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EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

采用NAND和NOR門的SR觸發(fā)器

  • 在本教程中，我們將討論數(shù)字電子學(xué)中的基本電路之一--SR 觸發(fā)器。我們將看到使用 NOR 和 NAND 門的 SR 觸發(fā)器的基本電路、其工作原理、真值表、時鐘 SR 觸發(fā)器以及一個簡單的實(shí)時應(yīng)用。電路簡介我們迄今為止看到的電路，即多路復(fù)用器、解復(fù)用器、編碼器、解碼器、奇偶校驗(yàn)發(fā)生器和校驗(yàn)器等，都被稱為組合邏輯電路。在這類電路中，輸出只取決于輸入的當(dāng)前狀態(tài)，而不取決于輸入或輸出的過去狀態(tài)。除了少量的傳播延遲外，當(dāng)輸入發(fā)生變化時，組合邏輯電路的輸出立即發(fā)生變化。還有一類電路，其輸出不僅取決于當(dāng)前的輸入，還取決
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三星明年將升級NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈

  • 據(jù)媒體報(bào)道，三星作為全球最大的NAND閃存供應(yīng)商，為了提高新一代NAND閃存的競爭力，將在2024年升級其NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈，各大NAND生產(chǎn)基地都在積極進(jìn)行設(shè)備運(yùn)行測試。?三星平澤P1工廠未來大部分產(chǎn)線將從第6代V-NAND改為生產(chǎn)更先進(jìn)的第8代V-NAND，同時正在將日本東京電子（TEL）的最新設(shè)備引入其位于平澤P3的NAND生產(chǎn)線，此次采購的TEL設(shè)備是用于整個半導(dǎo)體工藝的蝕刻設(shè)備。三星的半導(dǎo)體產(chǎn)品庫存在今年上半年都有一定程度的增加，在上半年結(jié)束時，三星旗下設(shè)備解決方案部門的庫存已增至
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要漲價？內(nèi)存、閃存同時需求大漲

  • 這兩年，DRAM內(nèi)存芯片、NAND閃存芯片都需求疲軟，導(dǎo)致價格持續(xù)處于地位，內(nèi)存、SSD硬盤產(chǎn)品也越來越便宜。不過，這種好日子似乎要結(jié)束了。根據(jù)集邦咨詢最新研究報(bào)告，預(yù)計(jì)在2024年，內(nèi)存、閃存原廠仍然會延續(xù)減產(chǎn)策略，尤其是虧損嚴(yán)重的閃存，但與此同時，至少在2024年上半年，消費(fèi)電子市場需求仍不明朗，服務(wù)器需求相對疲弱。由于內(nèi)存、閃存市場在2023年已經(jīng)處于低谷，價格也來到相對低點(diǎn)，因此 預(yù)計(jì)在2024年，內(nèi)存、閃存芯片的市場需求將分別大漲13.0％、16.0％，相比今年高出大約6.5個、5.0
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3D NAND還是卷到了300層

  • 近日，三星電子宣布計(jì)劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu)，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計(jì)劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報(bào)道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還
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基于FPGA的NAND Flash的分區(qū)續(xù)存的功能設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

  • 傳統(tǒng)的控制器只能從NAND Flash存儲器的起始位置開始存儲數(shù)據(jù)，會覆蓋上次存儲的數(shù)據(jù)，無法進(jìn)行數(shù)據(jù)的連續(xù)存儲。針對該問題，本文設(shè)計(jì)了一種基于FPGA的簡單方便的NAND Flash分區(qū)管理的方法。該方法在NAND Flash上開辟專用的存儲空間，記錄最新分區(qū)信息，將剩余的NAND Flash空間劃成多個分區(qū)。本文給出了分區(qū)工作機(jī)理以及分區(qū)控制的狀態(tài)機(jī)圖，并進(jìn)行了驗(yàn)證。
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三星計(jì)劃明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存：沿用雙層堆棧架構(gòu)，超 300 層

  • IT之家 8 月 18 日消息，據(jù) DigiTimes 報(bào)道，三星電子計(jì)劃明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，將沿用雙層堆棧架構(gòu)，超過 300 層。報(bào)道稱，這將使三星的進(jìn)度超過 SK 海力士 —— 后者計(jì)劃 2025 年上半年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)的 321 層 NAND 閃存。早在 2020 年，三星就已首次引入雙層堆棧架構(gòu)，生產(chǎn)第 7 代 V-NAND 閃存芯片?！?圖源三星IT之家注：雙層堆棧架構(gòu)指在 300mm 晶圓上生產(chǎn)一個 3D NAND 堆棧，然后在第一個堆棧的基礎(chǔ)上建立另一個堆棧。
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因業(yè)務(wù)低迷，消息稱三星計(jì)劃暫停部分工廠 NAND 閃存生產(chǎn)

  • IT之家 8 月 16 日消息，據(jù)韓國電子時報(bào)報(bào)道，為了克服低迷的存儲器市場狀況，三星電子計(jì)劃停止其位于韓國平澤市 P1 工廠的部分 NAND 閃存生產(chǎn)設(shè)備。業(yè)內(nèi)人士透露，三星目前正在考慮停止 P1 工廠 NAND Flash 生產(chǎn)線部分設(shè)備的生產(chǎn)，該生產(chǎn)區(qū)主要負(fù)責(zé)生產(chǎn) 128 層堆疊的第 6 代 V-NAND，其中的設(shè)備將停產(chǎn)至少一個月。外媒表示，鑒于市場持續(xù)低迷，業(yè)界猜測三星的 NAND Flash 產(chǎn)量可能會減少 10% 左右，而三星在近來 4 月份發(fā)布的 2023 年第一季度財(cái)報(bào)中也正式
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基于NAND門的行李安全警報(bào)

