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EEPW首頁 >> 主題列表 >> igbt 7

三個(gè)將造成IGBT損壞的低級操作錯(cuò)誤

  • 熟悉IGBT的朋友都知道，IGBT的內(nèi)部主要是MOS結(jié)構(gòu)。這就意味著IGBT對于靜電非常敏感，在使用過程中稍有不當(dāng)就可能造成IGBT的損壞。那么在使用IGBT時(shí)，需
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解讀電動汽車逆變器用IGBT驅(qū)動電源設(shè)計(jì)及可用性測試

  • 電動汽車逆變器用于控制汽車主電機(jī)為汽車運(yùn)行提供動力，IGBT功率模塊是電動汽車逆變器的核心功率器件，其驅(qū)動電路是發(fā)揮IGBT性能的關(guān)鍵電路。驅(qū)動電路
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一顆IGBT如何撬動電動汽車逆變器？

  • 電動汽車逆變器用于控制汽車主電機(jī)為汽車運(yùn)行提供動力，IGBT功率模塊是電動汽車逆變器的核心功率器件，其驅(qū)動電路是發(fā)揮IGBT性能的關(guān)鍵電路。驅(qū)動電路
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IGBT的特點(diǎn)、應(yīng)用及未來的研究方向

  • 　　近年來，IGBT被廣泛關(guān)注，隨著技術(shù)的發(fā)展，其應(yīng)用前景被廣泛看好，作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)IGBT，在很多領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。 　　什么是IGBT? 　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓
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IGBT掃盲文，IGBT基礎(chǔ)與運(yùn)用知識學(xué)習(xí)

  • 　　IGBT基礎(chǔ)與運(yùn)用　　IGBT， 中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快 的特點(diǎn)(控制和響應(yīng))，又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)(功率級較為耐用)，頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內(nèi)?！　±硐氲刃щ娐放c實(shí)際等效電路如圖所示：　　IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到，暫時(shí)不用考慮，重點(diǎn)考慮動態(tài)特性(開關(guān)特性)?！　討B(tài)特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取
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五大領(lǐng)域齊發(fā)力 三菱電機(jī)創(chuàng)新產(chǎn)品持續(xù)搶占市場新高地

  • 　　隨著功率半導(dǎo)體的不斷發(fā)展和技術(shù)進(jìn)步，功率器件下游產(chǎn)業(yè)的穩(wěn)步擴(kuò)張，未來在政策資金支持以及國內(nèi)新能源汽車的蓬勃發(fā)展下，國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來黃金發(fā)展期?！　?月26日，PCIM 亞洲 2018展會在上海世博展覽館隆重舉行。作為全球500強(qiáng)企業(yè)，同時(shí)也是現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件的開拓者，大中國區(qū)三菱電機(jī)半導(dǎo)體攜多款功率器件產(chǎn)品及相關(guān)解決方案亮相，同時(shí)發(fā)布了更高集成度、更小體積、更能降低生產(chǎn)成本，并擁有全面保護(hù)功能的表面貼裝型IPM，以及助力新能源發(fā)電應(yīng)用新封裝大功率IGBT模塊兩款最新產(chǎn)品?！　?圖一：2018
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發(fā)力新能源汽車市場 華虹宏力榮膺功率半導(dǎo)體十佳企業(yè)

  • 　　《“十三五”國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》明確表示國家將大力發(fā)展新能源汽車，而IGBT、碳化硅器件等作為新能源汽車的核心器件，國產(chǎn)化替代需求巨大。6月22日，“2018國際新能源汽車功率半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)論壇”在北京舉行，旨在把行業(yè)最優(yōu)的核心器件推廣至新能源汽車應(yīng)用。作為全球第一家提供溝槽型場截止型(Trench FS, Field Stop)IGBT量產(chǎn)技術(shù)的8英寸代工廠，華虹宏力在IGBT代工領(lǐng)域有口皆碑，始終以深厚的技術(shù)底蘊(yùn)和卓越的性能品質(zhì)深受客戶認(rèn)可，會上被授予“新能源汽車功率半導(dǎo)體十佳企業(yè)”。　　
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英飛凌將在 PCIM Asia 2018 展示面向整個(gè)電能供應(yīng)鏈的前沿技術(shù)和解決方案

  • 　　英飛凌科技(中國)有限公司(以下簡稱英飛凌)將于6月26 - 28日參加在上海世博展覽館舉辦的 PCIM Asia上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會。英飛凌將在2號館的F 01展臺，展示涵蓋整個(gè)電能供應(yīng)鏈的領(lǐng)先產(chǎn)品和全套系統(tǒng)及應(yīng)用解決方案。此外，英飛凌的技術(shù)專家還將就產(chǎn)品和應(yīng)用發(fā)表多篇論文，并在同期的國際研討會上進(jìn)行交流。　　從前沿的硅基 MOSFET 和 IGBT 到數(shù)字化功率創(chuàng)新，以及最新的碳化硅和氮化鎵技術(shù)，英飛凌芯片對于提高發(fā)電、輸電和用電效率起著至關(guān)重要的作用。此次，英飛凌將圍繞“賦能世
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超軟IGBT續(xù)流二極管具備行業(yè)領(lǐng)先的低損耗特性

  • 　　英飛凌科技Bipolar GmbH & Co. KG推出專為現(xiàn)代IGBT應(yīng)用而設(shè)計(jì)的新型二極管系列：英飛凌Prime Soft。該二極管具備改進(jìn)的關(guān)斷能力，關(guān)斷速度可達(dá)5 kA/μs。Prime Soft以廣受好評的基于單硅芯片設(shè)計(jì)的IGCT續(xù)流二極管系列為基礎(chǔ)。該二極管的典型應(yīng)用為使用電壓源變換器的HVDC/FACT和中壓驅(qū)動設(shè)備，這些應(yīng)用的特點(diǎn)是對功率損耗的要求很高?！　〔捎眯滦蚉rime Soft二極管的客戶將受益于行業(yè)領(lǐng)先的低導(dǎo)通損耗。這是通過單硅芯片設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的，與多芯片二極管相比，其
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創(chuàng)新和更迭 揭秘三菱電機(jī)半導(dǎo)體新品

