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imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構(gòu)

  • 比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數(shù)值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數(shù)值孔徑0.55的極紫外光曝光機(jī)，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結(jié)構(gòu)。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機(jī)邏輯結(jié)構(gòu)、中心間距為30納米的隨機(jī)通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）專用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進(jìn)圖形化研究計劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過這些研究成果，imec證實該微影技術(shù)的生態(tài)系
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價值3.83億美元！Intel拿下全球第二臺High NA EUV光刻機(jī)

  • 8月6日消息，在近日的財報電話會議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機(jī)）。High NA EUV光刻機(jī)是目前世界上最先進(jìn)的芯片制造設(shè)備之一，其分辨率達(dá)到8納米，能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能，是實現(xiàn)2nm以下先進(jìn)制程大規(guī)模量產(chǎn)的必備武器。帕特·基辛格表示，第二臺High NA設(shè)備即將進(jìn)入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠，預(yù)計將支持公司新一代更強(qiáng)大的計算機(jī)芯片的生產(chǎn)。此前，Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻
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ASML第二臺High-NA設(shè)備，即將導(dǎo)入英特爾奧勒岡廠

  • 英特爾正接收ASML第二臺耗資3.5億歐元（約3.83億美元）的新High NA EUV設(shè)備。根據(jù)英特爾8/1財報電話會議紀(jì)錄，CEO Pat Gelsinger表示，英特爾12月開始接收第一臺大型設(shè)備，安裝時間需要數(shù)月，預(yù)計可帶來新一代更強(qiáng)大的電腦英文。Gelsinger在電話中指出，第二臺High NA設(shè)備即將進(jìn)入在奧勒岡州的廠房。由于英特爾財報會議后股價表現(xiàn)不佳，因此這番話并未引起注意。ASML高階主管7月曾表示，該公司已開始出貨第二臺High NA設(shè)備給一位未具名客戶，今年只記錄第一臺的收入。不過
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ASML或?qū)yper-NA EUV光刻機(jī)定價翻倍，讓臺積電、三星和英特爾猶豫不決

  • ASML去年末向英特爾交付了業(yè)界首臺High-NA EUV光刻機(jī)，業(yè)界準(zhǔn)備從EUV邁入High-NA EUV時代。不過ASML已經(jīng)開始對下一代Hyper-NA EUV技術(shù)進(jìn)行研究，尋找合適的解決方案，計劃在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻機(jī)。據(jù)Trendforce報道，Hyper-NA EUV光刻機(jī)的價格預(yù)計達(dá)到驚人的7.24億美元，甚至可能會更高。目前每臺EUV光刻機(jī)的價格約為1.81億美元，High-NA EUV光刻機(jī)的價格大概為3.8億美元，是EUV光刻機(jī)的兩倍多
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臺積電CEO秘訪ASML，High-NA EUV光刻機(jī)競賽提前打響？

  • 5月26日，臺積電舉辦“2024年技術(shù)論壇臺北站”的活動，臺積電CEO魏哲家罕見的沒有出席，原因是其秘密前往荷蘭訪問位于埃因霍溫的ASML總部，以及位于德國迪琴根的工業(yè)激光專業(yè)公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源設(shè)備供應(yīng)商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通過社交媒體透露了魏哲家秘密出訪的行蹤。Christophe Fouquet表示他們向魏哲家介紹了最新的技術(shù)和新產(chǎn)品，包括High-NA EUV設(shè)備將如何實現(xiàn)未來
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High-NA EUV光刻機(jī)或?qū)⒊蔀橛⑻貭柕霓D(zhuǎn)機(jī)

  • 上個月英特爾晶圓代工宣布完成了業(yè)界首臺High-NA EUV光刻機(jī)組裝工作。隨后開始在Fab D1X進(jìn)行校準(zhǔn)步驟，為未來工藝路線圖的生產(chǎn)做好準(zhǔn)備。
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High-NA EUV光刻機(jī)入場，究竟有多強(qiáng)？