  • 在乘坐火車和公共汽車的旅途中，我們會攜帶許多重要的物品，而且總是擔(dān)心有人會偷走我們的行李。因此，為了保護(hù)我們的行李，我們通常會用老辦法，借助鏈條和鎖來鎖住行李。但鎖了這么多把鎖之后，我們還是會擔(dān)心有人會割斷鎖鏈，拿走我們的貴重物品。為了克服這些恐懼，這里有一個基于 NAND 門的簡易電路。在這個電路中，當(dāng)有人試圖提起你的行李時，它就會發(fā)出警報(bào)，這在你乘坐公共汽車或火車時非常有用，即使在夜間也是如此，因?yàn)樗€能在繼電器上產(chǎn)生聲光指示。這種電路的另一個用途是，您可以在家中使用這種電路，以便在這種報(bào)警電路的幫助
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被壟斷的NAND閃存技術(shù)

  • 各家 3D NAND 技術(shù)大比拼。
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三季度DRAM和NAND閃存價格跌幅放緩

  • 今年 Q3，存儲產(chǎn)品價格有望迎來拐點(diǎn)。
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6月中國市場NAND Flash Wafer部分容量合約價有望小幅翻揚(yáng)

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，5月起美、韓系廠商大幅減產(chǎn)后，已見到部分供應(yīng)商開始調(diào)高wafer報(bào)價，對于中國市場報(bào)價均已略高于3~4月成交價。因此，TrendForce集邦咨詢預(yù)估6月在模組廠啟動備貨下，主流容量512Gb NAND Flash wafer有望止跌并小幅反彈，結(jié)束自2022年5月以來的猛烈跌勢，預(yù)期今年第三季起將轉(zhuǎn)為上漲，漲幅約0~5%，第四季漲幅將再擴(kuò)大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等產(chǎn)品庫存仍待促銷去化，現(xiàn)階段價格尚未有上漲跡象。下半年旺季備貨周期將至，盡管今
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傳鎧俠/西數(shù)合并進(jìn)入最終階段 NAND Flash營收或超三星？

  • 近日，據(jù)日本共同社消息，日本存儲器大廠鎧俠與合作方美國西部數(shù)據(jù)的合并經(jīng)營已經(jīng)進(jìn)入最終收尾調(diào)整階段。目前，作為全球知名的存儲器廠商，鎧俠和西部數(shù)據(jù)既是競爭對手又是合作伙伴，目前兩家公司正在共同運(yùn)營巖手縣北上市和三重縣四日市的工廠。報(bào)道引用相關(guān)人士消息稱，鎧俠和西部數(shù)據(jù)正在探討出資設(shè)立新公司、統(tǒng)一開展半導(dǎo)體生產(chǎn)及營銷的方案等，未來雙方將進(jìn)行經(jīng)營合并，擬由鎧俠掌握主導(dǎo)權(quán)，關(guān)于出資比率等將繼續(xù)探討。報(bào)道稱，由于面向智能手機(jī)等的半導(dǎo)體行情疲軟、業(yè)績低迷，鎧俠和西部數(shù)據(jù)此舉意在提升經(jīng)營效率并提高競爭力。資料顯示，鎧俠
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鎧俠宣布運(yùn)營兩個新研發(fā)設(shè)施，加強(qiáng)閃存和SSD研發(fā)能力

  • 6月1日，鎧俠宣布開始運(yùn)營兩個新的研發(fā)設(shè)施——位于橫濱技術(shù)園區(qū)的旗艦大樓和Shin Koyasu技術(shù)前沿——以加強(qiáng)公司在閃存和固態(tài)硬盤（SSD）方面的研發(fā)能力。未來，神奈川縣的其他研發(fā)職能將轉(zhuǎn)移到這些新的研發(fā)中心，以提高研究效率。隨著新旗艦大樓的加入，橫濱科技園區(qū)的規(guī)模將幾乎翻一番，使鎧俠能夠擴(kuò)大其評估閃存和SSD產(chǎn)品的能力，從而提高整體產(chǎn)品開發(fā)和產(chǎn)品質(zhì)量。Shin Koyasu技術(shù)前沿將成為半導(dǎo)體領(lǐng)域尖端基礎(chǔ)研究的中心，包括新材料、工藝和器件，此處配備一間最先進(jìn)的潔凈室。除了下一代存儲技術(shù)，鎧俠還從事其
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DDR5 重新下跌，內(nèi)存現(xiàn)貨價格未見回暖

  • 業(yè)界對 DDR5 DRAM 的市場預(yù)期不太樂觀。
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需求持續(xù)下修，第一季NAND Flash總營收環(huán)比下跌16.1%

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，第一季NAND Flash買方采購動能保守，供應(yīng)商持續(xù)透過降價求售，但第一季NAND Flash位元出貨量僅微幅環(huán)比增長2.1%，平均銷售（ASP）單價季減15%，合計(jì)NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收約86.3億美元，環(huán)比減少16.1%。SK集團(tuán)（SK hynix & Solidigm）及西部數(shù)據(jù)（WDC）量價齊跌，沖擊營收表現(xiàn)，環(huán)比下降均逾兩成。SK集團(tuán)受淡季及削價競爭影響，第一季NAND Flash營收僅13.2億美元，環(huán)比減少24.8%
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nand 閃存介紹

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