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日?qǐng)A強(qiáng)升 內(nèi)存廠更仰賴臺(tái)廠
- 日?qǐng)A兌美元匯率強(qiáng)勢(shì)升值,創(chuàng)近15年來新高;臺(tái)灣存儲(chǔ)器業(yè)者表示,日?qǐng)A走勢(shì)對(duì)日系廠商營運(yùn)勢(shì)必產(chǎn)生壓力,未來將更仰賴臺(tái)灣合作伙伴。 日本兩大半導(dǎo)體廠在全球市場(chǎng)占有舉止輕重的影響力,其中爾必達(dá) (Elpida)今年第2季在全球動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存 (DRAM)市場(chǎng)占有率為18%,是全球第3大DRAM廠。 東芝(Toshiba)今年第2季在全球儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)市場(chǎng)占有率達(dá)33.1%,僅次于韓國三星,居全球第2大廠地。 南亞科技副總經(jīng)理白培霖指出,日?qǐng)A急遽升值,對(duì)日本內(nèi)存廠爾必達(dá)及
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三星擬以高性能、低耗電半導(dǎo)體主導(dǎo)市場(chǎng)
- 三星電子(Samsung Electronics)表示,智能型手機(jī)(Smartphone)、平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)等革新性行動(dòng)裝置制作成實(shí)體的過程中,對(duì)高性能、低耗電半導(dǎo)體的需求也正逐漸增加,因此三星計(jì)劃以性能提升,且減少耗電量的半導(dǎo)體產(chǎn)品主導(dǎo)市場(chǎng)。 三星祭出Smart and Green Plus策略,不僅致力于開發(fā)高性能、低耗電的半導(dǎo)體,同時(shí)也將配合世界各國的能源節(jié)約等親環(huán)境政策推動(dòng)三星的差異化解決方案。 做為新策略的一環(huán),三星自2009年起便與服務(wù)器業(yè)者共同推動(dòng)綠色存儲(chǔ)器活
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Gartner上調(diào)全球半導(dǎo)體營收預(yù)期至3000億
- Gartner現(xiàn)在預(yù)計(jì)今年全球半導(dǎo)體營收將達(dá)到3000億美元,比去年增長(zhǎng)31.5%。它之前預(yù)計(jì)今年半導(dǎo)體營收的增幅只有27.1%。包括手機(jī)和筆記本電腦在內(nèi)的消費(fèi)者電子產(chǎn)品在半導(dǎo)體銷售中占大多數(shù)份額。手機(jī)出貨量持續(xù)增長(zhǎng)將推動(dòng)半導(dǎo)體營收的增長(zhǎng),而電腦出貨量增長(zhǎng)速度的減慢將被平板電腦銷售的增長(zhǎng)所抵消。 Gartner表示,盡管個(gè)人電腦銷售速度減慢,但今年NAND閃存和DRAM的營收仍將增長(zhǎng)。DRAM營收今年將增長(zhǎng)82.5%,幾乎達(dá)到420億美元,但它可能會(huì)從明年下半年開始減慢增長(zhǎng)速度。Gartner預(yù)
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三星拉大DRAM制程差距 臺(tái)廠須盡速導(dǎo)入40納米
- 臺(tái)灣國際半導(dǎo)體展(SEMICON Taiwan 2010)于8日正式開幕,在半導(dǎo)體趨勢(shì)論壇中,摩根士丹利證券執(zhí)行董事王安亞針對(duì)未來DRAM市場(chǎng)發(fā)出警語,認(rèn)為未來2Gb產(chǎn)品將成為DRAM市場(chǎng)主流,且未來以40納米制程生產(chǎn)的2Gb將最具競(jìng)爭(zhēng)力,臺(tái)系DRAM廠,包括南亞科、華亞科等,必須盡快提升50納米制程的良率,且轉(zhuǎn)進(jìn)40納米制程世代,才會(huì)具有成本競(jìng)爭(zhēng)力。 三星電子(Samsung Electronics)日前對(duì)于2010年下半DRAM市場(chǎng)發(fā)出供過于求的悲觀論調(diào),使得全球DRAM產(chǎn)業(yè)大幅受挫,臺(tái)系D
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三星稱PC低迷將導(dǎo)致DRAM生產(chǎn)過剩
- 據(jù)國外媒體報(bào)道,三星周二表示,由于全球PC市場(chǎng)低迷,DRAM內(nèi)存芯片將于第四季度出現(xiàn)生產(chǎn)過剩的局面。 臺(tái)灣復(fù)華投信(Fuh Hwa Securities Investment Trust)基金經(jīng)理約翰·酋(John Chiu)稱:“眾所周知,當(dāng)前PC市場(chǎng)并不景氣。如果需求不能提升,那么庫存就會(huì)增加。” 約翰·酋還稱:“人們都把希望寄托于中國內(nèi)地的10月長(zhǎng)假和新年假期,如果需求有所增長(zhǎng),那么庫存就會(huì)有所緩解。”
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分析稱臺(tái)系DRAM廠明年可望大幅增長(zhǎng)
- 據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報(bào)告指出,在臺(tái)系 DRAM 廠中,南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進(jìn)兩大因素,使產(chǎn)出可能大幅成長(zhǎng)年增率150%。 南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片,明年上半年可達(dá)6萬片,華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片,同時(shí)南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進(jìn)及明年轉(zhuǎn)進(jìn)42nm,預(yù)計(jì)明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長(zhǎng)率居全球之冠,以品牌銷售顆料計(jì),南科明年將成為臺(tái)灣DRA
