首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> cmos-ldo

國產(chǎn)CMOS傳感器能否攪動圖像傳感器市場的一池春水？

  • 國內(nèi)廠商要想在CMOS傳感器市場攪出點動靜來，沒有足夠的資金和規(guī)模這根“杠桿”是非常難的，一方面，要擁有雄厚的資金支持，另一方面，則是中國半導(dǎo)體行業(yè)的通病，小而散的布局，決定了廠商的規(guī)模不會很大。
  • 關(guān)鍵字： CMOS  圖像傳感器  

一文讀懂視覺傳感器的工作原理、應(yīng)用和選型

  • 　　視覺傳感技術(shù)是傳感技術(shù)七大類中的一個，視覺傳感器是指通過對攝像機拍攝到的圖像進行圖像處理，來計算對象物的特征量(面積、重心、長度、位置等)，并輸出數(shù)據(jù)和判斷結(jié)果的傳感器。視覺傳感器是整個機器視覺系統(tǒng)信息的直接來源，主要由一個或者兩個圖形傳感器組成，有時還要配以光投射器及其他輔助設(shè)備。視覺傳感器的主要功能是獲取足夠的機器視覺系統(tǒng)要處理的最原始圖像?！　∫曈X傳感的工作原理　　視覺源于生物界獲取外部環(huán)境信息的一種方式，是自然界生物獲取信息的最有效手段，是生物智能的核心組成之一。人類80%的信息都是依靠視覺獲
  • 關(guān)鍵字： 視覺傳感器  CMOS  CCD  

清華發(fā)布《AI芯片技術(shù)白皮書》：新計算范式，挑戰(zhàn)馮諾依曼、CMOS瓶頸

  • 通過《AI芯片技術(shù)白皮書》，可以清晰地看到人工智能芯片是人工智能產(chǎn)業(yè)和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)交叉融合的新節(jié)點，涉及多個學(xué)科、多個領(lǐng)域的理論和技術(shù)基礎(chǔ)，突顯對基礎(chǔ)扎實、創(chuàng)新能力強的人才的需求。
  • 關(guān)鍵字： AI  芯片  CMOS  

LDO基礎(chǔ)知識：噪聲 - 第2部分

  • 　　在我的上一篇博文LDO基礎(chǔ)知識：噪聲 – 第1部分中，我探討了如何減少輸出噪聲和控制壓擺率，方法是為參考電壓(CNR/SS)并聯(lián)一個電容器。在本篇博文中，我將討論降低輸出噪聲的另一種方法：使用前饋電容(CFF)?！　∈裁词乔梆侂娙?　　前饋電容是一個可選的頂容器，與電阻分壓器的上半部電阻并聯(lián)，如圖 1 所示?！　D 1：使用前饋電容的NMOS低壓差穩(wěn)壓器(LDO)　　與降噪電容(CNR/SS)相似，添加前饋電容具有多種效果。最主要的是降噪，還包括改進穩(wěn)定性、負荷響應(yīng)和電源抑制比(PSRR)。(應(yīng)用
  • 關(guān)鍵字： LDO  前饋電容  

LDO基礎(chǔ)知識：噪聲 - 第1部分

  • 　　在一篇LDO基礎(chǔ)知識博文中，我討論了使用低壓差穩(wěn)壓器(LDO)過濾因開關(guān)模式電源導(dǎo)致的紋波電壓。然而，這不是獲得凈化直流電源唯一要考慮的事情。因為LDO是電子設(shè)備，它們自身也會生成一定數(shù)量的噪聲。選擇使用低噪聲LDO和采取步驟減少內(nèi)部噪聲，都可以在不損害系統(tǒng)性能的同時形成凈化電源軌的不可分割的措施?！　∽R別噪聲　　理想的LDO具備沒有交流元件的電壓軌。但缺點在于LDO會和其他電子設(shè)備一樣生成本體噪聲。圖 1 顯示了這種噪聲在時間域中的表現(xiàn)?！　≡跁r間域中進行分析是困難的。因此，有兩個主要方法來檢驗噪聲
  • 關(guān)鍵字： LDO  TPS7A91  

