nand 閃存文章進(jìn)入nand 閃存技術(shù)社區(qū)

Note10 UFS 3.0閃存性能測(cè)試：讀取速度超1500Mb/s

昨天晚上，知名爆料博主@i冰宇宙公布了三星Note10的閃存性能測(cè)試數(shù)據(jù)。根據(jù)測(cè)試數(shù)據(jù)，三星Note10的UFS 3.0 閃存速度表現(xiàn)十分亮眼，順序讀取速度為1486MB/s，順序?qū)懭胨俣冗_(dá)到了586MB/s，隨機(jī)4K讀取速度為179.16MB/s，隨機(jī)4K寫(xiě)入速度為201.27MB/s。
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亞馬遜收購(gòu)云存儲(chǔ)廠商E8 要用閃存“讓數(shù)據(jù)飛起來(lái)”

亞馬遜日前收購(gòu)了一家以色列云存儲(chǔ)相關(guān)企業(yè)（名為“E8存儲(chǔ)公司”），獲得一些資產(chǎn)和員工。E8是一家小型云計(jì)算初創(chuàng)企業(yè)，為數(shù)據(jù)中心生產(chǎn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)硬件。
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閃存內(nèi)存跌價(jià) 三星海力士利潤(rùn)暴跌：拖累韓國(guó)經(jīng)濟(jì)了

本月初日本宣布管制對(duì)韓國(guó)的材料出口，目前被限制的材料主要是光刻膠、氟化聚酰亞胺和氟化氫這三種，主要用于柔性屏面板及半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)。
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NAND Flash 2020年新戰(zhàn)場(chǎng)暗潮洶涌　各家布局蓄勢(shì)待發(fā)

受到東芝工廠停產(chǎn)及日韓貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致存儲(chǔ)器價(jià)格將反轉(zhuǎn)契機(jī)出現(xiàn)，NAND Flash價(jià)格調(diào)漲從7月開(kāi)始顯現(xiàn)，而國(guó)際大廠之間的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)更是暗潮洶涌。
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西數(shù)全閃存存儲(chǔ)陣列：400TB只是入門(mén) 2500TB很輕松

作為傳統(tǒng)機(jī)械硬盤(pán)巨頭，西部數(shù)據(jù)在閃存存儲(chǔ)領(lǐng)域也已經(jīng)逐漸走在世界前列，尤其是在服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域。今天，西數(shù)又發(fā)布了入門(mén)級(jí)的NVMe全閃存存儲(chǔ)陣列系統(tǒng)“IntelliFlash N5100”。
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日韓貿(mào)易戰(zhàn)與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價(jià)格走勢(shì)，長(zhǎng)期須關(guān)注原廠庫(kù)存水位

Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，繼6月中旬東芝斷電事件后，日本政府近日宣布從7月4日起，開(kāi)始管控向南韓出口3種生產(chǎn)半導(dǎo)體、智能手機(jī)與面板所需的關(guān)鍵材料，造成存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)下游模組廠出現(xiàn)提高報(bào)價(jià)狀況，然而，由于目前DRAM和NAND Flash庫(kù)存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出貨，僅是申請(qǐng)流程延長(zhǎng)，短期結(jié)構(gòu)性供需反轉(zhuǎn)的可能性低。日韓貿(mào)易戰(zhàn)的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲(chǔ)器價(jià)格將反轉(zhuǎn)，集邦咨詢分析指出，因DRAM價(jià)格已歷經(jīng)連續(xù)三個(gè)季度快速下滑，下游
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閃存市場(chǎng)遭遇意外，傳SSD廠商限量供貨、漲價(jià)15%

??? 從去年初到現(xiàn)在，全球NAND閃存市場(chǎng)已經(jīng)連跌了6個(gè)季度，導(dǎo)致的后果就是六大NAND閃存供應(yīng)商營(yíng)收及盈利不斷下滑，多家廠商還削減了產(chǎn)能，其中美光削減的NAND產(chǎn)能從之前的5%增加到了10%。??? 關(guān)于NAND閃存的走勢(shì)，今年前兩個(gè)季度還是跌的，但是Q3季度就變得撲朔迷離了，除了旺季需求及產(chǎn)能削減兩大因素之外，最近還有兩起意外事件也引發(fā)了閃存市場(chǎng)動(dòng)蕩，而且都跟日本有關(guān)。??? 首先是東芝位于日本四日市的5座NA
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武漢全力保障國(guó)家存儲(chǔ)器基地建設(shè) 國(guó)產(chǎn)閃存發(fā)展提速

