nand 閃存文章進(jìn)入nand 閃存技術(shù)社區(qū)

三星內(nèi)存閃存工廠剛著火鎧俠閃存廠又傳火警：損失還在統(tǒng)計(jì)中

2020年伊始，三星位于韓國華城的多座晶圓廠遭遇意外斷電，在UPS電源的支持下只停了三分鐘，已經(jīng)夠讓存儲(chǔ)芯片行業(yè)擔(dān)心受怕了?，F(xiàn)在第二大閃存廠鎧俠工廠又出事了，這次又是火災(zāi)，官方表示損失情況還在統(tǒng)計(jì)中。據(jù)報(bào)道，1月7日，鎧俠位于日本四日市的Fab 6晶圓廠傳出火警，著火地點(diǎn)是在工廠的無塵室，火災(zāi)被迅速撲滅，但是存在無塵室暫時(shí)無法運(yùn)行的可能，這也會(huì)導(dǎo)致東芝的閃存生產(chǎn)受到影響。鎧俠官方已經(jīng)證實(shí)了這次火災(zāi)，昨天發(fā)表公告稱火災(zāi)導(dǎo)致的損害情況還在統(tǒng)計(jì)中，對于客戶的供貨情況還在統(tǒng)計(jì)中。這次出事的Fab 6晶圓廠在201
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三星工廠發(fā)生意外斷電：損失尚在評估、部分內(nèi)存/閃存產(chǎn)線需3天恢復(fù)

本周三，三星電子對外確認(rèn)，部分半導(dǎo)體芯片產(chǎn)線臨時(shí)停車，原因是1分鐘的突然斷電。事發(fā)地點(diǎn)位于三星華城工業(yè)園，波及到的多是DRAM和NAND芯片生產(chǎn)線。據(jù)悉，此次意外是因?yàn)楫?dāng)?shù)剌旊娋€纜問題造成，預(yù)計(jì)產(chǎn)能完全恢復(fù)需要2~3天時(shí)間。三星在聲明中稱，他們正全面檢查產(chǎn)線，全面評估受損程度。匿名消息人士透露，此次停車的損失在數(shù)百萬美元左右，算不上重大。有分析人士認(rèn)為，此次停車將減少三星的芯片庫存，作為最大的存儲(chǔ)芯片制造上，會(huì)否帶來連鎖效應(yīng)尚不得而知。尤其是最新多方消息預(yù)判，明年內(nèi)存、閃存、MLCC、液晶面板等諸多元器件
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三星閃存、內(nèi)存晶圓廠遭遇停電分析師：對清庫存是重大利好

在內(nèi)存、閃存價(jià)格處于一個(gè)很敏感的拐點(diǎn)階段，三星在韓國華城的內(nèi)存及閃存工廠突然遭遇停電事故。對于這件事，大家很容易聯(lián)系到之前三星、海力士、東芝、美光等存儲(chǔ)芯片工廠遭遇的火災(zāi)、停電、跳閘等事故，不少人會(huì)心一笑。調(diào)侃歸調(diào)侃，這次事件最大的問題在于三星損失多嚴(yán)重，對內(nèi)存閃存的影響有多大。官方表示，他們正全面檢查產(chǎn)線，全面評估受損程度。匿名消息人士透露，此次停車的損失在數(shù)百萬美元左右，算不上重大，而且只要2-3天就可以恢復(fù)正常。從目前的信息來看，三星認(rèn)為事件影響不大，數(shù)百萬美元的損失意味著只有極少數(shù)的晶圓受到影響，
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三星存儲(chǔ)工廠斷電停產(chǎn) 影響到底有多大？

北京時(shí)間2020年1月1日消息，三星電子公司今天表示，在昨天下午發(fā)生大約一分鐘的斷電事故后，其華城芯片工廠的部分芯片生產(chǎn)已經(jīng)暫停。三星在一份聲明中表示，正在檢查生產(chǎn)線以備重新啟動(dòng)，并正在評估造成的損失。需要指出的，這不是三星存儲(chǔ)工廠第一次出現(xiàn)停電事。根據(jù)資料顯示，在2018年3月，三星位于Pyeongtaek（平澤市）的NAND閃存工廠也曾出現(xiàn)過停電事故，雖然停電僅持續(xù)了半小時(shí)，但依然損壞了5000~6000片晶圓，是三星當(dāng)月產(chǎn)量的11%，預(yù)計(jì)相當(dāng)于3月份的全球供應(yīng)的3.5%。事后，根據(jù)預(yù)計(jì)此次事故造成了
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1萬億次寫入壽命傳三星1Gb eMRAM內(nèi)存良率已達(dá)90%

今年3月份，三星宣布全球第一家商業(yè)化規(guī)模量產(chǎn)eMRAM(嵌入式磁阻內(nèi)存)，基于28nm FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)成熟工藝，內(nèi)存容量8Mb，可廣泛應(yīng)用于MCU微控制器、IoT物聯(lián)網(wǎng)、AI人工智能領(lǐng)域。MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)，其前景被廣泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業(yè)巨頭多年來一直都在研究，讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM等傳統(tǒng)內(nèi)存，當(dāng)同時(shí)又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，綜合了傳統(tǒng)內(nèi)存、閃存的有點(diǎn)。三星量產(chǎn)的eMRAM內(nèi)存是基于磁阻的存儲(chǔ)，擴(kuò)展性非常好，在非易失性、
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內(nèi)存、固態(tài)硬盤價(jià)格扛不住了！漲起來

