武漢全力保障國(guó)家存儲(chǔ)器基地建設(shè) 國(guó)產(chǎn)閃存發(fā)展提速

去年中國(guó)進(jìn)口的3000多億美元的半導(dǎo)體芯片中，存儲(chǔ)芯片就占了三分之一左右，價(jià)值上千億美元的芯片基本上沒(méi)有國(guó)產(chǎn)的份兒，國(guó)內(nèi)科技產(chǎn)業(yè)存在被卡脖子的可能性，所以發(fā)展國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片已經(jīng)是刻不容緩的大事了。

過(guò)去兩年里國(guó)內(nèi)投巨資在武漢建設(shè)了國(guó)家存儲(chǔ)器基地，負(fù)責(zé)實(shí)施這個(gè)計(jì)劃的是長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技公司。根據(jù)官網(wǎng)資料，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國(guó)武漢成立，是一家專(zhuān)注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的IDM存儲(chǔ)器公司。

2017年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在全資子公司武漢新芯12英寸集成電路制造工廠的基礎(chǔ)上，通過(guò)自主研發(fā)和國(guó)際合作相結(jié)合的方式，成功設(shè)計(jì)并制造了中國(guó)首批3D NAND閃存芯片。長(zhǎng)江存儲(chǔ)在武漢、上海、北京等地設(shè)有研發(fā)中心，通過(guò)不懈努力和技術(shù)創(chuàng)新，致力于成為全球領(lǐng)先的NAND閃存解決方案提供商。

日前湖北日?qǐng)?bào)報(bào)道稱(chēng)，湖北省委副書(shū)記、省長(zhǎng)王曉東、武漢市長(zhǎng)周先旺等高官赴國(guó)家存儲(chǔ)器基地調(diào)研并現(xiàn)場(chǎng)辦公，王曉東強(qiáng)調(diào)在武漢建設(shè)國(guó)家存儲(chǔ)器基地，是黨中央作出的重大決策部署。

王曉東要求長(zhǎng)江存儲(chǔ)把握變局、克難奮進(jìn)，搶抓新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革的歷史機(jī)遇，以國(guó)家先進(jìn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心和國(guó)家半導(dǎo)體三維集成制造創(chuàng)新中心為依托，引進(jìn)培育高端科研人才和團(tuán)隊(duì)，加快芯片全流程智能化制造和國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，著力構(gòu)建以芯片為基礎(chǔ)的“芯屏端網(wǎng)”產(chǎn)業(yè)鏈，努力在應(yīng)對(duì)風(fēng)險(xiǎn)中攻克難關(guān)、在主攻重點(diǎn)中打造“產(chǎn)業(yè)航母”，加快培育發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)集群。

根據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)之前公布的消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)斥資10億美元研發(fā)成功國(guó)產(chǎn)3D NAND閃存，全年小規(guī)模試產(chǎn)了32層堆棧的64Gb閃存，今年的目標(biāo)是量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，再下一代則會(huì)直接進(jìn)入128層堆棧，跳過(guò)了三星、美光、東芝、Intel等公司現(xiàn)在力推的96層堆棧閃存，這幾家公司預(yù)計(jì)在2020年才會(huì)推出128層堆棧的閃存。

去年長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出了Xtacking結(jié)構(gòu)的3D NAND閃存技術(shù)，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年8月份將會(huì)推出Xtacking 2.0閃存技術(shù)，Xtacking依然會(huì)不斷進(jìn)化中。