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EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

疫情之下，長江存儲程衛(wèi)華談閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展

  • 6月27日，SEMICON China 2020大會于上海拉開帷幕。會上，長江存儲聯(lián)席首席技術官程衛(wèi)華發(fā)表《探索閃存發(fā)展可能，共同迎接未來挑戰(zhàn)》主題演講，談及了疫情下閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展、長江存儲3D NAND技術進展等內(nèi)容。程衛(wèi)華認為，2020年不平凡的一年，這一年經(jīng)歷了新冠疫情的全球蔓延，國際局勢的變幻莫測，全球產(chǎn)業(yè)鏈合作受到了極大的沖擊。與此同時，疫情給人們的生活方式與半導體技術帶來了改變。程衛(wèi)華指出，消費市場的變化驅(qū)動了SSD的需求，以及云上業(yè)務驅(qū)動企業(yè)級SSD需求增長。從全球市場綜合發(fā)展來看，企業(yè)級SS
  • 關鍵字： 長江存儲  閃存  

游戲新機上市填補云端需求空缺 三季度NAND Flash價格波動有限

  • 根據(jù)TrendForce內(nèi)存儲存研究(DRAMeXchange)調(diào)查，盡管消費性產(chǎn)品及智能型手機受到疫情沖擊導致需求下降，但云端服務、遠距教學的需求也同步催生，加上部份客戶因擔憂供應鏈中斷而提前備貨，促使NAND Flash市場在2020年第一季與第二季呈現(xiàn)缺貨。整體而言，目前需求以SSD占最大宗，與手機、消費性較相關的eMMC、UFS及wafer市場較為冷卻。根據(jù)TrendForce分析師葉茂盛指出，當前為NAND Flash第三季議價的關鍵時刻，初步觀察因新款游戲機的年底上市計劃不變，首次轉(zhuǎn)進SSD的
  • 關鍵字： NAND Flash  

國產(chǎn)128層QLC閃存問世 武漢基地二期開工

  • 4年前的2016年，國家在武漢建設了國家存儲器基地項目一期，不僅量產(chǎn)了64層閃存，今年初還研發(fā)成功128層QLC閃存。昨天國家存儲器基地項目二期也在武漢東湖高新區(qū)未來科技城正式啟動，整個項目投資高達240億美元，約合1697億元。在開工儀式上，紫光集團、長江存儲董事長趙偉國介紹了項目有關情況。他表示，國家存儲器基地項目一期開工建設以來，從一片荒蕪之地變成了一座世界領先的存儲器芯片工廠，實現(xiàn)了技術水平從跟跑到并跑的跨越。趙偉國表示，國家存儲器基地項目于2016年12月30日開工，計劃分兩期建設3D NAND
  • 關鍵字： 國產(chǎn)  128層  QLC  閃存  

三星電子擬投資8萬億韓元在平澤建NAND閃存生產(chǎn)線

  • 據(jù)國外媒體報道，三星電子日前表示，計劃投資8萬億韓元（約合人民幣466億元）在韓國平澤工業(yè)園區(qū)建NAND閃存生產(chǎn)線。三星電子生產(chǎn)線建設上月已經(jīng)開始，預計2021年下半年開始生產(chǎn)三星最先進的V-NAND產(chǎn)品。三星電子表示，此次投資旨在應對隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等第四次工業(yè)革命，以及5G普及而來的NAND需求。上月，三星電子還透露，已在平澤投資建設生產(chǎn)線，新產(chǎn)線專注于基于極紫外光刻（EUV）技術的5nm、及以下制程。新產(chǎn)線已開始建設，預計明年下半年開始量產(chǎn)5nm芯片。三星電子表示，加上平澤生產(chǎn)線，韓國將擁有7條
  • 關鍵字： 三星  NAND  閃存  

