nand 閃存文章進(jìn)入nand 閃存技術(shù)社區(qū)

東芝受惡意攻擊導(dǎo)致NAND停產(chǎn)：預(yù)估少生產(chǎn)40萬TB容量

　　援引DigiTimes報(bào)道，東芝的NAND部門近日遭受了非常嚴(yán)重的惡意攻擊，被迫關(guān)閉NAND生產(chǎn)線數(shù)周時(shí)間，這將導(dǎo)致近階段公司NAND閃存的供應(yīng)比較緊張。　　DigiTimes消息稱為了清除惡意程序，東芝公司的NAND生產(chǎn)線將停工3-6周時(shí)間才能恢復(fù)正常供應(yīng)，預(yù)估將減少10萬個(gè)wafers產(chǎn)量。PCGamesN網(wǎng)站預(yù)估假設(shè)這段停產(chǎn)時(shí)間正常生產(chǎn)，能夠帶來5000萬個(gè)芯片或者40萬TB的NAND閃存。　　近年來由于智能手機(jī)和服務(wù)器的需求不斷增大，NAND的售價(jià)也水漲船高。但是由于NAND廠商在生產(chǎn)
關(guān)鍵字：東芝 NAND

DRAM漲潮再起誰才是真正贏家？

DRAM供貨吃緊的情況下，其再次出現(xiàn)價(jià)格瘋漲現(xiàn)象，在NAND Flash以及DRAM市場漲潮不斷的這場角逐中，也許大家都是贏家。
關(guān)鍵字： DRAM NAND

Flash存儲(chǔ)器閃存工作原理及具體步驟

Flash存儲(chǔ)器閃存工作原理及具體步驟-什么是閃存？閃存的存儲(chǔ)單元為三端器件，與場效應(yīng)管有相同的名稱：源極、漏極和柵極。柵極與硅襯底之間有二氧化硅絕緣層，用來保護(hù)浮置柵極中的電荷不會(huì)泄漏。
關(guān)鍵字： flash存儲(chǔ)器閃存

基于magnum 2 測試系統(tǒng)的NAND FLASH VDNF64G08RS50MS4V25-III的測試技術(shù)研究

　　摘要：NAND FLASH在電子行業(yè)已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，然而在生產(chǎn)過程中出現(xiàn)壞塊和在使用過程中會(huì)出現(xiàn)壞塊增長的情況，針對這種情況，本文介紹了一種基于magnum II 測試機(jī)的速測試的方法，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，此方法能夠有效提高FLASH的全空間測試效率。另外，針對NAND FLASH的關(guān)鍵時(shí)序參數(shù)，如tREA(讀信號(hào)低電平到數(shù)據(jù)輸出時(shí)間)和tBERS(塊擦除時(shí)間)等，使用測試系統(tǒng)為器件施加適當(dāng)?shù)目刂萍?lì)，完成NAND FLASH的時(shí)序配合，從而達(dá)到器件性
關(guān)鍵字： NAND magnum

DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理

DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理-本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較，弄清兩者的區(qū)別
關(guān)鍵字： DRAM NAND RAM

Nand Flash編程應(yīng)用難點(diǎn)淺析

　　Nand Flash存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、記憶卡、體積小巧的U盤等?！　?989年，東芝公司發(fā)表了Nand Flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級(jí)。經(jīng)過十幾年的發(fā)展，NAND應(yīng)用越來越廣泛，但是大多數(shù)工程師卻仍然不知道關(guān)于NAND應(yīng)用的一些難點(diǎn)：分區(qū)、ECC糾錯(cuò)、壞塊管理等。只有真正了
關(guān)鍵字： Nand Flash 東芝

3D NAND微縮極限近了嗎？

隨著平面的2D NAND Flash制程逐漸面臨微縮極限，3D NAND的平均生命周期也可能比大多數(shù)人所想象的更短許多...
關(guān)鍵字： 3D NAND 摩爾定律

內(nèi)存顆粒漲價(jià)狂潮，來了解一下MLC NAND閃存下的技術(shù)細(xì)節(jié)

內(nèi)存顆粒漲價(jià)狂潮，來了解一下MLC NAND閃存下的技術(shù)細(xì)節(jié)-2006年初，美光科技公司與英特爾公司的合作企業(yè)IM Flash Technologies公司（IMFT）在市場上閃亮登場。通過整合Intel公司的NOR多層單元（MLC）閃存技術(shù)與美光的DRAM和NAND閃存的制造效率和創(chuàng)新性，并且在兩個(gè)母公司強(qiáng)大的IP庫支持下，IMFT在同一年推出的第一個(gè)產(chǎn)品就讓市場深受震動(dòng)。
關(guān)鍵字： NAND閃存閃存

3D閃存產(chǎn)能大提升！SSD停止?jié)q價(jià)

　　今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，低于預(yù)期。　　而需求方面，手機(jī)、服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心依然表現(xiàn)強(qiáng)勢。　　不過，來自集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)的最新報(bào)告稱，在明年，NAND閃存的市場將達(dá)到一種穩(wěn)態(tài)局面。其中，供給側(cè)的產(chǎn)能將提升42.9%，而需求側(cè)，增長預(yù)計(jì)在37.7%。　　目前在3D閃存方面，三星的轉(zhuǎn)產(chǎn)最為順利，已經(jīng)在Q3開始量產(chǎn)64層堆疊，而其它廠商的64層甚至72層則仍需要2018年落地。　　據(jù)悉，在明年的所
關(guān)鍵字：閃存 SSD

