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EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

晶圓廠、DRAM和3D NAND投資驅動，中國晶圓代工產(chǎn)能將于2020年達到全球20%份額

  • 　　近日國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會SEMI公布了最新的中國集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)報告，報告顯示，中國前端晶圓廠產(chǎn)能今年將增長至全球半導體晶圓廠產(chǎn)能的16%，到2020年，這一份額將增加到20%。受跨國公司和國內(nèi)公司存儲和代工項目的推動，中國將在2020年的晶圓廠投資將以超過200億美元的支出，超越世界其他地區(qū)，占據(jù)首位?！　?014年中國成立大基金以來，促進了中國集成電路供應鏈的迅速增長，目前已成為全球半導體進口最大的國家市場。SEMI指出，目前中國正在進行或計劃開展25個新的晶圓廠建設項目，代工廠、DRAM和3D
  • 關鍵字： 晶圓  DRAM  3D NAND  

中國產(chǎn)能逐漸開出 內(nèi)存價格2019將下滑

  • 　　內(nèi)存價格從2016年起一路上揚，但自2018下半年起，由于各廠商產(chǎn)能陸續(xù)開出，因此資策會MIC預測內(nèi)存價格將于開始下滑?！　≠Y策會MIC資深產(chǎn)業(yè)顧問洪春暉表示，2018年的半導體市場概況是近5年來難得的樂觀，盡管2018年內(nèi)存價格成長空間有限，但NAND Flash需求仍然持續(xù)增加。 因此，預估2018年全球半導體市場規(guī)模將成長10.1%，其中最大的原因是各應用終端內(nèi)存需求持續(xù)增加，以及車用電子等新興應用帶動?！　『榇簳熯M一步指出，內(nèi)存受惠于市場價格上揚，2018年全年臺灣內(nèi)存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將成長25%，產(chǎn)
  • 關鍵字： 內(nèi)存  NAND  

基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅動方法

  • 　　1. 引言　　NAND FLASH被廣泛應用于電子系統(tǒng)中作為數(shù)據(jù)存儲。在各種高端電子系統(tǒng)中現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)已被廣泛應用。FPGA靈活的硬件邏輯能實現(xiàn)對NAND FLASH的讀寫操作。本文中闡述了一種基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅動方法。　　2. VDNF2T16VP193EE4V25簡介　　歐比特公司的VDNF2T16VP193EE4V25是一款容量為2Tb、位寬為16位的NAND FLASH，其內(nèi)部由8片基片拓撲而成，其拓撲結構如下：　　其主要特性如下：　　? 總容量
  • 關鍵字： NAND  NIOS II  FPGA  

全球前15大半導體廠商排名：7家年增20%以上，中國大陸無一上榜

  • 　　8月20日，研究機構ICInsights發(fā)布了2018年上半年全球半導體供應商Top15榜單，三星位居第一位，英特爾位居第二位。不過遺憾的是，中國大陸暫時沒有公司進入這個榜單的前15名?！　「鶕?jù)發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，三星、英特爾、SK海力士、臺積電、鎂光排名榜單的前五位，相較于去年同期，這幾家公司都有比較明顯的增長，特別是三星、SK海力士以及鎂光，分列六至十五位的分別是博通、高通、東芝\東芝內(nèi)存、德州儀器、英偉達、西數(shù)\閃迪、英飛凌、恩智浦、意法半導體和聯(lián)發(fā)科。這里，英偉達數(shù)據(jù)最為搶眼，相較于去年同期，英偉
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

詳解Flash存儲器閃存工作原理及具體步驟

  • 什么是閃存?了解閃存最好的方式就是從它的ldquo;出生rdquo;它的ldquo;組成rdquo;均研究的透徹底底的。閃存的存儲單元為三端器件，與場效應管有相同
  • 關鍵字： Flash存儲器  閃存  

閃存降價利好可持續(xù)至2019下半年,大容量高性能SSD普及進行時

  • 　　幾年前突然“大火”的存儲行情，給業(yè)界帶來的極大的沖擊。在 PC 市場衰退后本就不多的 DIY 用戶，要么咬牙買高價內(nèi)存(DRAM)和固態(tài)硬盤(SSD)、要么咬牙推遲或干脆直接放棄了裝機升級的計劃。當然，市場也不是沒有好消息。據(jù)集邦咨詢(DRAMeXchange)所述，近期閃存降價的趨勢，有望持續(xù)到 2019 上半年?！　RAMeXchange 報告稱，2018 年 3~4 季度，NAND 閃存的平均銷售價格，預計將下降 10% 。集邦認為，市場需求較低的情況下所增長的產(chǎn)能，是推動這一趨勢的主要原因。
  • 關鍵字： 閃存  DRAM  

IC Insights預測：全球IC增長和全球GDP增長關聯(lián)日益密切

  • 　　在最近發(fā)布的《麥克萊恩2018年中期報告》(McClean Report 2018)中，IC Insights預測，2018-2022年全球GDP和IC市場相關系數(shù)將達到0.95，高于2010-2017年期間的0.88。 IC Insights描述了從2010年到2017年全球GDP增長與IC市場增長之間日益密切的關聯(lián)，以及到2022年的最新預測?！　∪鐖D所示，在2010-2017年的時間段內(nèi)，全球GDP增長與IC市場增長的相關系數(shù)為0.88，這是一個強勁的數(shù)字，因為完全相關為1.0。在此期間之前的3
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