集邦咨詢：數(shù)據(jù)中心需求大增，NAND Flash營收成長8.3%

  • 根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查，2020年第一季NAND Flash（閃存）位元出貨量較前一季大致持平，加上平均銷售單價上漲，帶動整體產(chǎn)業(yè)營收季成長8.3%，達136億美元。延續(xù)去年第四季開始的數(shù)據(jù)中心強勁采購力道，第一季Enterprise SSD仍是供不應求。此外，自年初起，各供應商當時的庫存水位多已恢復至正常，也帶動主要產(chǎn)品合約價呈現(xiàn)上漲。隨后在農(nóng)歷春節(jié)期間爆發(fā)新冠肺炎疫情，根據(jù)集邦咨詢當時的調(diào)查，服務器供應鏈的恢復狀況優(yōu)于筆記本電腦及智能手機，也因此對于數(shù)據(jù)中心需求
  • 關鍵字： NAND  三星  intel  

閃存顆粒哪家強？最新市場排名出爐

  • 來自統(tǒng)計機構(gòu)TrendForce的最新統(tǒng)計顯示,剛過去的一季度,主要NAND閃存廠商的營收均有所增長,整體規(guī)模達到135億美元,環(huán)比增加8.3%。品牌排名方面,三星依舊領銜,營收45億美元,環(huán)比增加1.1個百分點,市場份額33.3%。KIOXIA(鎧俠,原東芝存儲)緊隨其后,營收25.66億美元,環(huán)比增加9.7%。市場份額19%。3~6名分別是西數(shù)、美光、SK海力士和Intel,營收20億美元(份額15.3%)、15億美元(11.2%)、14.4億美元(10.7%)和13億美元(9.9%)。報告稱,一季度
  • 關鍵字： 固態(tài)硬盤  閃存  SSD  

集邦咨詢：數(shù)據(jù)中心需求大增，第一季NAND Flash營收成長8.3%

  • 根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查，2020年第一季NAND Flash（閃存）位元出貨量較前一季大致持平，加上平均銷售單價上漲，帶動整體產(chǎn)業(yè)營收季成長8.3%，達136億美元。
  • 關鍵字： 集邦咨詢  數(shù)據(jù)中心  NAND Flash  

英特爾最新發(fā)展藍圖：明年或全面轉(zhuǎn)向144層堆疊NAND

  • 處理器龍頭英特爾(Intel)近期在快閃存儲器的發(fā)展上也隨著其他各家廠商的腳步，開始有了新的進度。根據(jù)外媒報導，英特爾的快閃存儲器部門最近公布了發(fā)展藍圖，在目前其他各家NAND快閃存儲器供應商都已經(jīng)開始向1xx層堆疊的發(fā)展當下，作為主要NAND制造商之一的英特爾也預計在2021年全面轉(zhuǎn)向144層堆疊的產(chǎn)品發(fā)展。
  • 關鍵字： 英特爾  144層  NAND  

群聯(lián)全系列控制芯片支持長江存儲3D NAND

  • 電子醫(yī)療設備、電競游戲機、NB筆記本電腦、電視機頂盒、云端服務器服務等因為新冠肺炎 (COVID-19) 所產(chǎn)生的醫(yī)護或宅經(jīng)濟需求上升，不僅刺激了閃存儲存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長動能，更讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)成為這波疫情的少數(shù)成長亮點之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產(chǎn)業(yè)新人長江存儲 (YMTC)，在2016年加入NAND Flash設計生產(chǎn)后，也為市場添增了一股活力。
  • 關鍵字： 群聯(lián)  控制芯片  長江存儲3D NAND  

群聯(lián)全系列控制芯片支持長江存儲3D NAND

  • 電子醫(yī)療設備、電競游戲機、NB筆記本電腦、電視機頂盒、云端服務器服務等因為新冠肺炎 (COVID-19) 所產(chǎn)生的醫(yī)護或宅經(jīng)濟需求上升，不僅刺激了閃存儲存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長動能，更讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)成為這波疫情的少數(shù)成長亮點之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產(chǎn)業(yè)新人長江存儲 (YMTC)，在2016年加入NAND Flash設計生產(chǎn)后，也為市場添增了一股活力。
  • 關鍵字： 群聯(lián)  3D NAND  長江存儲  

128層閃存：中國剛剛突破、SK海力士加速量產(chǎn)