  • 　　自上世紀(jì)八十年代后期推出IGBT模塊后，三菱電機(jī)至今已成功將第七代IGBT模塊推向市場。在持續(xù)性和創(chuàng)造性的研發(fā)下，三菱電機(jī)在變頻家電、工業(yè)新能源、電動汽車、軌道牽引四大領(lǐng)域不斷深耕，致力于提供低損耗、高性能和高可靠性的產(chǎn)品?！　∫荒暌欢鹊腜CIM亞洲展今年將于6月26-28日在上海世博展覽館舉辦，屆時(shí)，三菱電機(jī)將攜19款功率模塊將集體亮相，而其中有7款新型功率模塊備受期待。(三菱電機(jī)展位號：D09)　　在變頻家電領(lǐng)域，三菱電機(jī)成功發(fā)布面向變頻冰箱和風(fēng)機(jī)驅(qū)動的SLIMDIP-S以及面向變頻空調(diào)和洗衣機(jī)的
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在低功率壓縮機(jī)驅(qū)動電路內(nèi)，意法半導(dǎo)體最新超結(jié)MOSFET與IGBT技術(shù)能效比較

  • 　　摘要　　電機(jī)驅(qū)動市場特別是家電市場對系統(tǒng)的能效、尺寸和穩(wěn)健性的要求越來越高?！　闈M足市場需求，意法半導(dǎo)體針對不同的工況提供多種功率開關(guān)技術(shù)，例如， IGBT和最新的超結(jié)功率MOSFET?！　”疚脑趯?shí)際工況下的一個(gè)低功耗電機(jī)驅(qū)動電路(例如，小功率冰箱壓縮機(jī))內(nèi)測試了基于這兩種功率技術(shù)的SLLIMM?-nano(小型低損耗智能模壓模塊)，從電熱性能兩個(gè)方面對這兩項(xiàng)技術(shù)進(jìn)行了詳細(xì)的分析和比較?！　?前言　　家電廠商不斷地尋求更高的產(chǎn)品能效，以符合日益趨嚴(yán)的能效法規(guī)，達(dá)到降低能耗和節(jié)省電費(fèi)的目的。更具體地講
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汽車芯片完全自主化難實(shí)現(xiàn)，從周邊蠶食是突破口

  • 目前全球三分之一的汽車在中國制造，但令人尷尬的現(xiàn)狀是，整車中幾乎所有的芯片都要依賴進(jìn)口。從自主、可控、安全角度來看，汽車主控國產(chǎn)化同樣緊迫。
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650V IGBT采用表面貼裝D2PAK封裝實(shí)現(xiàn)最大功率密度

  • 　　英飛凌科技股份公司進(jìn)一步壯大其薄晶圓技術(shù)TRENCHSTOP?5 IGBT產(chǎn)品陣容。新的產(chǎn)品家族可提供最高40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3(亦稱D2PAK)封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對功率密度日益增長的需求，適于使用自動化表面貼裝生產(chǎn)線。要求最大功率密度和能效的典型應(yīng)用包括太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、電池充電和蓄電等?！　∮w凌的超薄TRENCHSTOP 5技術(shù)可以縮小芯片尺寸、提高
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這一廣泛使用的器件中國技術(shù)不差，差距在于產(chǎn)業(yè)化

  • 　　特朗普政府發(fā)起的貿(mào)易戰(zhàn)雖然收場，但這幾個(gè)月，人們開始尋找中國可能被卡脖子的短板，中國大量進(jìn)口的IGBT也被挖了出來。有媒體就認(rèn)為，由于中國IGBT需要大量進(jìn)口，而這個(gè)產(chǎn)業(yè)又被西方國家把持，對于中國正在大力發(fā)展的高鐵和新能源汽車來說是一個(gè)潛在的威脅。不過，在IGBT技術(shù)上，中國其實(shí)并不差，大量依賴進(jìn)口，并非技術(shù)水平不行?！　≡斐纱罅窟M(jìn)口國外產(chǎn)品的局面，只是因?yàn)樯虡I(yè)上和其他一些原因?！　GBT市場基本被外商壟斷　　IGBT英文全稱是Insulated Gate Bipolar Transistor，也就
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青銅劍科技獲得中車時(shí)代投資的戰(zhàn)略投資

  • 　　2018年5月17日，中國中車旗下中車時(shí)代投資與青銅劍科技在湖南株洲簽署了戰(zhàn)略投資協(xié)議?！　≈熊嚂r(shí)代投資董事長王鵬博士、副總經(jīng)理潘藝、投資管理部部長陽燦與青銅劍科技董事長汪之涵博士、研發(fā)總監(jiān)黃輝、營銷總監(jiān)陳恒星出席了簽約儀式。　　弘揚(yáng)中國制造，鑄就民族品牌，堅(jiān)持自主創(chuàng)新是中國中車和青銅劍科技的共同話題和重要紐帶。此次戰(zhàn)略投資的達(dá)成，表明了中國中車對青銅劍科技在電力電子核心芯片與器件領(lǐng)域創(chuàng)新能力的認(rèn)可?！　≈袊熊囀侨蛞?guī)模領(lǐng)先、品種齊全、技術(shù)一流的軌道交通裝備供應(yīng)商，具有強(qiáng)大的技術(shù)研發(fā)能力和科技創(chuàng)新能
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