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Kilopass憑借其革命性的VLT技術(shù)改變DRAM產(chǎn)業(yè)格局

  • 　　半導(dǎo)體嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(eNVM)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)產(chǎn)品領(lǐng)先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布：推出其革命性的垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術(shù)，進(jìn)而顛覆全球DRAM市場(chǎng)。VLT存儲(chǔ)單元在2015年已通過(guò)驗(yàn)證，目前一款新的完整存儲(chǔ)器測(cè)試芯片正處于早期測(cè)試階段。Kilopass一直致力于推廣這項(xiàng)技術(shù)，并正與DRAM制造商進(jìn)行許可協(xié)商。 　　“Kilopass以一次性可編程(OTP)存儲(chǔ)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者而聞名，我
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VLT技術(shù) 或?qū)㈩嵏睤RAM產(chǎn)業(yè)格局

  • 　　10月11日，Kilopass Technology宣布推出垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor)技術(shù)，簡(jiǎn)稱VLT技術(shù)。據(jù)Kilopass首席執(zhí)行官Charlie Cheng稱，該技術(shù)集低成本、低功耗、高效率、易制造等諸多優(yōu)點(diǎn)于一身，有可能顛覆目前的DRAM產(chǎn)業(yè)格局。 　　最適用于云計(jì)算/服務(wù)器市場(chǎng)的DRAM技術(shù) 　　Charlie Cheng指出，DRAM整體市場(chǎng)較為穩(wěn)定，未來(lái)隨著PC、手機(jī)等方面的市場(chǎng)需求萎縮，新的增長(zhǎng)點(diǎn)將出現(xiàn)在云計(jì)算/服務(wù)器等市場(chǎng)領(lǐng)域。然而當(dāng)前
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詳述DRAM、SDRAM及DDR SDRAM的概念

  • DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器)對(duì)設(shè)計(jì)人員特別具有吸引力，因?yàn)樗峁┝藦V泛的性能，用于各種計(jì)算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)的存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DD
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TrendForce：九月DRAM合約均價(jià)續(xù)漲逾7%

  • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示，隨著DRAM原廠持續(xù)調(diào)整產(chǎn)出比重，標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存在供貨持續(xù)吃緊下，九月合約價(jià)維持強(qiáng)勁上漲走勢(shì)，均價(jià)已來(lái)到14.5美元，月漲幅達(dá)7.4%，在全球筆電需求出乎意料大增的情況下，預(yù)估第四季的合約價(jià)季漲幅將直逼三成，創(chuàng)下兩年來(lái)的新高點(diǎn)。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，DRAM現(xiàn)貨顆粒價(jià)格漲幅更為劇烈，如DDR3/4 4Gb價(jià)格分別來(lái)到2.1/2.0美元，較上月同期已各上漲19%與15%，顯見(jiàn)市場(chǎng)供不應(yīng)求
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TrendForce：九月DRAM合約均價(jià)續(xù)漲逾7%

  • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示，隨著DRAM原廠持續(xù)調(diào)整產(chǎn)出比重，標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存在供貨持續(xù)吃緊下，九月合約價(jià)維持強(qiáng)勁上漲走勢(shì)，均價(jià)已來(lái)到14.5美元，月漲幅達(dá)7.4%，在全球筆電需求出乎意料大增的情況下，預(yù)估第四季的合約價(jià)季漲幅將直逼三成，創(chuàng)下兩年來(lái)的新高點(diǎn)。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，DRAM現(xiàn)貨顆粒價(jià)格漲幅更為劇烈，如DDR3/4 4Gb價(jià)格分別來(lái)到2.1/2.0美元，較上月同期已各上漲19%與15%，顯見(jiàn)市場(chǎng)供不應(yīng)求
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南亞科未來(lái)兩年投資500億元　提升價(jià)值凌駕市占率

  • 　　南亞科總經(jīng)理李培瑛29日出席臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年會(huì)(TSIA)表示，南亞科計(jì)劃兩年投資500億元，這不是小數(shù)目的投資，其目的在于提升芯片價(jià)值，而非拉升全球市占率，未來(lái)新存儲(chǔ)器技術(shù)ReRAM、3D XPoint都值得注意，且臺(tái)灣的DRAM產(chǎn)能仍占全球產(chǎn)能的20%。 　　再者，南亞科召開(kāi)重大訊息指出，為導(dǎo)入20納米制程技術(shù)，從2016年2月至9月29日為止，向臺(tái)塑網(wǎng)科購(gòu)置制程網(wǎng)路及伺服器等相關(guān)設(shè)備，總價(jià)款約3.43億元。整體來(lái)看，南亞科為配合20納米制程技術(shù)轉(zhuǎn)換制程，預(yù)計(jì)花430億~450億元進(jìn)行相關(guān)設(shè)備擴(kuò)
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DRAM價(jià)格漲勢(shì)延續(xù) 存儲(chǔ)器廠模組廠運(yùn)營(yíng)同步走高

  • 　　DRAM現(xiàn)貨價(jià)漲不停，主流規(guī)格DDR4 4Gb芯片均價(jià)昨(27)日正式站穩(wěn)2美元、達(dá)2.1美元，攀上七個(gè)多月來(lái)高點(diǎn)，本季來(lái)大漲逾24%，第4季報(bào)價(jià)持續(xù)看漲一成，南亞科、威剛、宇瞻等記憶體族群大進(jìn)補(bǔ)。 　　業(yè)界透露，在全球存儲(chǔ)器芯片龍頭三星拉抬報(bào)價(jià)帶動(dòng)下，DRAM漲勢(shì)延續(xù)，9月以來(lái)已連續(xù)三周上漲，漲勢(shì)明確，伴隨追價(jià)買盤進(jìn)場(chǎng)，漲勢(shì)加大。 　　根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦科技昨日晚間最新報(bào)價(jià)，DDR4 4Gb芯片正式站穩(wěn)2美元、均價(jià)來(lái)到2.1美元，單日漲幅1.6%，合計(jì)本周以來(lái)二個(gè)交易日
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三星主導(dǎo)調(diào)漲報(bào)價(jià)策略 DRAM廠商有望重掌號(hào)令