NAND閃存價格還要連跌10% 512GB SSD未來兩年將成主流

  • 　　NAND閃存價格2018年以來一直在降低，大家也應該注意到了今年發(fā)布的智能手機閃存容量也越來越大了，中高端機中64GB是起步，128GB已經(jīng)是主流了。NAND閃存降價的趨勢在下半年還會繼續(xù)，因為智能手機出貨量增長放緩，而3D NAND閃存產(chǎn)能持續(xù)增加，預計Q3、Q4兩個季度中NAND價格都會下跌10%，不用過這也加速了大容量SSD硬盤的普及，未來2-3內(nèi)512GB將成為主流之選。　　集邦科技旗下的DRAMeXchange日前發(fā)布了有關NAND閃存市場下半年趨勢的報告，認為Q3季度雖然是傳統(tǒng)旺季，但是N
  • 關鍵字： NAND  SSD  

中國三大存儲公司將量產(chǎn)內(nèi)存、閃存：2019年開始

  • 外界普遍認為，中國存儲芯片公司逐步擴大產(chǎn)能，全球內(nèi)存閃存芯片市場的價格有望出現(xiàn)下降。
  • 關鍵字： 內(nèi)存  閃存  

中國三大存儲公司將量產(chǎn)內(nèi)存、閃存：2019年開始

  • 　　對于關注國產(chǎn)內(nèi)存、閃存的用戶來說，從明年開始將會有實質(zhì)性的成果，因為長江存儲、晉華集成電路以及合肥Innotro存儲都將量產(chǎn)。據(jù)臺灣電子時報報道稱，2019年，中國大陸地區(qū)將有三家存儲芯片廠竣工并投入量產(chǎn)。目前，長江存儲正在準備的第一個訂單是，生產(chǎn)8GB容量的SD存儲卡，訂單規(guī)模為一萬套32層3D NAND閃存芯片?！　≡谛庐a(chǎn)品方面，長江存儲正在研發(fā)64層的3D NAND閃存，計劃在2018年年底前推出樣品?！　「L江存儲不同的是，晉華公司和Innotron主要負責DRAM內(nèi)存芯片的制造。據(jù)說前者已經(jīng)
  • 關鍵字： 存儲  閃存  

中國存儲三大陣營相繼試產(chǎn),兩年后或取得全球產(chǎn)業(yè)話語權

  • 　　今年下半年，隨著長江存儲、福建晉華、合肥長鑫國內(nèi)三大存儲廠商相繼進入試產(chǎn)階段，中國存儲產(chǎn)業(yè)將迎來發(fā)展的關鍵階段。業(yè)界認為，國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期雖難大舉撼動全球版圖，但或將對全球存儲市場價格走勢造成影響。　　而隨著中美貿(mào)易局勢的緊張，以及中國監(jiān)管機構正式啟動對三星、美光、SK海力士等存儲機構的反壟斷調(diào)查，中國存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也愈發(fā)受到關注?！　∧壳埃袊鎯ζ鳟a(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注于移動式內(nèi)存的合肥長鑫，以及致力于利基型內(nèi)存的福建晉華三大陣營?！　〗趥鞒龊戏书L鑫投產(chǎn)8
  • 關鍵字： NAND  DRAM  

三星150億美元擴大NAND產(chǎn)能：SSD要繼續(xù)降價

  • 　　據(jù)韓國媒體報道稱，三星已經(jīng)上調(diào)了今明兩年在NAND生產(chǎn)上的投資，總計高達150億美元，這主要用于擴大韓國平澤工廠以及中國西安工廠的3D NAND產(chǎn)能。報道中提到，三星如此投資，只是為了提高NAND產(chǎn)量，所以未來SSD的繼續(xù)降價是基本沒懸念的事?！　∪騈AND閃存市場份額中，三星排名第一，占有率達到37%，其一舉一動直接影響整個行業(yè)的發(fā)展，而此番投資NAND領域以擴大產(chǎn)能，也勢必讓競爭對手采用同樣的策略?！　∮袌蟮婪Q，東芝/西數(shù)、美光、SK Hynix及Intel都在大舉投資NAND產(chǎn)能，今年底到明年
  • 關鍵字： 三星  NAND  

NAND閃存景氣回升 CAPEX將增40%至310億美元

  • 　　近日，據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù)預測，2018年NAND Flash行業(yè)的資本支出(CAPEX)將比預期產(chǎn)量增加40%以上，從2017年的220億美元增至2018年的310億美元，屬于近8年來的最大增幅。 　　其中，3D NAND的市場需求，成為驅動NAND閃存資本支出激增的主要因素之一。3D NAND閃存技術采用堆疊的方式處理設備層關系，可以使得每顆芯片的儲存容量增加，從而實現(xiàn)更大的結構和單元間隔，利于增加產(chǎn)品的耐用性、降低生產(chǎn)成本。因此深受NAND閃存廠商的追捧，目前已成為NAND閃存廠商的
  • 關鍵字： NAND  CAPEX  

美光科技就中國福建省專利訴訟案件的聲明

  • 　　美光科技有限公司(納斯達克代碼：MU)宣布，中國福建省福州市中級人民法院于今日通知美光科技的兩家中國子公司，針對聯(lián)華電子股份有限公司(以下簡稱“聯(lián)電”)與福建省晉華集成電路有限公司(以下簡稱“晉華”)提起專利侵權訴訟的案件，該法院已批準向美光科技兩子公司裁定初步禁令。這次聯(lián)電和晉華提起專利侵權訴訟，實為報復此前臺灣檢察機關針對聯(lián)電及其三名員工侵犯美光商業(yè)機密提起的刑事訴訟，以及美光科技就此針對聯(lián)電和晉華向美國加利福尼亞北區(qū)聯(lián)邦地區(qū)法院提起的民事訴訟?！　≡摮醪浇罱姑拦饪萍純芍袊庸驹谥袊圃?、銷
  • 關鍵字： 美光科技  DRAM  NAND   
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nand 閃存介紹

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