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nand 閃存
nand 閃存 文章 進(jìn)入nand 閃存技術(shù)社區(qū)
中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket正從價(jià)格基準(zhǔn)向品質(zhì)基準(zhǔn)擴(kuò)展
- 9月6日,由深圳市閃存市場(chǎng)資訊有限公司主辦的以“中國(guó)存儲(chǔ)?全球格局”為主題的中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)在深圳華僑城洲際酒店圓滿落幕。本次峰會(huì)齊聚三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達(dá)、Marvell、江波龍、慧榮、硅格、大基金、漢德資本、海康存儲(chǔ)等企業(yè)重量級(jí)嘉賓,一起探討存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展和企業(yè)市場(chǎng)發(fā)展機(jī)會(huì)?! ⊥瑫r(shí),吸引全球近700家企業(yè)參會(huì),其中包括東芝、西部數(shù)據(jù)、SK海力士、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、華為、聯(lián)想、中興、網(wǎng)易、騰訊、阿里巴巴等企業(yè)參會(huì),涵蓋領(lǐng)域包括存儲(chǔ)企業(yè)、手機(jī)、電腦、汽車、工業(yè)、大數(shù)據(jù)應(yīng)用等,當(dāng)天
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CFM:原廠加碼投資擴(kuò)產(chǎn)64層3D NAND,然部分市場(chǎng)仍缺貨到年底
- 9月6日,由深圳市閃存市場(chǎng)資訊有限公司主辦以“中國(guó)存儲(chǔ)?全球格局”為主題的中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)(China Flash Market Summit 2017)在深圳華僑城洲際酒店圓滿落幕。本次峰會(huì)除了齊聚國(guó)內(nèi)外產(chǎn)業(yè)鏈重要企業(yè)嘉賓演講,其中包括三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達(dá)、江波龍、慧榮、硅格、大基金、漢德資本等業(yè)界知名企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)。 當(dāng)天吸引全球近700家企業(yè)參會(huì),其中包括西部數(shù)據(jù)、SK海力士、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、金士頓、華為、聯(lián)想、中興、百度、阿里巴巴等企業(yè)參會(huì),涵蓋領(lǐng)域包括存儲(chǔ)企業(yè)、手機(jī)、電腦、
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莫大康:中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)要奮力突圍
- 與美國(guó)在半導(dǎo)體先進(jìn)工藝制程等方面的差距,不僅表現(xiàn)在人材,技術(shù)等方面,可能更大的差距在于綜合的國(guó)力,以及產(chǎn)業(yè)大環(huán)境的改善,所以此次奮力突圍一定要取得更大的進(jìn)步。 01引言 近期華爾街日?qǐng)?bào)撰文“中國(guó)的下一個(gè)目標(biāo)奪下美國(guó)的芯片霸主地位”。明眼人看得很清楚,它是站在美方的立場(chǎng),歪曲事實(shí)。 此次中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的“奮力突圍”,有兩層意義: 一個(gè)是差距大,希望迅速的成長(zhǎng),至多是擴(kuò)大芯片的自給率。 另一個(gè)是西方千方百計(jì)的阻礙中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的進(jìn)步
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狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能 三星3D NAND、DRAM、7納米制程大擴(kuò)產(chǎn)
- 2017年三星電子(SamsungElectronics)同步啟動(dòng)DRAM、3DNAND及晶圓代工擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,預(yù)計(jì)資本支出上看150億~220億美元,遠(yuǎn)超過(guò)臺(tái)積電100億美元和英特爾(Intel)120億美元規(guī)模,三星為確保新產(chǎn)能如期開(kāi)出,近期傳出已與多家硅晶圓供應(yīng)商洽談簽長(zhǎng)約,狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能,并傳出環(huán)球晶已通知客戶自2018年起硅晶圓供應(yīng)量將減少30%,主要便是為支持三星產(chǎn)能需求做準(zhǔn)備。 三星為因應(yīng)DRAM和3DNAND市場(chǎng)強(qiáng)勁需求,加上在邏輯事業(yè)全力投入7納米制程,企圖與臺(tái)積電一較長(zhǎng)短,搶
