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EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

被稱為中國“西部硅谷”的西安，在半導體科技領(lǐng)域有哪些實力？

  • 對接資本市場，對接國家戰(zhàn)略，充分發(fā)揮西安的產(chǎn)業(yè)與科研、人才優(yōu)勢，西安完全有可能創(chuàng)造出一個千億級的產(chǎn)業(yè)。
  • 關(guān)鍵字： 半導體  閃存  三星  

下半年閃存芯片行情疲軟：SSD價格或持續(xù)下滑

  • 　　TrendForce旗下專注存儲業(yè)追蹤和調(diào)研的DRAMeXchange(集邦科技)于27日發(fā)布的最新閃存市場分析報告，稱2018下半年，NAND Flash閃存市場的增長潛力疲軟。由于64層/72層3D閃存的產(chǎn)能良率(四季度超80%)爬升，市場會處在一種供需平衡的局面，從而自然延續(xù)NAND Flash合同價的下降趨勢?！　蟾娣Q，由于處于傳統(tǒng)的淡季和產(chǎn)能拉升期，所以在上半年，閃存市場已經(jīng)觀察到了連續(xù)兩個季度的價格走弱。在這樣的態(tài)勢下，一些供應商甚至暫緩了面向更高密度存儲芯片的擴張，以避免價格走到崩盤的
  • 關(guān)鍵字： SSD  閃存  

2018年Q1全球半導體銷售達1158億美元，無線通訊市場大幅下滑

  • 　　在2018年第一季度，全球半導體產(chǎn)業(yè)銷售額達到了1158億美元。即使該季度半導體產(chǎn)業(yè)總營收出現(xiàn)些許下滑，然而NAND市場依然創(chuàng)下了有史以來第二高的季度收入，其中，來自企業(yè)和消費性固態(tài)硬盤(SSD)市場的需求最為強勁?！　‰S著企業(yè)和儲存市場對于相關(guān)零組件需求的增加，在2018年第一季度，儲存類別增長率為1.7%，達到397億美元。事實上，對于服務器用內(nèi)存(Server DRAM)的強勁需求將持續(xù)推動該市場。然而，也能看到NAND漲幅在該季度內(nèi)收入略有下降，IHS Marki內(nèi)存與儲存市場資深總監(jiān)Crai
  • 關(guān)鍵字： 無線通訊  NAND  

紫光對3D NAND閃存芯片的戰(zhàn)略愿景

  • 在“2018中國半導體市場年會暨IC中國峰會”上，紫光集團有限公司董事長趙偉國作了“自主可控的中國存儲器產(chǎn)業(yè)崛起之路”報告，介紹了從2015年3月到2018年上半年的三年時間，紫光進入3D NAND閃存芯片的思考與愿景。
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  3D  NAND  自主可控  201807  

96層3D NAND明年量產(chǎn) 群聯(lián)控制器方案準備就緒

  • 　　為實現(xiàn)更高儲存密度，NAND Flash的堆棧層數(shù)不斷增加，單一晶胞內(nèi)能儲存的信息也越來越多。 目前NAND Flash芯片已經(jīng)進入64層TLC時代，展望2019年，三星(Samsung)、東芝(Toshiba)等業(yè)者都將進一步推出96層QLC顆粒。 為了因應即將量產(chǎn)的新一代NAND Flash規(guī)格特性，控制器業(yè)者群聯(lián)已備妥對應的解決方案?！　∪郝?lián)電子發(fā)言人于紹庭表示，3D NAND Flash技術(shù)不斷推進，目前64層TLC已經(jīng)是相當穩(wěn)定的產(chǎn)品。 而為了進一步提升儲存密度，NAND Flash供貨商正
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存儲芯片三巨頭是否合謀操縱市場？

  • 存儲芯片三巨頭此次遭中國反壟斷機構(gòu)調(diào)查，最終結(jié)果究竟如何，人們拭目以待。
  • 關(guān)鍵字： 存儲  NAND  

賽普拉斯推出全球領(lǐng)先的閃存解決方案，助力汽車及工業(yè)領(lǐng)域的關(guān)鍵安全應用

  • 全球領(lǐng)先的嵌入式系統(tǒng)解決方案提供商賽普拉斯半導體公司（納斯達克代碼：CY）日前宣布，正式推出Semper? NOR 閃存產(chǎn)品系列。該產(chǎn)品系列面向汽車和工業(yè)領(lǐng)域，為用戶提供業(yè)內(nèi)最好的安全性和可靠性保證。Semper 閃存產(chǎn)品系列的架構(gòu)和設(shè)計旨在打造無故障嵌入式汽車安全系統(tǒng)，是首款符合ISO 26262 功能性安全標準的存儲產(chǎn)品。該產(chǎn)品系列符合汽車行業(yè)的要求和ASIL-B 的功能性安全標準，在汽車和工業(yè)的極端溫度應用環(huán)境中，仍可以提供卓越的耐用性和數(shù)據(jù)留存能力。
  • 關(guān)鍵字： 賽普拉斯  閃存  nor  

