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EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

東芝存儲器株式會社開發(fā)出世界首款QLC 3D閃存

  • 　　存儲器解決方案全球領導者東芝存儲器株式會社今日宣布開發(fā)出世界首款[1]采用堆疊式結構的BiCS FLASH?三維(3D)閃存[2]。最新的BiCS FLASH?設備是首款采用4位元(四階存儲單元，QLC)技術的閃存設備，該技術使閃存設備的存儲容量較3位元(TLC)設備進一步提高并推動了閃存技術創(chuàng)新。　　多位元內(nèi)存通過管理每個獨立存儲單元中的電子數(shù)目來存儲數(shù)據(jù)。實現(xiàn)QLC技術帶來一系列技術挑戰(zhàn)，在相同電子數(shù)目下位元數(shù)目每增加一個，需要兩倍于TLC技術的精度。東芝存儲器株式會社利用其先
  • 關鍵字： 東芝  閃存  

三星電子全球最大規(guī)模半導體生產(chǎn)線投產(chǎn)

  • 　　據(jù)韓聯(lián)社報道，三星電子平澤工廠全球最大規(guī)模半導體生產(chǎn)線近日正式投產(chǎn)。三星電子將在該工廠生產(chǎn)第四代64位V-NAND，月產(chǎn)能可達20萬片，并計劃持續(xù)擴充生產(chǎn)設備，解決近年來全球半導體市場上供不應求的局面。 　　據(jù)了解，位于韓國京畿道平澤市的三星電子平澤工廠于2015年5月動工建設，日均投入1.2萬名施工人員，耗時兩年多建成全球最大的單一產(chǎn)品生產(chǎn)線。 　　三星宣布，至2021年為止，要對位于平澤市的NAND型快閃存儲器廠房投入14.4萬億韓圜(約合125.4億美元)，并對華城市新建的半導體生產(chǎn)線投入6
  • 關鍵字： 三星  V-NAND  

東芝變賣閃存業(yè)務“跳票” 股東們表示很失望

  • 　　本周，東芝的股東和業(yè)界都在等待一個巨大消息：周二或者周三，東芝將和一個美日韓聯(lián)合體簽約，正式變賣閃存芯片業(yè)務，獲得急需的180億美元。 　　然而在周三的股東大會上，東芝高管宣布了令人失望的消息。據(jù)法新社報道，東芝的“跳票”讓股東感到十分氣憤。 　　東芝總裁綱川智周三表示，依然無法公布上一財年的財報，另外轉讓閃存業(yè)務的談判依然沒有結束。 　　在轉讓閃存業(yè)務方面，東芝已經(jīng)花費了太多的時間，效率之低下令股東十分不滿。日本權威媒體日經(jīng)新聞本周曾報道，東芝已經(jīng)敲定了閃存業(yè)務的接手方
  • 關鍵字： 東芝  閃存  

東芝明年量產(chǎn)96層3D NAND，或獨投1800億增產(chǎn)3D NAND

  • 　　全球第 2 大 NAND 型快閃存儲器廠東芝(Toshiba)28 日宣布，攜手 SanDisk 研發(fā)出全球首款采用堆疊 96 層制程技術的 3D NAND Flash 產(chǎn)品，且已完成試樣。該款產(chǎn)品為 256Gb(32GB)、采用 3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技術的產(chǎn)品，預計于 2017 年下半送樣、2018 年開始進行量產(chǎn)，主要用來搶攻數(shù)據(jù)中心用 SSD、PC 用 SSD 以及智能手機、平板電腦和存儲卡等市場。 　　東芝今后也計劃推出采用堆疊 96 層制程技術的
  • 關鍵字： 東芝  NAND  