LDO設(shè)計中的盲區(qū)：負載調(diào)整率

  • 　　傳統(tǒng)的DC-DC一般要求輸入輸出的壓差在2～3V以上，隨著時代的發(fā)展，這樣的條件已經(jīng)不能滿足實際應(yīng)用的需要。例如在無線通信領(lǐng)域，GPRS模塊常用到的電壓是4V，經(jīng)常是通過5V轉(zhuǎn)換而來，輸入輸出的壓差需低至1V。針對這樣的情況，于是LDO(Low dropout regulator)應(yīng)運而生?！　∠鄬C-DC而言，LDO的優(yōu)點是噪音低，靜態(tài)電流小。很多DC-DC在外圍電路里還需要有電感和續(xù)流二極管，而LDO的典型電路非常簡單，很多LDO只需在輸入端及輸出端各接一顆旁路電容就能夠穩(wěn)定工作，對于節(jié)省P
  • 關(guān)鍵字： LDO  DC-DC  

CMOS快被取代？英特爾將采用MESO降低10倍功耗

  • 　　目前，現(xiàn)有的CMOS半導(dǎo)體工藝正在逐步逼近物理極限，因而提高性能、降低功耗都并非易事。未來十年的計算時代中，CMOS工藝很有可能被新技術(shù)取代?！　〗?，英特爾聯(lián)合加州大學(xué)伯克利分校的研究人員開發(fā)了一種新的MESO(磁電自旋軌道)邏輯器件，這種常溫量子材質(zhì)制造的設(shè)備可以將芯片工作電壓從3V減少到500mv，減少5倍，能耗降低10-30倍，而且運行速度也是CMOS工藝的5倍?！　∵@項技術(shù)是英特爾、加州大學(xué)伯克利分校合作的，論文已經(jīng)發(fā)表在《自然》雜志上，它所用的MESO是一種鉍，鐵和氧(BiFeO3)組成的
  • 關(guān)鍵字： CMOS，MESO  

芯片尺寸縮小五倍！英特爾新技術(shù)設(shè)想10年內(nèi)取代CMOS

  • 　　12月4日，英特爾在一項名為“自旋電子學(xué)”的技術(shù)領(lǐng)域取得了進展，未來芯片尺寸可縮小5倍，能耗最多可降低30倍?！　∮⑻貭柡图又荽髮W(xué)伯克利分校的研究人員展示了他們的“自旋電子學(xué)”方面的研究進展，這項新技術(shù)可以將未來的芯片尺寸縮小到目前的五分之一，能耗將降低10到30倍?！　∫恢币詠?，芯片都依賴著CMOS技術(shù)，但隨著元器件尺寸不斷接近原子級別大小，芯片的發(fā)展也遇到瓶頸。　　英特爾的這項研究是一種名為“磁電自旋軌道”(MESO)的邏輯元件，利用了多鐵性材料的自旋性質(zhì)，使用氧、鉍和鐵原子的晶格，提供有利的電磁
  • 關(guān)鍵字： 芯片  CMOS  

什么是積分噪聲？第二部分

  • 　　先前在博客《什么是LDO噪聲?第一部分》中，我們談到了什么是噪聲、如何分類，并介紹了安森美半導(dǎo)體提供的超低噪聲低壓降穩(wěn)壓器。今天，我們將進一步詳細談?wù)勈裁词欠e分噪聲?！　》e分噪聲值由噪聲譜密度函數(shù)的積分導(dǎo)出。然而，用函數(shù)表示任何一條曲線并將其積分非常復(fù)雜。將測量曲線分割成小部分更容易。如果每部分的頻差fn+1 – fn趨于0，則所有貢獻之和等于函數(shù)的積分?！　≡趯嶋H測量中，實現(xiàn)fn+1 – fn的零頻差是不可能的，但有可能使其接近于零。噪聲譜密度測量有多個點，使我們能夠獲得較好精度的積分噪聲和檢測振蕩
  • 關(guān)鍵字： 積分噪聲  LDO  

三星大舉進攻車用半導(dǎo)體 押寶SoC和CMOS圖像傳感器

  • 隨著電池、半導(dǎo)體、通信和其他支持技術(shù)的發(fā)展，這些舉措已經(jīng)成為可能，這些技術(shù)正帶來2000億美元以上的汽車電子市場的新增長。
  • 關(guān)鍵字： 三星  SoC  CMOS  圖像傳感器  

