三星 V-NAND
3D NAND/TLC Flash添力 SSD加速觸及價格甜蜜點
- 固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點--價格將有顯著突破。日、韓快閃記憶體(Flash)大廠及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠,正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)記憶體解決方案,并將于2015~2016年逐漸放量,協(xié)助SSD廠商開發(fā)價格媲美傳統(tǒng)硬碟的產(chǎn)品,驅(qū)動SSD在筆電、工控、企業(yè)端及消費性儲存市場出貨量翻揚。 慧榮科技產(chǎn)品企畫處副總經(jīng)理段喜亭表示,今年SSD總出貨量將較去年成長一倍以上,主要因素在于SSD開發(fā)商擴大導入低成本的3D NAND和TLC Flash,讓終
- 關鍵字: 3D NAND SSD
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