群聯(lián)潘健成：未來五年 NAND供不應(yīng)求

　　內(nèi)存股王群聯(lián)電子昨(27)日舉行股東臨時(shí)會(huì)補(bǔ)選一席董事，由日商?hào)|芝內(nèi)存株式會(huì)社(TMC)當(dāng)選。在市場供需方面，群聯(lián)董事長潘健成樂觀表示，未來五年，儲(chǔ)存型閃存(NANDFlash)將持續(xù)供不應(yīng)求。　　臺(tái)灣東芝先進(jìn)半導(dǎo)體因集團(tuán)組織調(diào)整，今年8月1日辭去群聯(lián)董事，群聯(lián)昨日召開股東臨時(shí)會(huì)補(bǔ)選，并順利由東芝內(nèi)存株式會(huì)社當(dāng)選。　　潘健成表示，東芝內(nèi)存主導(dǎo)負(fù)責(zé)東芝的全球半導(dǎo)體事業(yè)，東芝已將群聯(lián)股權(quán)移轉(zhuǎn)給東芝內(nèi)存;而群聯(lián)與東芝間不僅相互投資，也透過合作互補(bǔ)，強(qiáng)化技術(shù)，雙方關(guān)系將比過去15年更加緊密，在產(chǎn)業(yè)的競
關(guān)鍵字： NAND

2018年NAND Flash供給年增42.9%，全年度供需由緊俏轉(zhuǎn)為平衡

　　根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，2017年NAND Flash產(chǎn)業(yè)需求受到智能手機(jī)搭載容量與服務(wù)器需求的帶動(dòng)，加上供給面受到制程轉(zhuǎn)進(jìn)進(jìn)度不如預(yù)期的影響下，供不應(yīng)求的狀況自2016年第三季起已持續(xù)六個(gè)季度;展望2018年，NAND Flash供給將增加42.9%，需求端將成長37.7%，明年整體供需狀況將轉(zhuǎn)為供需平衡。　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，從NAND Flash的供給面來看，因?yàn)镹AND制程從2D轉(zhuǎn)進(jìn)3D不如預(yù)期，導(dǎo)致2017年非三星陣營的新
關(guān)鍵字： NAND 西數(shù)

如何選擇最佳汽車應(yīng)用閃存

　　在過去幾年里，汽車應(yīng)用對 NOR 閃存的需求不斷增加。NOR 閃存最初應(yīng)用在信息娛樂和引擎控制等方面。然而，隨著汽車電腦化進(jìn)程的步伐不斷加快，NOR 閃存在汽車領(lǐng)域中的應(yīng)用越來越廣泛。尤其是在高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS)、數(shù)字儀表盤和信息娛樂等系統(tǒng)對NOR 閃存的市場需求迅猛增長?！　「呒?jí)駕駛輔助系統(tǒng)　　針對提高駕駛安全性的高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 的市場發(fā)展快速增長。目前，大部分ADAS 應(yīng)用主要是基于
關(guān)鍵字：閃存 ADAS

NAND閃存市場持續(xù)高漲，NAND閃存市場持續(xù)高漲，2020年將超DRAM

9月6日，深圳市閃存市場資訊有限公司(ChinaFlashMarket)在深圳主辦了“中國存儲(chǔ)·全球格局”為主題的中國閃存市場峰會(huì)(China Flash Market Summit 2017)，本文根據(jù)部分會(huì)議內(nèi)容整理了國內(nèi)外NAND閃存及部分非易失存儲(chǔ)器市場信息。
關(guān)鍵字：閃存 NAND 3D Xpoint 201710

2017年全球存儲(chǔ)市場規(guī)模將達(dá)950億美元

　　日前，由深圳市閃存市場資訊有限公司主辦的、以“中國存儲(chǔ) 全球格局”為主題的中國閃存市場峰會(huì)在深圳圓滿落幕。本次峰會(huì)齊聚三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達(dá)、Marvell、江波龍、慧榮、硅格、漢德資本、?？荡鎯?chǔ)等企業(yè)重量級(jí)嘉賓，一起探討存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展和企業(yè)市場發(fā)展機(jī)會(huì)。峰會(huì)吸引全球近700家企業(yè)參會(huì)，其中包括東芝、西部數(shù)據(jù)、SK海力士、長江存儲(chǔ)、華為、聯(lián)想、中興、網(wǎng)易、騰訊、阿里巴巴等企業(yè)參會(huì)，涵蓋領(lǐng)域包括存儲(chǔ)企業(yè)、手機(jī)、電腦、汽車、工業(yè)、大數(shù)據(jù)應(yīng)用等，參會(huì)觀眾超
關(guān)鍵字： NAND 閃存

東芝宣布出售予美日聯(lián)盟，加速提升3D NAND產(chǎn)能追趕三星

　　集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，東芝公司已正式在9月20日決定將旗下半導(dǎo)體事業(yè)以2兆日圓出售給由美國私募股權(quán)業(yè)者貝恩資本(Bain Capital)代表的美日聯(lián)盟，，由于此出售案較預(yù)期延宕，對于NAND Flash市場的產(chǎn)能影響，預(yù)期要到明年上半年才會(huì)趨于明顯;中長期而言，在資金到位的情況下，將有助東芝在3D-NAND產(chǎn)能與技術(shù)上力拼三星。　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，此次出售案的收購對象日美韓聯(lián)盟成員中包括日本政府支持的產(chǎn)業(yè)革新機(jī)構(gòu)(INCJ)財(cái)團(tuán)、
關(guān)鍵字： 3D NAND 東芝