PC內(nèi)存一年價格翻一倍多，二季度還要再漲10-20%

  • 　　2017年JS靠著挖礦顯卡價格大漲賺錢了，只不過這一波顯卡漲價雖然很瘋狂，但是漲幅并不是最高的，內(nèi)存價格上漲的才是驚人，8GB DDR4內(nèi)存條現(xiàn)在普遍在400元以上，去年這時候價格才199元呢，當時還覺得貴呢，現(xiàn)在價格翻倍都不止了。目前內(nèi)存漲價的趨勢還沒有得到抑制，Q1季度PC內(nèi)存已經(jīng)大漲36%了，可Q2季度還會繼續(xù)上漲10-20%，因為三星、SK Hynix及美光等廠商現(xiàn)在的產(chǎn)能并沒有增加，市場供需還是不平衡。   　　這一年多了沒升級什么PC硬件了，雖然寫新聞的過程中也知道內(nèi)存、
  • 關鍵字： 內(nèi)存  閃存  

64層堆棧是3D NAND的「甜蜜點」？

  • 　　64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎，預計將在未來18個月內(nèi)成為市場主流... 　　Western Digital(WD)內(nèi)存技術執(zhí)行副總裁Siva Sivaram日前指出，64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎。 　　在最近接受《EE Times》的訪問中，Siva Sivaram將64層3D NAND定義為一種「開創(chuàng)性技術」(seminal technology)，可望應用于WD逾50種產(chǎn)品線。 他預計今年WD約有一半的產(chǎn)品線都將采用3D
  • 關鍵字： NAND  堆棧  

再延期 東芝傾向于將閃存芯片業(yè)務賣給美日韓聯(lián)合體

  • 　　6月20日消息，據(jù)國外媒體報道，東芝預計將在月底決定閃存芯片業(yè)務的最終買家，而此前出價最高的由富士康和蘋果等企業(yè)組成的競購團，有可能在競購中白忙活一場，因為外媒的消息顯示，東芝更傾向于將閃存芯片業(yè)務賣給貝恩資本牽頭的由美國、日本和韓國企業(yè)組成的聯(lián)合體。 　　   　　由于美國核電業(yè)務減記帶來了巨大的虧損，東芝目前面臨資不抵債的困境，急需資金，東芝因此決定剝離閃存芯片業(yè)務并將其出售以換取資金。 　　目前共有富士康、美國芯片制造商博通、貝恩資本牽頭的三大財團參與東芝閃存芯片業(yè)務的競購
  • 關鍵字： 東芝  閃存  

三星64層NAND閃存宣布量產(chǎn)

  • 　　三星電子 15 日宣布，最新 64 層 256GB V-NAND 閃存已進入量產(chǎn)，與此同時，三星還將擴展包含服務器、PC 與行動裝置的儲存解決方案。 　　64 層 V-NAND 閃存用稱為第四代 V-NAND 芯片，南韓 ITtimes.com 報導指出，三星為穩(wěn)固領先優(yōu)勢，打算于年底把第四代芯片占每月生產(chǎn)比重拉高至五成以上。 　　其實，三星今年 1 月已先為某關鍵客戶，打造第一顆內(nèi)含 64 層 V-NAND 芯片的固態(tài)硬盤(SSD)，自此之后，三星持續(xù)朝行動與消費型儲存市場開發(fā)新應用，務求與 I
  • 關鍵字： 三星  NAND  

若拿下東芝 郭董：優(yōu)先設廠美國

  • 　　鴻海董事長郭臺銘昨(12)日證實，將籌組美、日、臺夢幻團隊，共同競標東芝半導體。 對日本出現(xiàn)擔心鴻?！钢袊蛩亍沟脑u論，郭董炮火全開，左打美系私募基金，右批日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省高層，并強調(diào)，鴻海如果順利得標，海外市場將優(yōu)先考慮在美設內(nèi)存芯片廠。 　　東芝半導體競標案進入倒數(shù)計時，預計本周公布結果。 競標者之一鴻海動作不斷，郭臺銘接連接受日經(jīng)新聞、路透社專訪。 郭董強調(diào)，如果鴻海順利標下東芝半導體事業(yè)，希望未來能在海外建立內(nèi)存工廠，地點將優(yōu)先考慮美國。 　　郭臺銘補充，因為美國國內(nèi)市場需求在當?shù)剡€沒達到，
  • 關鍵字： 東芝  NAND   

