nand 閃存 文章 進(jìn)入nand 閃存技術(shù)社區(qū)
武漢新芯閃存芯片廠動工 中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)能否后來居上？
- 中國正打造一個世界級的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，生產(chǎn)廣泛用于電子設(shè)備的存儲芯片。中國正斥資240億美元打造一個世界級的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，將與一家美國公司合作生產(chǎn)廣泛用于電子設(shè)備的存儲芯片。 武漢新芯集成電路制造有限公司(XMC)發(fā)言人表示，武漢新芯周一將在湖北省武漢市動工興建中國自己的首家閃存芯片工廠。這家芯片代工企業(yè)為中國政府所有。 武漢新芯去年與美國閃存生產(chǎn)商Spansion Inc. (CODE)結(jié)成合作伙伴，共同研發(fā)下一代芯片技術(shù)。Spansion后來在一樁50億美元的全股票合并交易中被柏士半導(dǎo)體(C
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東芝將向NAND投資8600億日元，預(yù)計(jì)2016財(cái)年銷售不到5萬億日元
- “失去的信任不是一朝一夕可以挽回的。雖然無法預(yù)測需要多長時(shí)間，但希望能獲得新生，成為一家能永久發(fā)展下去的企業(yè)”。東芝于2016年3月18日在東京召開了2016年度業(yè)務(wù)計(jì)劃說明會，代表執(zhí)行董事社長室町正志在會上這樣說道。 東芝的一系列結(jié)構(gòu)改革都已有了目標(biāo)。在說明會前一天，東芝宣布將把醫(yī)療器械子公司——東芝醫(yī)療系統(tǒng)出售給佳能，將把白色家電業(yè)務(wù)出售給美的集團(tuán)(參閱本站報(bào)道1)。關(guān)于個人電腦業(yè)務(wù)與其他公司進(jìn)行業(yè)務(wù)合并一事，室町表示“希望在201
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東芝將投資3,600億日圓擴(kuò)大閃存芯片生產(chǎn)
- 東芝公司(Toshiba Corp., 6502.TO, TOSSY)周四稱，將投資3,600億日圓(合32億美元)，用于擴(kuò)大閃存芯片生產(chǎn)。這是東芝為保持與韓國對手三星電子(Samsung Electronics Co., 005930.SE)的競爭能力而推出的最新舉措。 東芝預(yù)計(jì)，在截至3月底的當(dāng)前財(cái)政年度內(nèi)，公司將出現(xiàn)巨額虧損。東芝正在進(jìn)行全方位的企業(yè)重組，包括削減數(shù)千個工作崗位和出售較小的部門等，旨在將重心放在半導(dǎo)體及核電廠業(yè)務(wù)上。 東芝說，這項(xiàng)3,600億日圓的投資計(jì)劃將跨越未來三
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2016年迎3D NAND技術(shù)拐點(diǎn)，誰輸在起跑線？
- 為了進(jìn)一步提高NAND Flash生產(chǎn)效益，2016年Flash原廠將切入1znm(12nm-15nm)投產(chǎn)，但隨著逼近2D NAND工藝可量產(chǎn)的極限，加快向3D技術(shù)導(dǎo)入已迫在眉睫，2016年將真正迎來NAND Flash技術(shù)拐點(diǎn)。 1、積極導(dǎo)入48層3D技術(shù)量產(chǎn)，提高成本競爭力 與2D工藝相比，3D技術(shù)的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲容量。3D技術(shù)若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達(dá)128Gb，與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競爭力。
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2015年第四季NAND品牌商營收/利潤衰退
- 2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續(xù)供過于求，除通路顆粒合約價(jià)下滑9~10%外，智慧型手機(jī)、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預(yù)期，也讓eMMC與SSD價(jià)格單季下滑幅度擴(kuò)大至10~11%。 TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示，在價(jià)格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營收較第三季衰退2.3%。該機(jī)構(gòu)研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆齼r(jià)格下滑幅度加劇外，現(xiàn)階段主流NAND Flash製程轉(zhuǎn)進(jìn)已遇到瓶頸，三星(Sam
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2015年第四季NAND廠商營收排行
- 2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續(xù)供過于求，除通路顆粒合約價(jià)下滑9~10%外，智慧型手機(jī)、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預(yù)期，也讓eMMC與SSD價(jià)格單季下滑幅度擴(kuò)大至10~11%。 TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示，在價(jià)格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營收較第三季衰退2.3%。該機(jī)構(gòu)研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，除價(jià)格下滑幅度加劇外，現(xiàn)階段主流NAND Flash制程轉(zhuǎn)進(jìn)已遇到瓶頸，三星(Sam
