近日在加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(Flash Memory Summit)上，鎂光公布了他們的首款 3D NAND 閃存芯片。這種閃存芯片在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲存空間。據(jù) PCWorld 報道，鎂光這款 3D 閃存芯片的容量為 32GB，其目標市場為中高端的智能手機。該產品基于新的 UFS 2.1 標準，市面上的智能手機均未使用這種理論上更快的儲存協(xié)議。
鎂光認為智能手機對內存容量的需求越來越高，虛擬現(xiàn)實應用和流媒體都將占用大量的儲存空間。他們表示，在幾年
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鎂光 NAND
中中國下決心做存儲器芯片，是個特別重大，而又十分艱難的決定，國存儲器業(yè)要取得成功，總體上產業(yè)發(fā)展有三條路徑，研發(fā)，兼并及合資，合作都是十分有效，然而經過一段時間的實踐，有一定進展，但是情況也有些變化，這一切唯有通過研發(fā)的早日成功，才能扭轉被動的局面。
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存儲器 NAND
據(jù)韓國經濟報導，大陸半導體產業(yè)在政府的強力支援下，清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略，迫使南韓、日本、美國等主要半導體業(yè)者也紛紛強化投資。
市調業(yè)者DRAM eXchange表示，全球半導體市場中，NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復合成長率(CARG)47%的速度成長;清華紫光以新成立的長江存儲進行武漢新芯的股權收購，成立長江存儲科技有限責任公司，未來可能引發(fā)NAND Flash市場版圖變化。
清華紫光擁有清華大學的人脈，在社會上擁有一定的影響力，武漢新芯擁有技術方面
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三星 3D NAND
上周東芝及WD(西部數(shù)據(jù))宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。外電報道，三星將搶先于今年底前開始量產64層3D NAND，三星表示，目標是今年生產4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。
SSD(固態(tài)硬盤)近年來制程技術演進，成本價格逐漸逼近硬盤(Hard disk)，因此滲透率大增，各大廠陸續(xù)將生產DRAM產能逐漸轉向NAND Flash(儲存型快閃記憶體)，大搶市占率，除了比市
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三星 NAND
上周東芝及WD(西部數(shù)據(jù))宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。外電報道，三星將搶先于今年底前開始量產64層3D NAND，三星表示，目標是今年生產4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。
SSD(固態(tài)硬盤)近年來制程技術演進，成本價格逐漸逼近硬盤(Hard disk)，因此滲透率大增，各大廠陸續(xù)將生產DRAM產能逐漸轉向NAND Flash(儲存型快閃記憶體)，大搶市占率，除了比市
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東芝 NAND
我們獲取和存儲數(shù)據(jù)的方式發(fā)生了巨大轉變，這是近年來半導體行業(yè)出現(xiàn)并購潮的原因所在。
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半導體 NAND
陶氏電子材料是陶氏化學公司的一個事業(yè)部，本日推出 OPTIPLANE™ 化學機械研磨液 (CMP) 平臺。OPTIPLANE 研磨液系列的開發(fā)是為了滿足客戶對先進半導體研磨液的需求：能以有競爭力的成本，符合減少缺陷的要求和更嚴格的規(guī)格，適合用來製造新一代先進半導體裝置。
全球 CMP 消耗品市場持續(xù)成長，部分的成長驅動力來自新的 3D 邏輯、NAND 快閃記憶體和封裝應用，這些均要求大幅提高的平坦化效果和最低程度的缺陷率，以符合無數(shù)先進電子裝置的性能需求。
「生產先進半導體晶圓
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陶氏 NAND
經過8個多月的努力，英特爾大連非易失性存儲制造新項目7月初實現(xiàn)提前投產。7月25日，記者在英特爾半導體(大連)有限公司廠區(qū)內看到，1000多名英特爾員工和來自全世界的數(shù)千名項目建設供應商員工，正井然有序地忙碌著，他們的共同目標只有一個：全力加速非易失性存儲制造新項目的量產步伐。
去年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠建設為世界上最先進的非易失性存儲器制造工廠。該項目是迄今為止英特爾在中國的最大一筆投資，也是大連市乃至遼寧省改革開放以來最大的外資項目。此前的2010年，作為英特爾在亞洲