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DRAM銷售將于后年衰退近三成
- 國際研究暨顧問機(jī)構(gòu)顧能(Gartner)今(1)日指出,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)產(chǎn)業(yè)景氣盛況將在明年下半年改變,至2012年銷售恐將衰退近三成。 顧能表示,由于初期PC市場(chǎng)表現(xiàn)強(qiáng)勁和供應(yīng)減少,使DRAM產(chǎn)業(yè)獲利看漲,今年收益逼近420億美元,較預(yù)期獲利高出82.5%,出現(xiàn)戲劇性成長(zhǎng)和變化;惟至2011年下半年將有所轉(zhuǎn)變,2012年的銷售恐將衰退29%。 不過,快閃存儲(chǔ)器市場(chǎng)在智能型手機(jī)和平版媒體強(qiáng)勁的銷售帶動(dòng)下,收益至2013年皆會(huì)維持原有的成長(zhǎng)。
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分析稱臺(tái)系DRAM廠2011年可望大幅增長(zhǎng)
- 據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報(bào)告指出,在臺(tái)系 DRAM 廠中,南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進(jìn)兩大因素,使產(chǎn)出可能大幅成長(zhǎng)年增率150%。 南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片,明年上半年可達(dá)6萬片,華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片,同時(shí)南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進(jìn)及明年轉(zhuǎn)進(jìn)42nm,預(yù)計(jì)明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長(zhǎng)率居全球之冠,以品牌銷售顆料計(jì),南科明年將成為臺(tái)灣DRA
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臺(tái)系DRAM廠的轉(zhuǎn)型與挑戰(zhàn)
- 根據(jù)集邦科技 (TRENDFORCE)旗下研究部門DRAMeXchange最新研究報(bào)告指出,臺(tái)系DRAM廠中,南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進(jìn)兩大因素,使產(chǎn)出可能大幅成長(zhǎng)年增率150%。南科除今年將12吋月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片,明年上半年可達(dá)6萬片,華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片,同時(shí)南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進(jìn)及明年轉(zhuǎn)進(jìn)42nm,預(yù)計(jì)明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長(zhǎng)率居全球之冠,以品牌銷售顆料計(jì),南科明年將成為臺(tái)灣DRAM廠之冠。
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分析稱三星或超英特爾成為第一大芯片廠商
- 市場(chǎng)研究公司IC Insights日前預(yù)計(jì),三星的芯片銷售額或?qū)⒃?014年超越英特爾。 基于廣泛的芯片產(chǎn)品及擴(kuò)張計(jì)劃,三星的芯片營收將很快超過英特爾,成為第一大芯片廠商。IC Insights認(rèn)為,在5到10年前,三星芯片營收將趕超英特爾的想法簡(jiǎn)直就是天方夜譚,但從1999年到2009年,三星IC營收以13.5%年復(fù)合 增長(zhǎng)率(compound annual growth rate)的速度增長(zhǎng),而英特爾同期的年復(fù)合增長(zhǎng)率僅為3.4%?;诖嗽鲩L(zhǎng)速率,IC Insights預(yù)計(jì),三星的芯片銷售額
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份額再漲 三星繼續(xù)統(tǒng)治DRAM內(nèi)存市場(chǎng)
- 雖然在美國液晶電視市場(chǎng)的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)遭到蠶食,但三星在DRAM顆粒高級(jí)制造工藝上的投資就得到了回報(bào)。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司iSuppli發(fā)布的二季度DRAM市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)報(bào)告,三星在保持DRAM市場(chǎng)老大位置的同時(shí)繼續(xù)擴(kuò)大了自家市場(chǎng)份額。全球DRAM市場(chǎng)二季度收入為108億美元,相比一季度的94億美元上漲14.4%;DRAM出貨量按位計(jì)算增長(zhǎng)近5%,平均價(jià)格增長(zhǎng)9%。 三星該季度DRAM收入38億美元,和上一季度的31億美元相比增長(zhǎng)24.3%,為前五大DRAM供應(yīng)商中增速最快。三星該季度的DRAM市場(chǎng)份額為35.