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Upthere之后 西部數(shù)據(jù)又要收購(gòu)一家閃存公司
- 在宣布收購(gòu)云存儲(chǔ)服務(wù)提供商 Upthere 之后,西部數(shù)據(jù)(WD)緊接著在本周二宣布了又一個(gè)收購(gòu)目標(biāo) —— 閃存公司 Tegile Systems —— 不過(guò)西數(shù)并未透露這筆交易的金額。成立于 2010 年的 Tegile,主要為企業(yè)提供數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的閃存和持久性內(nèi)存存儲(chǔ)解決方案。過(guò)去幾年,西數(shù)一直扮演者投資方的角色,并在今年 4 月份領(lǐng)投了 3300 萬(wàn)美元的 E 輪融資。 Rohit Kshetrapal 指出,西數(shù)早已在多方面增強(qiáng)了該公司的業(yè)
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三星電子波瀾再起 NAND芯片市場(chǎng)風(fēng)云變幻
- 8月28日,三星電子宣布,未來(lái)將投資70億美元用于擴(kuò)大西安三星電子NAND芯片的生產(chǎn)。不過(guò),三星稱,“此筆投資意在滿足NAND芯片市場(chǎng)的需求。”可是,三星的投資真的只為滿足NAND芯片市場(chǎng)需求嗎? 波瀾的背后 據(jù)2017年第二季度財(cái)報(bào)顯示,三星電子營(yíng)收額高達(dá)554.1億美元,同比增長(zhǎng)19%,并且,三星電子以銷售額14億美元的成績(jī)拿下45.9%的NAND Flash市占有率。 有業(yè)者分析稱,三星第二季度如此強(qiáng)勁的主要原因是蘋果等其他電子類產(chǎn)品生產(chǎn)需求旺盛,同時(shí)其
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第二季NAND Flash品牌廠營(yíng)收季成長(zhǎng)8%,第三季價(jià)格續(xù)揚(yáng)
- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出,今年第二季整體NAND Flash市況持續(xù)受到供貨吃緊的影響,即便處于傳統(tǒng)NAND Flash的淡季,各產(chǎn)品線合約價(jià)平均仍有3-10%的季增水平。由于第三季智能手機(jī)與平板計(jì)算機(jī)內(nèi)的eMMC/UFS以及SSD合約價(jià)仍持續(xù)小漲,2017年將是NAND Flash廠商營(yíng)收表現(xiàn)成果豐碩的一年。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出,由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制,NAND Flash原廠紛紛轉(zhuǎn)進(jìn)垂直堆棧
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DIGITIMES:聲光暫掩的大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展近況
- 開(kāi)年以來(lái)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展似乎進(jìn)入沉潛期。首先是年初長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧鄭重發(fā)布新聞稿澄清,表示從未發(fā)表過(guò)32層3DNANDFlash今年量產(chǎn)的消息。接下來(lái)是中芯國(guó)際董事長(zhǎng)周子學(xué)表達(dá)的大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展“三步走”(注1),指出要花至少15年的時(shí)間,大陸才能發(fā)展出比較有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的企業(yè)主體。再來(lái)是最近紫光集團(tuán)表示,由于長(zhǎng)江存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器芯片工廠專案投資規(guī)模過(guò)大,目前尚處于建設(shè)初期,短期無(wú)法產(chǎn)生銷售收入,時(shí)機(jī)不成熟,停止收購(gòu)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的股份。雖然似乎大陸整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)其發(fā)展動(dòng)能,但