去年中國(guó)進(jìn)口的3000多億美元的半導(dǎo)體芯片中，存儲(chǔ)芯片就占了三分之一左右，價(jià)值上千億美元的芯片基本上沒(méi)有國(guó)產(chǎn)的份兒，國(guó)內(nèi)科技產(chǎn)業(yè)存在被卡脖子的可能性，所以發(fā)展國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片已經(jīng)是刻不容緩的大事了。
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紫光集團(tuán)組建DRAM事業(yè)群

6月30日，紫光集團(tuán)發(fā)布公告稱，決定組建紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群，全力加速發(fā)展國(guó)產(chǎn)內(nèi)存。
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美光：3D QLC閃存出貨量猛增75％

SLC、MLC、TLC、QLC……不同閃存規(guī)格一路走下來(lái)，雖然容量越來(lái)越大，但是性能、壽命、可靠性卻是越來(lái)越弱，只能通過(guò)其他方式彌補(bǔ)。就像之前很多人抗拒TLC一樣，現(xiàn)在依然有很多人不接受QLC，但大勢(shì)不可逆轉(zhuǎn)。
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東芝閃存工廠停電13分鐘 6000000TB硬盤(pán)沒(méi)了

東芝的5座NADN閃存工廠于當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月15日下午6點(diǎn)25分發(fā)生斷電事故，停電過(guò)程非常短，13分鐘之后就恢復(fù)供電了，有部分工廠恢復(fù)生產(chǎn)了，但Fab 2、Fab 3及Fab 4晶圓廠并沒(méi)有復(fù)工。
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國(guó)產(chǎn)90nm閃存量產(chǎn)：10萬(wàn)次壽命 25年數(shù)據(jù)保存

中國(guó)每年進(jìn)口價(jià)值1000億美元的存儲(chǔ)芯片，NAND閃存及DRAM內(nèi)存都要依賴進(jìn)口，目前國(guó)產(chǎn)閃存芯片的希望就是紫光集團(tuán)在武漢及成都兩處各自投資240億美元的存儲(chǔ)器基地了，不過(guò)真正規(guī)模量產(chǎn)還需要一年甚至更長(zhǎng)時(shí)間。
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SK海力士宣布：全球首款128層4D NAND下半年開(kāi)賣(mài)

SK海力士于26日宣布，將量產(chǎn)全球首款128層的1Tb（Terabit） TLC 4D NAND閃存，并計(jì)劃下半年開(kāi)始銷售。
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紫光2000億投資四川成都建3D閃存工廠：月產(chǎn)能將達(dá)30萬(wàn)片

2018年中國(guó)進(jìn)口了3000多億美元的半導(dǎo)體芯片，其中存儲(chǔ)芯片占據(jù)了1/3也就是上千億美元，而且這部分芯片的國(guó)產(chǎn)率為0，國(guó)內(nèi)尚無(wú)公司能夠大規(guī)模量產(chǎn)閃存及內(nèi)存芯片。在閃存芯片上，紫光集團(tuán)位于武漢的長(zhǎng)江存儲(chǔ)下半年量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，明年將研發(fā)128層堆棧的3D閃存。
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華為舉辦首屆閃存技術(shù)論壇，發(fā)布閃存創(chuàng)新理念

華為在北京舉辦了主題為“探討閃存未來(lái)發(fā)展之道，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)共贏”首屆華為閃存技術(shù)論壇，在業(yè)界首次提出面向應(yīng)用感知的存儲(chǔ)創(chuàng)新理念和未來(lái)SSD發(fā)展新形態(tài)。華為智能計(jì)算提出希望與廣大客戶、合作伙伴、Flash廠家、標(biāo)準(zhǔn)組織、高校、媒體等存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的上下游共聚，共同探討并引領(lǐng)閃存技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，持續(xù)提升應(yīng)用性能，滿足用戶需求?！　∧壳埃鎯?chǔ)產(chǎn)業(yè)正發(fā)生著翻天覆地的變化，隨著閃存新技術(shù)的發(fā)展與廣泛應(yīng)用，閃存行業(yè)正面臨著新的機(jī)遇與挑戰(zhàn)! 本次會(huì)議重點(diǎn)展現(xiàn)了自研SSD閃存技術(shù)和應(yīng)用研究，并借本次技術(shù)論壇活動(dòng)，為行業(yè)提供一個(gè)技術(shù)生
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