CMOS圖像傳感器產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀 國產(chǎn)幾近于無

  • 　　2017年，CMOS圖像傳感器(CMOS Image Sensor，CIS)市場規(guī)模為139億美元，Yole預(yù)計未來五年的復(fù)合年增長率(CAGR)為9.4%。這主要受益于幾乎各種應(yīng)用領(lǐng)域的CMOS圖像傳感器市場都出現(xiàn)了顯著增長，尤其是手機領(lǐng)域，同比增長高達20%!　　2016年和2017年CMOS圖像傳感器市場(按照應(yīng)用領(lǐng)域細分)　　CMOS圖像傳感器產(chǎn)業(yè)從占據(jù)42%市場份額的全球龍頭企業(yè)——索尼(Sony)的運營復(fù)蘇中獲益，以較高的增長速度發(fā)展，并已成為半導(dǎo)體行業(yè)中關(guān)鍵的組成部分!行業(yè)領(lǐng)先者三星(S
  • 關(guān)鍵字： CMOS  圖像傳感器  

自動駕駛核心CMOS圖像傳感器誰是一哥？

  • 　　毫無疑問，日漸火熱的自動駕駛技術(shù)將成為過去50年來最具影響力的技術(shù)之一。自動駕駛的實現(xiàn)，能夠挽救數(shù)百萬人的生命，釋放無數(shù)耗費在駕駛中的時間，并有望緩解擾人的交通擁堵。盡管目前還沒有實現(xiàn)真正的自動駕駛，但是，任何新的、有意義的進展，都在為我們描繪那個值得期待的未來?！　‘?dāng)我們談及自動駕駛領(lǐng)域的知名廠商時，可能會率先想到特斯拉(Tesla)、英偉達(NVIDIA)、甚至是英特爾(Intel)的Mobileye等曝光度較高的名字。但是，這個領(lǐng)域還有一家值得關(guān)注的企業(yè)，正通過積極的布局和穩(wěn)健的成長，或?qū)⒃诓贿h
  • 關(guān)鍵字： CMOS  圖像傳感器  安森美  

一種高精度帶隙基準電壓源電路設(shè)計

  • 摘要：針對傳統(tǒng)CMOS帶隙電壓基準源電路電源電壓較高，基準電壓輸出范圍有限等問題，通過增加啟動電路，并采用共源共柵結(jié)構(gòu)的PTAT電流產(chǎn)生電路，設(shè)計了一種高精度、低溫漂、與電源無關(guān)的具有穩(wěn)定電壓輸出特性的帶隙電
  • 關(guān)鍵字： 帶隙基準電壓源  溫度系數(shù)  共源共柵  CMOS  

智能手機AI技術(shù)賦能 CMOS市場迎來“新變局”

  • 作為攝像頭模組中的一大關(guān)鍵零組件，CIS(CMOS圖像傳感器)的應(yīng)用及市場也迎來了新一波的“熱浪”，加速智能手機產(chǎn)業(yè)“去偽存真”。
  • 關(guān)鍵字： AI  CMOS  

三星CMOS芯片大漲20%，OV受益索尼“背鍋”

  • 　　半導(dǎo)體元器件缺貨漲價潮正持續(xù)蔓延。繼MLCC、MOSFET等元器件缺貨漲價之后，手機攝像頭的關(guān)鍵器件——CMOS圖像傳感器(CIS)也頻傳供貨緊缺，開始漲價?！　I(yè)內(nèi)人士向集微網(wǎng)透露，今年下半年以來，三星、OminiVison(以下簡稱“OV”)的CMOS芯片供貨緊張，部分型號的產(chǎn)品產(chǎn)能緊缺，供不應(yīng)求?！　」?yīng)鏈廠商向集微網(wǎng)記者透露，目前三星已經(jīng)正式向其代理商發(fā)布漲價通知，從8月份開始，三星CMOS芯片價格漲幅5-20%，現(xiàn)已開始執(zhí)行。　　CMOS芯片為什么會缺貨?　　眾所周知，全球CMOS傳感器(C
  • 關(guān)鍵字： 三星  CMOS  芯片  
共1184條 7/79 |‹ « 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 » ›|

cmos-ldo介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條cmos-ldo!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對cmos-ldo的理解，并與今后在此搜索cmos-ldo的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473