  • 　　三星主導(dǎo)調(diào)漲DRAM報(bào)價(jià)策略奏效，全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦科技最新DRAM現(xiàn)貨報(bào)價(jià)連四天緩步上揚(yáng)，主流DDR4 4Gb DRAM有機(jī)會(huì)向2美元叩關(guān)，也是近2個(gè)月來(lái)漲勢(shì)最明確的半導(dǎo)體重要元件。DRAM廠商包括南亞科、華邦、威剛及宇瞻等，可望重掌多頭反攻號(hào)令。 　　存儲(chǔ)器渠道商表示，三星和SK海力士近期主導(dǎo)價(jià)格漲勢(shì)態(tài)度積極，除8月調(diào)漲DRAM報(bào)價(jià)，第4季合約價(jià)也再漲一成，連同第3季合約價(jià)調(diào)漲15%，等于下半年漲幅約25%。 　　2大韓系DRAM大廠的市占逾八成，主導(dǎo)DRAM漲價(jià)策略奏效
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制程微縮產(chǎn)能損失大 明年下半年DRAM將爆新行情？

  • 　　明年下半年DRAM供給可能會(huì)供不應(yīng)求，韓媒指出，存儲(chǔ)器廠商轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程的產(chǎn)能損失，或許會(huì)讓DRAM陷入供給短缺，炒熱行情。 　　BusinessKorea 12日?qǐng)?bào)道，半導(dǎo)體和投資銀行的業(yè)界消息指出，2017年DRAM需求預(yù)料將年增19.3%，不過(guò)2017年DRAM每月產(chǎn)量將減少2萬(wàn)組，從當(dāng)前的105萬(wàn)組、2017年降至103萬(wàn)組，主要是制程轉(zhuǎn)換造成產(chǎn)能減少。不僅如此，產(chǎn)程轉(zhuǎn)換的供給成長(zhǎng)率以往大約是30%，2017年成長(zhǎng)率可能減至10%，加劇供給不足問(wèn)題。 　　據(jù)了解，明年上半年是淡季，DRA
  • 關(guān)鍵字： DRAM  美光  

制程微縮產(chǎn)能損失大 明年下半年DRAM將爆新行情？

  • 　　明年下半年DRAM供給可能會(huì)供不應(yīng)求，韓媒指出，存儲(chǔ)器廠商轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程的產(chǎn)能損失，或許會(huì)讓DRAM陷入供給短缺，炒熱行情。 　　BusinessKorea 12日?qǐng)?bào)道，半導(dǎo)體和投資銀行的業(yè)界消息指出，2017年DRAM需求預(yù)料將年增19.3%，不過(guò)2017年DRAM每月產(chǎn)量將減少2萬(wàn)組，從當(dāng)前的105萬(wàn)組、2017年降至103萬(wàn)組，主要是制程轉(zhuǎn)換造成產(chǎn)能減少。不僅如此，產(chǎn)程轉(zhuǎn)換的供給成長(zhǎng)率以往大約是30%，2017年成長(zhǎng)率可能減至10%，加劇供給不足問(wèn)題。 　　據(jù)了解，明年上半年是淡季，DRA
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SK海力士業(yè)務(wù)重整 DRAM、NAND等目標(biāo)并進(jìn)

  • 南韓半導(dǎo)體大廠SK海力士(SK Hynix)將重整業(yè)務(wù)組織，將DRAM、NAND Flash、CMOS影像感測(cè)器(CIS)等三大事業(yè)群分開(kāi)各自營(yíng)運(yùn)，事業(yè)群自行加強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力，而SK海力士
  • 關(guān)鍵字： SK海力士  DRAM  NAND   

2012年全球存儲(chǔ)器模組廠營(yíng)收排名

  • 全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 根據(jù)記憶體營(yíng)收部分發(fā)布 2012年記憶體模組廠排名調(diào)查，該年度全球模組市場(chǎng)總銷售金額為
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IC Insights：NAND與DRAM朝3D發(fā)展

  • 隨著DRAM和NAND技術(shù)持續(xù)邁向更先進(jìn)幾何制程與多層次存儲(chǔ)器的道路，IC Insights密切觀察有關(guān)DRAM和NAND供應(yīng)商的最新動(dòng)態(tài)，期望能提供更清楚的DRAM/NAND發(fā)展
  • 關(guān)鍵字： NAND  DRAM   

DRAM晶片價(jià)格居高不下 智能手機(jī)需求旺

  • 近來(lái)DRAM 價(jià)格晶片大宗訂單的價(jià)格依然居高不下。目前主要DRAM晶片制造商增加供應(yīng)給日益成長(zhǎng)的智慧手機(jī)市場(chǎng)，令人擔(dān)心個(gè)人電腦(PC)未來(lái)的供應(yīng)。預(yù)料
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SRAM簡(jiǎn)介及與DRAM/SDRAM的比較

  • RAMRAM是指通過(guò)指令可以隨機(jī)的、個(gè)別的對(duì)各個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行訪問(wèn)的存儲(chǔ)器，一般訪問(wèn)時(shí)間基本固定，而與存儲(chǔ)單元地址無(wú)關(guān)。RAM的速度比較快，但其保
  • 關(guān)鍵字： SRAM  DRAM  SDRAM  比較  
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