DRAM/NAND存儲器需求持續(xù)增溫 南亞科、旺宏業(yè)績看好

  • 　　隨物聯(lián)網(wǎng)時代來臨，數(shù)據(jù)中心、高速傳輸?shù)?G受重視，研調(diào)單位指出，協(xié)助運算處理的DRAM與資訊儲存的NAND Flash等需求也持續(xù)增溫，南亞科(2408)日前表示，今年DRAM市場仍供不應求，帶動存儲器族群行情向上，旺宏(2337)在權(quán)證市場同受關(guān)注，昨(29)日登上成交金額之首?！　∧蟻喛谱蛉展蓛r雖然收小黑，小跌0.4%，收在98.9元(新臺幣，后同)，但獲外資逆勢敲進逾2,000張，頗有逢低承接意味。　　南亞科今年首季每股盈余(EPS)達2.39元，隨著DRAM市場仍持續(xù)供不應求，對今年整體營運表
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美光科技交付業(yè)界首款QLC NAND固態(tài)硬盤

  • 　　美光科技有限公司推出的業(yè)界首款基于革命性四層單元(QLC)NAND 技術(shù)的固態(tài)硬盤現(xiàn)已開始供貨。美光? 5210 ION 固態(tài)硬盤在美光 2018年分析師和投資者大會上首次亮相，面向之前由硬盤驅(qū)動器 (HDD) 提供服務的細分市場，可提供高出三層單元 (TLC) NAND 33%的位密度。新型 QLC固態(tài)硬盤的推出，奠定了美光在實現(xiàn)更高容量和更低成本方面的領(lǐng)導者地位，可以滿足人工智能、大數(shù)據(jù)、商業(yè)智能、內(nèi)容傳輸和數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)對讀取密集型且性能敏感的云存儲的需求?！　‰S著工作負載的演變以滿足對于實時數(shù)據(jù)的
  • 關(guān)鍵字： 美光  NAND   

韓國存儲器產(chǎn)業(yè)銷售額將在2020年減少78億美元

  • 　　當前，不論DRAM還是NAND Flash等存儲器，中國市場基本上100%依賴進口，這使得產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求也最為迫切。因此，現(xiàn)階段在政府的支持下，除了紫光集團旗下的長江存儲已經(jīng)在武漢建設(shè)NAND Flash工廠，預計2018年下半年量產(chǎn)之外，其他包括安徽合肥、福建晉江也有團隊在進行DRAM研發(fā)，這使得未來幾年，中國生產(chǎn)存儲就會逐漸進入市場。 　　對此，韓國企業(yè)也開始關(guān)注中國競爭對手的加入。韓國預測，在2022年時會因為中國競爭的影響，韓國企業(yè)將減少78億美元的存儲器的銷售金額。 　　根據(jù)韓國媒體《et
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  NAND   

內(nèi)存瘋漲將告一段落 NAND/DRAM降價潮并沒有來

  • 　　根據(jù)Gartner的報告顯示，在過去的2017年中，三星已經(jīng)成功取代英特爾，搶下了全球最大芯片制造商的寶座。要知道，英特爾從1992年就一直占據(jù)著這一寶座，如今被三星超越實在是無奈，因為沒有人能預料到這兩年內(nèi)存市場會如此強勁。 　　   　　也許大家都快忘記了，兩年前8GB的內(nèi)存條價格還不到200元，然后8GB內(nèi)存條的價格一路上漲到300多、500多、700多，甚至一度要突破千元大關(guān)，用了幾年的二手內(nèi)存條都還能大賺一筆。內(nèi)存價格的飆升也帶動了整個半導體產(chǎn)業(yè)的增長，其中三星獲益匪淺，
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2017年全球十大半導體廠排名：三星首次登頂

  • 　　IHS Markit研究指出，2017年全球半導體市場營收達到4291億美元，與2016年相較成長了21.7%，年成長率創(chuàng)下近14年新高。 而三星也借著53.6%的年成長率，取代蟬連25年的英特爾成為2017年全球最大半導體廠商。 　　在前20大半導體廠商中，SK海力士(SK Hynix)的營收成長幅度最大，較2016年成長81.2%;美光科技(Micron)居次，營收較2016年成長了79.7%。 對此，IHS Markit半導體供應鏈分析師Teevens表示，強勁的需求以及價格上漲，是企業(yè)營收大
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閃存陣營戰(zhàn)火起，2018誰爭鋒！

  • 　　分析師從中整理出一些有趣的現(xiàn)象。 　　華為公司在2017年第四季度的全閃存陣列銷售競爭當中可謂橫空出世，較上年同期飆升十倍。與此同時，NetApp的A系列產(chǎn)品銷售額亦增長超過四倍。 　　當然，這兩輪飛躍主要源自相對較小的原有銷售份額——分別為730萬美元與4680萬美元。不過增長是實實在在的，如今華為公司銷售額已經(jīng)達到8410萬美元，這意味著買家完全能夠給今天新興廠商一些機會。 　　相關(guān)數(shù)據(jù)來自NetApp公司的分析師日活動，并由富國銀行分析師Aaron Rakers整理
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我國首批32層三維NAND閃存芯片年內(nèi)將量產(chǎn)

  • 　　位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機臺11日正式進場安裝，這標志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進入量產(chǎn)準備階段，我國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)，從而填補我國主流存儲器領(lǐng)域空白。 　　目前，我國通用存儲器基本全部依賴進口，國家存儲器基地于2017年成功研發(fā)我國首顆32層三維NAND閃存芯片。這顆耗資10億美元、由1000人的團隊歷時2年自主研發(fā)的芯片，是我國在制造工藝上最接近國際高端水平的主流芯片，有望使我國進入全球存儲芯片第
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14張圖看懂半導體工藝演進對DRAM、邏輯器件、NAND的影響

  • DRAM工藝尺寸的縮減正在面臨基本的物理限制，目前還有沒有明確的解決方案，由于印刷需求的推動，DRAM的清洗復雜度也在增加。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  
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nand 閃存介紹

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