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銀行債權(quán)人向東芝施壓:八月必須賣掉閃存業(yè)務(wù)
- 日本東芝公司已經(jīng)資不抵債,但是轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務(wù)的交易,卻陷入了泥潭,讓債權(quán)人、日本政府等頗為著急。據(jù)外媒最新消息,東芝的主要債權(quán)人已經(jīng)向該公司施壓:必須在八月份完成閃存業(yè)務(wù)的轉(zhuǎn)讓。 據(jù)日經(jīng)新聞等媒體報(bào)道,東芝目前已經(jīng)是資不抵債的負(fù)資產(chǎn)企業(yè),之前已經(jīng)從東京股票交易所主板摘牌,降級(jí)到了二板,如果明年財(cái)年結(jié)束時(shí)繼續(xù)資不抵債,東芝將徹底從股市上消失。 據(jù)報(bào)道,東芝多家債權(quán)人銀行(也是長(zhǎng)期合作的銀行伙伴)已經(jīng)要求該公司在八月份完成轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務(wù)的交易,只有這樣才能夠確保在明年三月底財(cái)年結(jié)束之前,完成全部交
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三大內(nèi)存創(chuàng)最缺且漲勢(shì)最久紀(jì)錄,手機(jī)品牌包產(chǎn)能
- DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大內(nèi)存會(huì)一直缺貨到明年,許多客戶搶貨,已包下南亞科、旺宏和華邦電全部產(chǎn)能。 業(yè)界指出,未簽訂長(zhǎng)約的客戶,內(nèi)存供貨將短缺,沖擊產(chǎn)品上市或出貨時(shí)程。 集邦、IC Insight等研究機(jī)構(gòu)最近紛紛出具報(bào)告,強(qiáng)調(diào)DRAM、NAND Flash到年底都處于缺貨狀態(tài);NOR Flash更因美系二大供貨商淡出效應(yīng)在下半年顯現(xiàn),缺貨問(wèn)題更嚴(yán)重。 業(yè)界表示,三大內(nèi)存應(yīng)用范圍廣,尤其NOR Flash幾乎是各電子產(chǎn)品儲(chǔ)存程序代碼關(guān)鍵組件,雖然單價(jià)遠(yuǎn)比DRAM
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各家爭(zhēng)鳴存儲(chǔ)器技術(shù)標(biāo)準(zhǔn) 儲(chǔ)存技術(shù)之爭(zhēng)再掀戰(zhàn)火
- 在2017年快閃存儲(chǔ)器高峰會(huì)(Flash Memory Summit)上,可見(jiàn)各主要NAND Flash供應(yīng)商持續(xù)推出更新式存儲(chǔ)器芯片以期能主導(dǎo)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),幾乎各主要供應(yīng)商也都在談?wù)摵?jiǎn)化Flash儲(chǔ)存系統(tǒng)內(nèi)建軟件的必要性,以減少應(yīng)用在資料中心時(shí)出現(xiàn)的延遲問(wèn)題,以及試圖定義固態(tài)硬盤(SSD)全新尺寸標(biāo)準(zhǔn),另值得注意的是,本屆大會(huì)上甚至連主要硬盤(HD)制造商,都已幾乎不在主題演說(shuō)中提及硬盤相關(guān)技術(shù)資訊或發(fā)展趨勢(shì)。 根據(jù)科技網(wǎng)站EE Times報(bào)導(dǎo),在本屆大會(huì)上,三星電子(Samsung Electr
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具有劃時(shí)代意義的芯片匯總,賽靈思FPGA和東芝NAND閃存在列
- 對(duì)大多數(shù)人來(lái)說(shuō),微芯片是一些長(zhǎng)著小小的金屬針,標(biāo)著看似隨機(jī)的字母或數(shù)字的字符串的黑盒子。但是對(duì)那些懂的人來(lái)說(shuō),有些芯片就像名人一樣站在紅毯上。有許多這樣的集成電路直接或間接地為改變世界的產(chǎn)品賦能,從而得到榮耀,也有一些芯片對(duì)整個(gè)計(jì)算環(huán)境造成了長(zhǎng)期的影響。也有一些,它們的雄心壯志失敗后成為警世的故事?! 榱思o(jì)念這些偉大的芯片,并講述它們背后的人和故事,IEEE Spectrum 制作了這個(gè)“芯片名人堂”(Chip Hall of Fame)。登堂的是7
- 關(guān)鍵字: FPGA NAND
nand 閃存介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)nand 閃存的理解,并與今后在此搜索nand 閃存的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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