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EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

如何將“壞塊”進行有效利用

  • 　　被廣泛應(yīng)用于手機、平板等數(shù)碼設(shè)備中的Nand Flash由于工藝原因無法避免壞塊的存在，但是我們可以憑借高科技變廢為寶，將“壞塊”進行有效的利用，從而滿足我們的應(yīng)用需求，讓壞塊不“壞”。 　　要想變廢為寶，有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”，做到知己知彼，才能為我所用。壞塊的特點是當(dāng)編程或者擦除這個塊時，不能將某些位拉高，從而造成編程和塊擦除操作時的錯誤，這種錯誤可以通過狀態(tài)寄存器的值反映出來。這些無效塊無法確定編程時
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2017年中國將推自主生產(chǎn)32層堆棧3D NAND閃存

  • 　　由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導(dǎo)，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo)，預(yù)計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。 　　   　　2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè)，今年3月份12寸晶圓
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大陸發(fā)展存儲器大計三箭齊發(fā)　明年推首顆自制3D NAND芯片

  • 　　大陸發(fā)展3D NAND、DRAM、NOR Flash存儲器大計正如火如荼地展開，初步分工將由長江存儲負(fù)責(zé)3D NAND及DRAM生產(chǎn)，武漢新芯則專職NOR Flash和邏輯代工。2016年底長江存儲將興建首座12吋廠，最快2017年底生產(chǎn)自制32層堆疊3D NAND芯片，盡管落后目前三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)技術(shù)約2個世代，然大陸終于將全面進軍NAND Flash領(lǐng)域。 　　盡管大陸并未趕上NAND Flash存儲器世代，但在存儲器技術(shù)改朝換代之際，大
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SLC、MLC、TLC閃存芯片的區(qū)別

  • SLC、MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架構(gòu)的TLC芯片技術(shù)是MLC和TLC技術(shù)的延伸，最早期NAND Flash技術(shù)架構(gòu)是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1個存儲器儲存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料，直到MLC(Multi-Level Ce
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NAND FLASH扇區(qū)管理

  • 首先需要了解NAND FLASH的結(jié)構(gòu)。如圖：以鎂光MT29F4G08BxB Nand Flash為例，這款Flash(如上圖)以4個扇區(qū)(sector)組成1個頁(page)，64個頁(page)組成1個塊(block)，4096個塊(block)構(gòu)成整個Flash存儲器;由于每個扇區(qū)
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西數(shù)超車三星電子或點燃NAND價格戰(zhàn)

  • 　　全球硬盤機大廠Western Digital(WD)和日廠東芝(Toshiba)合作，打算超車三星電子，搶先生產(chǎn)64層3D NAND Flash。不過外資警告，要是WD和東芝真的追上三星，三星可能會擴產(chǎn)淹沒市場，重創(chuàng)NAND價格。 　　巴倫(Barronˋs)11日報道，Jefferies & Co.的James Kisner表示，WD和東芝計劃搶在三星之前，生產(chǎn)64層3D NAND flash，此舉可能導(dǎo)致三星擴產(chǎn)還擊。報告稱，當(dāng)前三星在業(yè)界握有主導(dǎo)權(quán)，將密切關(guān)注WD/閃迪(WD去年收購了
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第四季NAND Flash缺貨狀況更明顯 價格續(xù)揚

  • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange)最新調(diào)查顯示，在智能手機及各種固態(tài)硬盤的強勁需求下，第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯，NAND Flash wafer與卡片價格將持續(xù)上漲至年底的趨勢確立，eMMC/eMCP與固態(tài)硬盤的價格也呈現(xiàn)上漲，預(yù)期第四季NAND Flash業(yè)者營收及利潤將較第三季更為出色。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，下半年NAND Flash市況逐漸轉(zhuǎn)強的主要因素來自于智能手機需求的成長。雖然iPhone 7的銷售
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TrendForce：第四季NAND Flash缺貨狀況更明顯，價格續(xù)揚

  • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示，在智能手機及各種固態(tài)硬盤的強勁需求下，第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯，NAND Flash wafer與卡片價格將持續(xù)上漲至年底的趨勢確立，eMMC/eMCP與固態(tài)硬盤的價格也呈現(xiàn)上漲，預(yù)期第四季NAND Flash業(yè)者營收及利潤將較第三季更為出色。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，下半年NAND Flash市況逐漸轉(zhuǎn)強的主要因素來自于智能手機需求的成長。雖然iPh
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未來半導(dǎo)體業(yè)進入五大轉(zhuǎn)折 新興驅(qū)動力具獨特優(yōu)勢