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來自美國硅谷的信息(下)
- 不要忽略驗(yàn)證工具 Mentor Graphics副總裁兼總經(jīng)理Joseph Sawicki介紹了他們的最新產(chǎn)品,版圖的寄生參數(shù)提取工具Calibre xACT 3D,Joseph稱,以往此類工具在提取器件的寄生參數(shù)時(shí)都是二維的,即對(duì)器件的幾何坐標(biāo)進(jìn)行標(biāo)示和記錄從而確定寄生參數(shù),而Calibre xACT 3D則是提取單個(gè)器件以及不同器件之間的三維空間信息,這樣所得到的寄生參數(shù)當(dāng)然更精確。 八仙過海,鏖戰(zhàn)消費(fèi)電子 電子產(chǎn)業(yè)的復(fù)蘇已經(jīng)成為不爭(zhēng)的事實(shí),眾廠商怎么在這第二輪增長(zhǎng)中挖到自己
- 關(guān)鍵字: Mentor USB接口 DRAM 存儲(chǔ)器 201008
舉債擴(kuò)產(chǎn) 非臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)生存之道
- 過去臺(tái)灣在DRAM產(chǎn)業(yè)上的主要技術(shù)合作來源包括日本、美國、南韓和德國,這幾大陣營各自在制程技術(shù)上有很大差別,最大差別在于德系業(yè)者采用溝槽式(Trench)制程技術(shù),在這一波金融風(fēng)暴洗禮之下,成為被淘汰的陣營。 當(dāng)年各廠面臨溝槽式和堆棧式(Stack)技術(shù)的十字路口時(shí),日系東芝(Toshiba)、德系西門子(Siemens)和美系IBM都決定選擇發(fā)展溝槽式技術(shù),其它像是恩益禧(NEC)、三菱(Mitsubishi)、日立(Hitachi)、三星電子(Samsung Electronics)和海力士
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韓國三星電子公司發(fā)展模式的啟迪
- 環(huán)視當(dāng)今世界電子企業(yè)巨頭,其中最被稱道的公司有兩家:一是美國的App1e公司,一是韓國的三星電子集團(tuán)。尤其是三星電子公司特別值得中國公司學(xué)習(xí),也的確是最應(yīng)該學(xué)習(xí)的公司。據(jù)說,有中國公司如聯(lián)想、TCL等都曾以三星電子公司為榜樣,但愿未來在中國的土地上真能出現(xiàn)“中國的三星公司”,中國電子工業(yè)勢(shì)必將走上更快更好的發(fā)展道路。 發(fā)展簡(jiǎn)史 三星電子集團(tuán)公司成立于1938年,當(dāng)初只是一家做做干魚、蔬菜、水果等出口貿(mào)易的小公司,但發(fā)展頗快,到上世紀(jì)50年代初,便成長(zhǎng)為韓國的頭號(hào)貿(mào)易
- 關(guān)鍵字: 三星電子 DRAM TFT-LCD 201008
Hynix擬在7-9月期間擬投5.69億美金擴(kuò)充升級(jí)廠房
- Yonhap News報(bào)導(dǎo),全球第二大記憶體制造商Hynix Semiconductor Inc. 13日在呈交至韓國證交所的文件中宣布,該公司將投資6,770億韓元(5.69億美元)擴(kuò)充、升級(jí)現(xiàn)有的生產(chǎn)線,同時(shí)并將投入研發(fā)工作。Hynix表示,這項(xiàng)投資目的在改善成本競(jìng)爭(zhēng)力并增加產(chǎn)能,以幫助該公司提升對(duì)市場(chǎng)需求的反應(yīng)能力。Hynix并表示,這項(xiàng)投資計(jì)劃將在7-9月期間執(zhí)行。 iSuppli曾于8月9日發(fā)表研究報(bào)告指出,受到制造設(shè)備供應(yīng)量有限、制程轉(zhuǎn)換面臨挑戰(zhàn)的影響,2010年下半年DRAM供給量
- 關(guān)鍵字: Hynix DRAM
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