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飛兆的100V BOOSTPAK解決方案降低了系統(tǒng)成本

飛兆半導(dǎo)體公司是高性能功率半導(dǎo)體和移動半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商，通過引入 100 V BoostPak 設(shè)備系列優(yōu)化 MOSFET 和二極管選擇過程，將 MOSFET 和二極管集成在一個封裝內(nèi)，代替 LED 電視 / 顯示器背光、LED 照明和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中目前使用的分立式解決方案。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET LED

安森美推出兩款新的MOSFET器件

安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor) 推出兩款新的MOSFET器件，用于智能手機及平板電腦應(yīng)用，作為鋰離子電池充電/放電保護電路開關(guān)的關(guān)鍵組成部分。EFC6601R和EFC6602R幫助設(shè)計人員減小方案尺寸、提升能效及將電池使用時間延至最長。
關(guān)鍵字：安森美 MOSFET 鋰離子電池

Vishay大幅擴充E系列650V N溝道功率MOSFET家族

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列器件新增650V功率MOSFET。這些22款新器件采用8種不同封裝，將10V下的導(dǎo)通電阻擴展到30mΩ～600mΩ，將最高電流等級擴大為6A～105A。
關(guān)鍵字： Vishay E系列 MOSFET

功率MOSFET基礎(chǔ)知識

什么是功率MOSFET？我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對其進行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信...
關(guān)鍵字：功率 MOSFET 基礎(chǔ)知識

用IGBT代替MOSFET的可行性分析

一、引言電力電子設(shè)備正朝著高頻、高效、高可靠、高功率因數(shù)和低成本的方向發(fā)展，功率器件則要求高速、...
關(guān)鍵字： IGBT MOSFET

AOS發(fā)布150V MOSFET旗艦產(chǎn)品

日前，集設(shè)計，研發(fā)一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片供應(yīng)商萬國半導(dǎo)體(AOS, 納斯達克代碼: AOSL)發(fā)布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。該器件作為AOS AlphaMOS? (?MOS?)中壓系列旗艦產(chǎn)品，為眾多設(shè)備追求極致效率提供了解決方案。
關(guān)鍵字： AOS AON6250 MOSFET

飛兆四路MOSFET解決方案提高了效率

高分辨率、緊湊有源整流橋應(yīng)用(如網(wǎng)絡(luò)攝像機)中的過熱可能導(dǎo)致圖像質(zhì)量問題。同樣，熱致噪聲可能影響系統(tǒng)的圖像傳感器，也會降低相機的圖片質(zhì)量。調(diào)節(jié)熱波動的典型散熱解決方案會增加元件數(shù)量，占用電路板空間，讓這些設(shè)計變得更復(fù)雜。
關(guān)鍵字：飛兆 FDMQ86530L MOSFET

淺談三極管和MOS管作開關(guān)用時的區(qū)別

我們在做電路設(shè)計中三極管和MOS管做開關(guān)用時候有什么區(qū)別。工作性質(zhì)：1.三極管用電流控制，MOS管...
關(guān)鍵字： MOSFET 三極管

MOSFET在單通道降壓轉(zhuǎn)換器驅(qū)動投影儀RGB LED的應(yīng)用

本應(yīng)用筆記提供了一個低功耗投影儀RGBLED驅(qū)動器的參考設(shè)計?；趩涡酒琈AX16821構(gòu)建大電流LED驅(qū)動器，能夠為...
關(guān)鍵字： MOSFET 降壓轉(zhuǎn)換器 RGB LED

Vishay Siliconix 擴展ThunderFET?的電壓范圍

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，發(fā)布新款采用熱增強型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR872ADP，將該公司的ThunderFET?技術(shù)的電壓擴展至150V。
關(guān)鍵字： Vishay DC/DC MOSFET SiR872ADP

針對IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動器

針對IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動器,引言對電能轉(zhuǎn)換而言，可再生能源電子細分市場是一個復(fù)雜且多樣化的競技場。在一些負載點應(yīng)用中，開關(guān)型功率轉(zhuǎn)換器通常為非隔離式，功率水平相當?shù)?200 W)，并且常常會把電
關(guān)鍵字： IGBT MOSFET 柵極驅(qū)動器

繼2012年表現(xiàn)黯淡之后中國功率MOSFET市場將恢復(fù)生機

　　在綠色能源和節(jié)能計劃的帶動下，加之出口回升，預(yù)計今年中國市場的功率MOSFET出貨量繼2011年大幅下滑之后反彈。這暗示中國以及其它主要全球經(jīng)濟體的形勢好轉(zhuǎn)。功率MOSFET廣泛用于多種電子產(chǎn)品與系統(tǒng)之中。　　據(jù)IHS公司的中國研究專題報告，今年中國功率MOSFET產(chǎn)業(yè)的營業(yè)收入預(yù)計為22.5億美元，比2012年的21.8億美元增長3%。去年該市場比2011年的23.7億美元下降8%。　　明年增長將更加強勁，預(yù)計營業(yè)收入上升11%，隨后每年將保持穩(wěn)定增長，至少保持到2017年。到2017年，預(yù)
關(guān)鍵字：消費電子 MOSFET

常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識介紹

常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識介紹,我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對其進行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關(guān)取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個
關(guān)鍵字： MOSFET 功率器件

基于MOSFET設(shè)計優(yōu)化的功率驅(qū)動電路

摘要：在分析了功率MOSFET其結(jié)構(gòu)特性的基礎(chǔ)上，討論驅(qū)動電路的設(shè)計，從而優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動性能，提高設(shè)計的可靠性。
關(guān)鍵詞：MOSFET；急聚點；損耗

功率MOSFET具有開關(guān)速度快，導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點，因此在開關(guān)
關(guān)鍵字： MOSFET 急聚點損耗

關(guān)于MOSFET驅(qū)動電阻的選擇

L為PCB走線電感，根據(jù)他人經(jīng)驗其值為直走線1nH/mm，考慮其他走線因素，取L=Length+10（nH），其中Length單位取mm。Rg...
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動電阻

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mosfet 介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]