  • 長江存儲近日宣布,已經(jīng)攻克128層堆疊3D QLC閃存技術,單顆容量做到1.33Tb,創(chuàng)造單位面積存儲密度、I/O傳輸速度、單顆芯片容量三個世界第一,首次躋身全球第一隊列水平。當前,整個閃存行業(yè)都在全面轉(zhuǎn)向100+層堆疊,其中東芝、西部數(shù)據(jù)是112層,美光、SK海力士是128層,三星是136層,Intel則做到了144層。中國的突破顯然讓國際巨頭們有些不安,紛紛開始提速。三星日前就宣布,正在研發(fā)160層及以上的3D閃存,將成為第七代V-NAND閃存的基礎。在今天的第一季度財務會議期間,同樣來自韓國的SK海
  • 關鍵字： 閃存  SK海力士  長江存儲  

長江存儲128層QLC閃存今年量產(chǎn) 2021逼迫閃存降價

  • 從去年下半年到現(xiàn)在,內(nèi)存閃存的漲價讓存儲廠商重新過上了好日子,想降價只能靠中國廠商了。上周國內(nèi)的長江存儲宣布攻克128層堆棧的QLC閃存,性能、容量、密度三項世界第一,預計今年底量產(chǎn)。據(jù)介紹,長江存儲的128層QLC 3D NAND 閃存(型號:X2-6070)是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。此次同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(
  • 關鍵字： 閃存  QLC閃存  長江存儲  

長江存儲：128層3D NAND技術會按計劃在今年推出

  • 據(jù)證券時報消息，長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進的128層3D NAND技術的研發(fā)進度。楊士寧表示，128層3D NAND技術研發(fā)進度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現(xiàn)全員復工，從中長期來看，這次疫情并不會影響總體進度。128層技術會按計劃在2020年推出。今年早些時候，長江存儲市場與銷售資深副總裁龔翔表示，接下來，長江存儲將跳過如今業(yè)界常見的96層，直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作。▲長江存儲64層3D NAND閃存晶圓了解到，長江存儲科技有限責任公司成立于2016年7月，總
  • 關鍵字： 長江存儲  3D NAND  

瑞薩電子推出全新32位RX72N和RX66N MCU， 可同時實現(xiàn)設備控制與網(wǎng)絡連接，適用于工業(yè)自動化設備

  • 全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社近日宣布推出RX產(chǎn)品家族新成員——32位RX72N產(chǎn)品組和RX66N產(chǎn)品組，其單個芯片集成了設備控制與網(wǎng)絡連接。RX72N基于瑞薩專有的RXv3 CPU內(nèi)核，具備240MHz最大工作頻率及雙以太網(wǎng)通道；RX66N具備120MHz最大工作頻率及單個以太網(wǎng)通道。在工業(yè)設備領域，性能與功能的不斷升級導致程序代碼愈加龐大。因此，存儲容量和讀取速度是決定實時性能的關鍵因素。全新RX72N和RX66N提供高達4MB片上閃存，可達到業(yè)界最高的120MHz讀取頻率，同時具備1
  • 關鍵字： 閃存  芯片  

國產(chǎn)38nm SLC閃存已量產(chǎn) 兆易創(chuàng)新：推進24nm閃存研發(fā)

  • 在NAND閃存市場,三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能,留給其他廠商的空間并不多。國內(nèi)公司中,兆易創(chuàng)新表示能做38nm的SLC閃存,還在推進24nm閃存研發(fā)。前不久兆易創(chuàng)新發(fā)布了2019年報,去年營收32億元,同比增長42%,凈利潤6.07億元,同比大漲50%。兆易創(chuàng)新的主要有三大業(yè)務,最主要的是NOR閃存,全球市場份額在去年Q3季度上升到了第三,主要生產(chǎn)工藝為65nm節(jié)點,另有部分55nm工藝產(chǎn)品。兆易創(chuàng)新的NOR閃存累計出貨量超過100億顆,目前依然供不應求
  • 關鍵字： 國產(chǎn)  閃存  SLC  
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nand 閃存介紹

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