mosfet 文章進(jìn)入mosfet 技術(shù)社區(qū)

Microchip推出基于模擬的電源管理控制器

全球領(lǐng)先的整合單片機、混合信號、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布，推出全球第一款數(shù)字增強型電源模擬控制器MCP19111，它擴展了Microchip多元化的智能DC/DC電源轉(zhuǎn)換解決方案。此外，Microchip還宣布推出全新MCP87018、MCP87030、MCP87090和MCP87130，擴展其高速MOSFET系列。
關(guān)鍵字： Microchip 控制器 MOSFET

IR推出全新300V功率MOSFET

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) ，這些工業(yè)應(yīng)用包括110V-120V交流電壓線性調(diào)節(jié)器和110V-120V交流電壓電源，以及直流-交流逆變器，如太陽能逆變器、不間斷電源 (UPS)等。
關(guān)鍵字： IR MOSFET

IR 推出具有基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻的全新300V功率MOSFET

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商–國際整流器公司(InternationalRectifier，簡稱IR)近日推出配備IR最新...
關(guān)鍵字：基準(zhǔn)導(dǎo)通 300V功率 MOSFET

基于SG3525A的太陽能逆變電源設(shè)計與實現(xiàn)

引言本文涉及的是光明工程中一個課題的具體技術(shù)問題。該課題的基本原理是逆變器由直流蓄電池供電，...
關(guān)鍵字： SG3525A 逆變電源 MOSFET-90N10

汽車應(yīng)用MOSFET的技術(shù)趨勢

汽車應(yīng)用MOSFET半導(dǎo)體制造商在金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）技術(shù)領(lǐng)域取得了重大進(jìn)步，并繼續(xù)積極發(fā)展。先進(jìn)的功率MOS...
關(guān)鍵字：汽車應(yīng)用 MOSFET 電機控制

用于IGBT與功率MOSFET的柵驅(qū)動器通用芯片

1　引言
　　scale-2芯片組是專門為適應(yīng)當(dāng)今igbt與功率mosfet柵驅(qū)動器的功能需求而設(shè)計的。這些需求包括：可擴展的分離式開通與關(guān)斷門級電流通路;功率半導(dǎo)體器件在關(guān)斷時的輸出電壓可以為有源箝位提供支持;多電平變
關(guān)鍵字： MOSFET IGBT 驅(qū)動器芯片

隔離驅(qū)動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧二

11、請問：HCPl-316產(chǎn)品如何做到短路時軟關(guān)斷？謝謝！　　HCPL-316J 飽和閾值的頂點設(shè)置在7V，這是對通過一個比較 ...
關(guān)鍵字： IGBT Power MOSFET 功率器件

隔離驅(qū)動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧

功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效 ...
關(guān)鍵字： IGBT Power MOSFET 功率器件

MAX5048C高電流MOSFET驅(qū)動器-高頻開關(guān)電源的理想選擇

MAX5048C是一個高速MOSFET驅(qū)動器，能夠吸收/7A/3A峰值電流。該器件采用邏輯輸入信號，驅(qū)動外部MOSFET。該器件具...
關(guān)鍵字： MAX5048C 高電流 MOSFET 驅(qū)動器

隔離驅(qū)動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需要的一些技巧

功率器件，如IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等，都需要有充分的保護，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效...
關(guān)鍵字：門極驅(qū)動光耦隔離驅(qū)動IGBT Power MOSFET

飛兆提供業(yè)界領(lǐng)先的高可靠性體二極管性能

服務(wù)器、電信、計算等高端的AC-DC開關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用以及工業(yè)電源應(yīng)用需要較高的功率密度，因此要獲得成功，設(shè)計人員需要采用占據(jù)更小電路板空間并能提高穩(wěn)定性的高性價比解決方案。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET SuperFET

如何提升數(shù)字控制電源性能？MOSFET驅(qū)動器有辦法

如何提升數(shù)字控制電源性能？MOSFET驅(qū)動器有辦法,UCD9110或UCD9501等新上市的數(shù)字電源控制器需要具備新型的智能型集成MOSFET驅(qū)動器的支持。電源設(shè)計人員仍然對數(shù)字電源控制技術(shù)心存疑慮。他們經(jīng)常將PC的藍(lán)屏現(xiàn)象歸咎于軟件沖突。當(dāng)然，這種爭議會阻礙數(shù)字控制電源以
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動器辦法性能電源提升數(shù)字控制如何

電源設(shè)計小貼士46：正確地同步降壓FET時序

由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關(guān)期間，存在兩個過渡階段：低...
關(guān)鍵字： FET MOSFET 電源設(shè)計小貼士德州儀器

電源設(shè)計小貼士：同步降壓 MOSFET電阻比的正確選擇

在這篇《電源設(shè)計小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和F...
關(guān)鍵字：同步降壓 MOSFET 電阻比

飛兆40V PowerTrenchMOSFET功率控制更強、效率更高

汽車動力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的設(shè)計工程師需要能夠提供更高效率和更佳功率控制的解決方案。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的40V N溝道PowerTrench? MOSFET可幫助設(shè)計人員應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET FDB9403

共1259條 49/84 |‹ « 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 » ›|

mosfet 介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]