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運(yùn)用材料工程解決半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)拐點(diǎn)的挑戰(zhàn)
- 今年，半導(dǎo)體行業(yè)將迎來幾大重要的技術(shù)拐點(diǎn)。存儲器制造商正逐步轉(zhuǎn)向3D NAND技術(shù)，從而以更低的單位成本打造性能更出眾、密度更高的存儲設(shè)備。我們預(yù)計(jì)2016年所有主要存儲器制造商都將實(shí)現(xiàn)3D NAND器件的批量生產(chǎn)。 由平面結(jié)構(gòu)向3D NAND器件的過渡將帶來一系列生產(chǎn)工藝上的新要求，促進(jìn)了由材料所推動的芯片尺寸縮微，推升了對新材料、新工藝技術(shù)的需求。在這個背景下，對厚度和一致性能夠進(jìn)行精確的、原子級層到層控制的新型沉積和蝕刻設(shè)備，對于制造多層堆疊存儲單元來說至關(guān)重要。此外，隨著越來越多支持圖案
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國內(nèi)NAND Flash產(chǎn)業(yè)開始崛起 主控芯片廠商最有希望拔得頭籌
- 2015年中國半導(dǎo)體廠商在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)的布局與投資逐漸加溫。除了在晶圓制造端的布局外，主控芯片得益于在整體NANDFlash產(chǎn)業(yè)極大的戰(zhàn)略地位，也將成為下一波中國半導(dǎo)體業(yè)值得關(guān)注的焦點(diǎn)。 TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆跔I運(yùn)上中國國產(chǎn)主控芯片廠商除直接銷售芯片外，多半推出完整的固態(tài)硬盤解決方案以便直接切入市場應(yīng)用。主要目標(biāo)客戶群多以企業(yè)級存儲、政府機(jī)關(guān)與國防軍工等原先合作關(guān)系密切，或是有投資關(guān)系的戰(zhàn)略伙伴為主。產(chǎn)品開發(fā)則傾力下個世代
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慧榮科技攜嵌入式存儲和圖形產(chǎn)品亮相2016嵌入式世界展會
- 在設(shè)計(jì)和推廣固態(tài)存儲設(shè)備專用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation,)于2月23至25日在德國紐倫堡舉行的2016嵌入式世界展會，在1號廳160號展臺向業(yè)界展示其針對汽車、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的各種嵌入式存儲及圖形解決方案?！ 』蹣s科技展臺將展出如下產(chǎn)品： Ferri-eMMC?解決方案 Ferri-eMMC解決方案是一款集成了NAND閃存、嵌入式微控制器和固件的高成本效益、小尺寸產(chǎn)
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存儲器接連刷新歷史最高紀(jì)錄，768Gbit 3D NAND亮相
- 在“ISSCC 2016”(2016年1月31日～2月4日于美國舊金山舉行)會議上，NAND的大容量化和微細(xì)化、SRAM的微細(xì)化，以及DRAM的高帶寬化等存儲器 技術(shù)取得穩(wěn)步進(jìn)展，接連刷新了歷史最高紀(jì)錄。除了這些存儲器的“正常推進(jìn)”之外，此次的發(fā)表還涉及車載高可靠混載閃存等的應(yīng)用、新型緩存及TCAM，內(nèi)容 豐富?！ 〈鎯ζ鲿h共有3個。分別以非易失存儲器、SRAM、DRAM為主題。3場會議共有14項(xiàng)發(fā)表。其中有12項(xiàng)來自亞洲，日本有2項(xiàng)(內(nèi)容均為非易失存儲器)。下面來介紹
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3D NAND技術(shù)謹(jǐn)慎樂觀 中國存儲產(chǎn)能有望釋放
- 全球DRAM市場先抑后揚(yáng)。2015年DRAM收入預(yù)計(jì)下降2.4%，2016年將下降10.6%，有望在2017年與2018年迎來復(fù)蘇。但是，預(yù)測隨著中國公司攜本地產(chǎn)品進(jìn)入DRAM市場，DRAM價(jià)格將在2019年再次下降;占2014年內(nèi)存用量需求20.9%的傳統(tǒng)產(chǎn)品(桌面PC與傳統(tǒng)筆記本電腦)產(chǎn)量預(yù)計(jì)在2015年下降11.6%，并在2016年進(jìn)一步下降6.7%。 DRAM市場2016年供過于求 近期，我們對于DRAM市場的預(yù)測不會發(fā)生顯著變化;2015年與2016年將遭遇市場總體營收下滑，而在
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Toshiba準(zhǔn)備出售NAND以外的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)
- 根據(jù)日本當(dāng)?shù)氐呢?cái)經(jīng)媒體《日經(jīng)新聞(Nikkei)》近日報(bào)導(dǎo)，大廠東芝(Toshiba)已經(jīng)決定出售半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，僅留下快閃記憶體產(chǎn)品線;此舉被視為是經(jīng)歷過假帳丑聞、付出高昂組織重整代價(jià)的該公司轉(zhuǎn)虧為盈之必要步驟。 未來東芝將專注并強(qiáng)化在快閃記憶體與核能業(yè)務(wù)的投資與經(jīng)營，該公司并將上述兩大業(yè)務(wù)做為成長支柱。東芝目前是僅次于三星電子(Samsung Electronics)的全球第二大NAND快閃記憶體供應(yīng)商，這也是該公司保留記憶體業(yè)務(wù)、將出售其他半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的原因。 將出售的東芝半導(dǎo)體業(yè)務(wù)包括類
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