  • 光刻機(jī)一直是半導(dǎo)體領(lǐng)域的一個熱門話題。從早期的深紫外光刻機(jī)（DUV）起步，其穩(wěn)定可靠的性能為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅實基礎(chǔ)；再到后來的極紫外光刻機(jī)（EUV）以其獨特的極紫外光源和更短的波長，成功將光刻精度推向了新的高度；再到如今的高數(shù)值孔徑光刻機(jī)（High-NA）正式登上歷史舞臺，進(jìn)一步提升了光刻的精度和效率，為制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官網(wǎng)顯示，其組裝了兩個 TWINSCAN EXE:5000 高數(shù)值孔徑光刻系統(tǒng)。其中一個由 ASM 與 imec 合作開發(fā)，將于 2024 年安裝在 A
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ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機(jī)引入部分 High-NA 機(jī)型技術(shù)

  • 3 月 27 日消息，據(jù)荷蘭媒體 Bits&Chips 報道，ASML 官方確認(rèn)新款 0.33NA EUV 光刻機(jī) ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機(jī)的技術(shù)，運(yùn)行效率得以提升。根據(jù)IT之家之前報道，NXE:3800E 光刻機(jī)已于本月完成安裝，可實現(xiàn) 195 片晶圓的每小時吞吐量，相較以往機(jī)型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術(shù) High-NA（高數(shù)值孔徑） EUV 采用了更寬的光錐，這意味著其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬，會導(dǎo)致影響晶圓吞吐量的光損失。
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英特爾是否正在壟斷ASML HIGH NA光刻機(jī)？

英特爾拿下首套High-NA EUV，臺積電如何應(yīng)對？

  • 英特爾（intel）近日宣布，已經(jīng)接收市場首套具有0.55數(shù)值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機(jī)，預(yù)計在未來兩到三年內(nèi)用于 intel 18A 工藝技術(shù)之后的制程節(jié)點。 相較之下，臺積電則采取更加謹(jǐn)慎的策略，業(yè)界預(yù)計臺積電可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才會采用High-NA EUV光刻機(jī)。業(yè)界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，這也是臺積電暫時觀望的原因，臺積電更傾向于采用成本更低的成熟技術(shù)，以確保產(chǎn)品競爭力。Hig
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ASML：數(shù)值孔徑0.75超高NA EUV光刻設(shè)備2030年登場

  • 據(jù)日本媒體報導(dǎo)，光刻機(jī)設(shè)備龍頭阿斯麥（ASML）執(zhí)行副總裁Christophe Fouquet近日在比利時imec年度盛會ITF World 2023表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需要2030年開發(fā)數(shù)值孔徑0.75的超高NA EUV光刻技術(shù)，滿足半導(dǎo)體發(fā)展。Christophe Fouquet表示，自2010年以來EUV技術(shù)越來越成熟，半導(dǎo)體制程微縮至2020年前后三年，以超過50%幅度前進(jìn)，不過速度可能會在2030年放緩。故ASML計劃年底前發(fā)表首臺商用High-NA（NA=0.55）EUV微影曝光設(shè)備（原型制作），
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SK海力士引領(lǐng)High-k/Metal Gate工藝變革

  • 由于傳統(tǒng)微縮(scaling)技術(shù)系統(tǒng)的限制，DRAM的性能被要求不斷提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過采用該新技術(shù)，并將其應(yīng)用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率設(shè)置下也實現(xiàn)了晶體管性能的顯著提高。本文針對HKMG及其使用益處進(jìn)行探討。厚度挑戰(zhàn): 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲數(shù)據(jù)的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復(fù)數(shù)據(jù)的核心晶體管(Core Tr
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可穿戴與IoT用DC/DC：如何實現(xiàn)納安級消耗電流？ 　

  • 可穿戴等市場發(fā)展快。DC/DC轉(zhuǎn)換器成為影響這些產(chǎn)品電池壽命的重要器件。ROHM的BD70522GUL超輕載消耗電流只有180 nA，通過電路、布局和工藝實現(xiàn)。
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High-end A4監(jiān)聽音箱的制作

  • 一、設(shè)計及制作由于普通家庭室.內(nèi)空間不夠?qū)挸?，要求音箱做得盡可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點f3有以下關(guān)系：no=knmiddot;f33middot;VB上式中，kn是箱體系
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High-end A4監(jiān)聽音箱的制作方法

  • 一、設(shè)計及制作由于普通家庭室.內(nèi)空間不夠?qū)挸?，要求音箱做得盡可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點f3有以下關(guān)系：no=knmiddot;f33middot;VB上式中，kn是箱體系
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