  • 未來半導(dǎo)體進入五大轉(zhuǎn)折，包括邏輯芯片制程技術(shù)推進到10/7納米;存儲器推進到3D NAND Flash;因應(yīng)芯片愈來愈小，制圖成型依賴愈來愈高;移動設(shè)備導(dǎo)入OLED比重會愈來愈高以及大陸積極扶植半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。
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打破半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)業(yè)三強鼎立局面的機會何在？

  • 半導(dǎo)體存儲器是一個高度壟斷的市場，其三大主流產(chǎn)品DRAM，NANDFlash，NORFlash更是如此，尤其是前兩者，全球市場基本被前三大公司占據(jù)，且近年來壟斷程度逐步加劇。
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中國手機出貨強勁 推動?xùn)|芝營業(yè)利潤預(yù)期上調(diào)一倍

  • 　　據(jù)外媒報道，東芝今天將截至9月份的上半財年營業(yè)利潤預(yù)期上調(diào)一倍以上至700億日元(約合6.95億美元)，此前預(yù)期為300億日元。 　　受此消息推動，東芝股價在周三快速上漲，創(chuàng)下自去年10月以來的最高點。這是東芝第二次上調(diào)營業(yè)利潤預(yù)期，該公司在今年5月份最初預(yù)計上半財年將營業(yè)虧損200億日元。 　　智能機存儲芯片的強勁需求推動?xùn)|芝上調(diào)營業(yè)利潤預(yù)期。另外，比東芝保守預(yù)期更為疲軟的日元匯率也發(fā)揮了推動作用。 　　芯片需求的增長源于中國智能機出貨量的強勁表現(xiàn)。盡管全球智能機市場表現(xiàn)乏力，但是中國智能機出
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NAND閃存需求提升 東芝調(diào)高上半年獲利預(yù)測

  • 　　先前，因為受到連續(xù)7年作假帳風(fēng)波，因而導(dǎo)致公司商譽嚴(yán)重受損，并且沖擊投資人信心的日本電子大廠東芝(Toshiba)，28日宣布上調(diào)2016年上半年度的獲利預(yù)測，預(yù)估將上調(diào)至850億日元的水準(zhǔn)，較原本預(yù)估的700億日元調(diào)高21.43%，每股EPS也將達到20.08日元，等于宣告正式擺脫公司作假帳的陰霾。 　　東芝于28日發(fā)出的消息表示，由于受惠于智能手機對于NAND閃存的提升，尤其在中國市場，在手機制造商不斷提升產(chǎn)品的儲存能力，所以需要性能越來越好的NAND閃存產(chǎn)品，導(dǎo)致相關(guān)價格的不斷上揚，如此以進一
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三大變化為日本半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)增添活力

  • 　　日媒稱，日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會日前宣布8月份半導(dǎo)體制造設(shè)備的訂貨金額(3個月移動平均值，速報值)為1348億日元(約合人民幣90億元)，同比增長30.8%。這是自2014年3月(34.0%)以來時隔29個月增長率首次超過30%。中國半導(dǎo)體制造商興起、半導(dǎo)體的微細(xì)化、立體化這三大變化為整個產(chǎn)業(yè)帶來了活力。另一方面，半導(dǎo)體設(shè)備制造商之間的優(yōu)勝劣汰也有可能變得更加明顯。 　　據(jù)外媒報道，“采購設(shè)備的時間提前了”，東電電子社長河合利樹無法掩飾他對半導(dǎo)體制造商們強烈設(shè)備投資欲的驚訝。
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日媒：中國半導(dǎo)體制造設(shè)備市場大幅增長

  • 　　據(jù)韓聯(lián)社9月19日報道，韓國市場調(diào)研機構(gòu)IHS和半導(dǎo)體業(yè)界19日消息，三星電子在今年第二季度整合元件制造商排名中位列第二，銷售額占有率為11.3%，與英特爾的差距縮小到3.4個百分點。 　　今年第二季度三星電子銷售額達94.52億美元，排名第一的美國英特爾半導(dǎo)體銷售額達122.72億美元，市場份額為14.7%。 　　三星與英特爾的市場份額差距在2012年達5.3個百分點，2013年為4.2個百分點，2014年3.4個百分點，2015年為3.2個百分點。雖然，今年第一季度差距拉大到4個百分點以上，但
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第二季NAND Flash品牌營收排行

  • 　　第二季NAND Flash品牌商營收較上季成長3.4%，結(jié)束前兩季連續(xù)衰退的頹勢。 　　受惠于中國智慧型手機品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求，第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊;TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，2016年第二季eMMC、用戶級固態(tài)硬碟與企業(yè)級固態(tài)硬碟的合約價跌幅開始收斂，通路端wafer價格更從四月起逐月走揚，第二季NAND Flash品牌商營收逆勢季成長3.4%，結(jié)束前兩季連續(xù)衰退的頹勢。 　　DRAM
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nand 閃存介紹

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