NAND閃存的三種架構：MLC、SLC、MBC

  • NAND閃存的內(nèi)部架構:NAND閃存可以分為三種不同架構，即：單層單元SLC 多層單元MLC多位單元MBC。其中，MBC以NROM技術為基礎的NAND閃存架構，由英飛凌與Saifun合作開發(fā)，但該項架構技術并不成熟。采SLC架構是在每個Cell中存儲1個bit的信息，以達到其穩(wěn)定、讀寫速度快等特點，Cell可擦寫次數(shù)為10萬次左右。作為SLC架構，其也有很大的缺點，就是面積容量相對比較小，并且由于技術限制，基本上很難再向前發(fā)展了。
  • 關鍵字： MLC  閃存  NAND  英特爾  

基于FPGA的存儲解決方案——閃存

  • 閃存存儲器是嵌入系統(tǒng)中經(jīng)常使用的非易失性存儲器。在基于FPGA的嵌入系統(tǒng)中，由于FPGA沒有包括閃存，所以閃存始終是外置設備。由于閃存存儲器能夠在斷電后保持數(shù)據(jù)內(nèi)容，它經(jīng)常用于存儲微處理器啟動代碼及其它需要在無電情況下繼續(xù)保持的數(shù)據(jù)。閃存存儲器既適用于并行接口又適用于串行接口。并行閃存設備與串行閃存設備的基本存儲技術是相同的。
  • 關鍵字： 存儲器  閃存  串行接口  

每況愈下 東芝還能否從風暴中脫身？

  • 公司內(nèi)部派系斗爭問題，又因外部的2008年金融海嘯與2011年福島核災影響日本經(jīng)濟及東芝業(yè)績，造成派系斗爭惡化，及為自保而偽造業(yè)績歪風興起，等到2015年事件爆發(fā)，發(fā)現(xiàn)該廠從2008會計年度(2008/4~2009/3)便有業(yè)績灌水的問題，事件逐一發(fā)不可收拾。
  • 關鍵字： 東芝  NAND   

NAND Flash下季度或史上最缺貨

  • 　　NAND Flash控制芯片與模塊廠群聯(lián)董事長潘健成日前估計，接下來將面臨史上最缺貨的第3季，而該公司也積極備戰(zhàn)，近日捧著5000多萬美元現(xiàn)金，大舉吃下某大廠釋出的貨源，為下半年建立更多庫存。 　　群聯(lián)在去年初NAND Flash市況尚未大熱時，建立的庫存水位一度超過三億美元，后來市場景氣于去年第3季開始往上，價格走升，也讓該公司因此大賺。 　　潘健成提到，今年大概只有5月有機會多收貨，所以該公司在前兩個禮拜以現(xiàn)金買了大約5000多萬美元的額外貨源，預計可供第3季使用。 　　群聯(lián)在今年4月時，手
  • 關鍵字： NAND  

2017第一季度NAND Flash品牌廠商營收排名

  • 　　集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，第一季整體NAND Flash市況延續(xù)第四季持續(xù)受到缺貨影響，即使第一季度為傳統(tǒng)NAND Flash淡季，渠道顆粒合約價卻仍上揚約20-25%。在智能終端設備如智能手機與平板電腦內(nèi)的行動式存儲價格也呈現(xiàn)雙漲的狀況下，2017年將是NAND Flash成果豐碩的一年。 　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制，進而轉進垂直堆棧制程(3D/Vertical-NAND)
  • 關鍵字： NAND  SK海力士  

3D NAND這么火，比2D NAND到底優(yōu)秀在哪？

  • 如果用一個詞來描述2016年的固態(tài)硬盤市場的話，那么閃存顆粒絕對是會被提及的一個關鍵熱詞。在過去的2016年里，圍繞著閃存顆粒發(fā)生了一系列大事，包括閃存顆粒的量產(chǎn)引發(fā)固態(tài)漲價，閃存顆粒的制程問題引發(fā)的廠商競爭，以及“日經(jīng)貼”般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。
  • 關鍵字： 閃存  3DNAND  2DNAND  
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nand 閃存介紹

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