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英特爾 NAND
NAND快閃記憶體受惠固態(tài)硬盤(SSD)銷售熱絡，加上智能手機搭載容量提高，帶動近月價格持續(xù)上漲，創(chuàng)見、威剛等模組廠營運受惠，市場預期蘋果將推出的iPhone 7拉貨動能如何，將攸關NAND快閃記憶體價格續(xù)漲力道。
市場指出，上半年非蘋陣營智能手機產品銷售強勁，產品功能提升帶動記憶體需求大增，加上6月三星西安廠因變電廠爆炸導致停工，帶動NAND快閃記憶體價格上漲，主流產品在1個月內漲幅超過2成。
市況變化帶動記憶體模組廠營運增溫，創(chuàng)見表示，在漲價預期心理帶動下，通路拉貨力道明顯回升，DRA
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NAND DRAM
因中國大陸、中國臺灣智能手機廠商紛紛強化產品功能、帶動記憶體需求大增，加上三星電子西安工廠6月因附近變電廠爆炸而一度停工，帶動使用于智能手機、記憶卡的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)交易價格轉趨走揚，指標性產品6月份批發(fā)價在1個月期間內飆漲22%。
報道指出，6月份MLC(Multi-Level Cell)類型64Gb NAND價格揚升至每個2.75美元、為2年9個月以來首度走升，其中也有部分交易價格超過3美元，且進入7月以來價格仍持續(xù)走揚。據(jù)英國調查公司指出，2016年全球NA
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三星 NAND
三星3D V-NAND立體堆疊閃存行業(yè)聞名，而且已經堆到了驚人的48層，工藝精良，不過據(jù)《日經亞洲評論》報道，東芝正在謀劃多達64層的NAND閃存，比三星多三分之一!
7月15日，東芝舉辦了日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導體二廠的啟用儀式，并透露將在此生產48層堆疊閃存，并計劃2016財年(截止到2017年3月底)內量產。
這種閃存的成本和價格會比較高，但是因為容量可以做的更大，平均價格反而會更便宜，可用于從智能手機、固態(tài)硬盤到數(shù)據(jù)中心等各種領域，初期主要供應持續(xù)增長的數(shù)據(jù)中心。
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東芝 閃存
目前，越來越多的智能手機廠商，開始大幅度提高手機閃存的容量，市場對于閃存的需求和技術要求越來越高。據(jù)悉，日本東芝和韓國三星電子在閃存技術上存在激烈競爭，而東芝領先了一局，該公司即將大規(guī)模生產3D閃存。
手機內存越配越高
據(jù)日本經濟新聞周六報道，本財年內(明年三月底之前)，東芝公司將會投產最新一代的3D閃存，這將領先于閃存老對手三星電子。
眾所周知的是，東芝因為財務丑聞，公司運營陷入了艱難境地，東芝也希望自己占據(jù)技術優(yōu)勢的閃存業(yè)務，能夠提振全公司的表現(xiàn)。
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東芝 閃存
據(jù)海外媒體報道，東芝(Toshiba)計劃領先三星電子(Samsung Electronics)于2016財年開始量產64層3D NAND Flash存儲器芯片。日經亞洲評論(Nikkei Asian Review)報導，東芝于7月15日舉辦日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導體二廠啟用儀式，未來將在此工廠生產64層NAND Flash。
64層NAND Flash較東芝和三星目前生產的48層NAND Flash容量高30%，雖然價格較高，但每單位容量會比48層版的便宜。若應用于智能型手機
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東芝 NAND
有關中國半導體業(yè)發(fā)展的討論已經很久了，似乎路徑已經清晰，關鍵在于執(zhí)行，以及達成何種效果。受現(xiàn)階段產業(yè)大環(huán)境的影響，仍由政府資金主導，因此非市場化的因素尚在，產業(yè)的波浪式前進似乎不可避免，中國半導體業(yè)發(fā)展需要采用研發(fā)、兼并及合資與合作的三駕馬車，這三者都十分重要，需要齊頭并進。
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半導體 NAND
備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃記憶體已經出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。
三星(Samsung)早在2015年8月就發(fā)布其256Gb的3位元多級單元(MLC) 3D V-NAND快閃記憶體K9AFGY8S0M，并強調將用于各種固態(tài)硬碟(SSD)，也預計會在2016年初正式上市。這些承諾如今真的實現(xiàn)了，我們得以在其2TB容量的T3系列mSATA可攜式SSD中發(fā)現(xiàn)其蹤影(如圖1)。
圖1：三星T3 2TB S
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三星 V-NAND
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