最近一段時(shí)間內(nèi)，大家有入手內(nèi)存和固態(tài)硬盤嗎？有購買需求的小伙伴們可以入手了，因?yàn)閮?nèi)存和SSD都已經(jīng)開始漲價(jià)了。
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引領(lǐng)存儲(chǔ)新架構(gòu) 構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔英特爾通過傲騰和QLC NAND技術(shù)變革存儲(chǔ)未來

近日，以“數(shù)智·未來”為主題的2019中國數(shù)據(jù)與存儲(chǔ)峰會(huì)在北京成功舉辦。匯聚全球數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域知名的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)軍人物與代表性企業(yè)用戶，本次峰會(huì)旨在幫助企業(yè)和社會(huì)提升數(shù)據(jù)智能水平，推動(dòng)全球存儲(chǔ)與數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。英特爾公司中國區(qū)非易失性存儲(chǔ)事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼先生出席大會(huì)并發(fā)表演講，不僅從產(chǎn)品層面闡述了英特爾如何通過傲騰?技術(shù)和QLC NAND?技術(shù)填補(bǔ)當(dāng)前存儲(chǔ)層級中的巨大鴻溝，還通過諸多用戶案例進(jìn)一步展示英特爾如何通過內(nèi)存與存儲(chǔ)的產(chǎn)品、技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)存儲(chǔ)新架構(gòu)，構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔。英特爾公司中國區(qū)非易失性存儲(chǔ)事業(yè)部
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SK海力士128層4D NAND出樣

近日消息根據(jù)guru3D的報(bào)道，隨著NAND閃存技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展，固態(tài)硬盤TB內(nèi)存時(shí)代即將到來，SK海力士現(xiàn)已推出了第一批基于其128層4D NAND產(chǎn)品樣品。
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長江存儲(chǔ)64層3D閃存月產(chǎn)能有望在年底達(dá)到6萬片：或明年上馬128層

在被美日韓掌控的存儲(chǔ)芯片市場上，終于有中國公司可以殺進(jìn)去跟國際大廠正面競爭了。紫光旗下的長江存儲(chǔ)（YMTC）于今年三季度官方宣布，開始量產(chǎn)64層堆棧3D閃存，容量256Gb，TLC芯片。外界預(yù)計(jì)，初期的月產(chǎn)能在5000片左右。來自業(yè)內(nèi)分析人士最新爆料稱，長江存儲(chǔ)的64層3D閃存芯片將在2020年底前把月產(chǎn)能提高到6萬片。不過，接受采訪時(shí)，長江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華未對產(chǎn)能數(shù)據(jù)予以確認(rèn)，表示暫不能透露詳情，包括下一代更先進(jìn)產(chǎn)品的研發(fā)計(jì)劃。有報(bào)道猜測，長江存儲(chǔ)可能會(huì)跳過96層堆棧，預(yù)
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長江存儲(chǔ)64層3D閃存月產(chǎn)能有望在年底達(dá)到6萬片：明年上馬128層

在被美日韓掌控的存儲(chǔ)芯片市場上，終于有中國公司可以殺進(jìn)去跟國際大廠正面競爭了。據(jù)報(bào)道，今年一季度，紫光旗下的長江存儲(chǔ)（YMTC）開始投產(chǎn)64層堆棧3D閃存，容量256Gb，TLC芯片，初期的月產(chǎn)能僅有5000片。最新消息稱，長江存儲(chǔ)的64層3D閃存芯片將在年底前將月產(chǎn)能提高到6萬片。不過，接受采訪時(shí)，長江存儲(chǔ)副總裁、聯(lián)合CTO Cheng Weihua卻表示暫不能透露具體的數(shù)據(jù)詳情包括下一代更先進(jìn)產(chǎn)品的研發(fā)計(jì)劃。有報(bào)道指出，長江存儲(chǔ)預(yù)計(jì)最早明年初投產(chǎn)128層堆棧3D閃存，可能會(huì)采用第二代Xtacking架
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紫光國微否認(rèn)整合長江存儲(chǔ) 也無意進(jìn)入閃存芯片制造業(yè)務(wù)

隨著紫光旗下的長江存儲(chǔ)在8月底量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，國產(chǎn)存儲(chǔ)器芯片已經(jīng)嶄露頭角，結(jié)束了存儲(chǔ)芯片國產(chǎn)率0%的尷尬。目前紫光集團(tuán)下面有多個(gè)公司設(shè)計(jì)存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)，定位有沖突的可能，不過紫光國微已經(jīng)否認(rèn)了整合長江存儲(chǔ)的可能性。日前在投資者互動(dòng)平臺(tái)上，有投資者詢問了紫光國微是否會(huì)整合長江存儲(chǔ)，但紫光國微方面表態(tài)謹(jǐn)慎，稱“長江存儲(chǔ)設(shè)立時(shí)，為避免潛在的同業(yè)競爭，紫光集團(tuán)承諾，在本公司未來規(guī)劃發(fā)展存儲(chǔ)器芯片制造業(yè)務(wù)時(shí)，有權(quán)對長江存儲(chǔ)進(jìn)行產(chǎn)業(yè)整合。鑒于紫光集團(tuán)在存儲(chǔ)器領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局，公司目前沒有計(jì)劃涉足存儲(chǔ)器芯片制造業(yè)
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PLC SSD要來了！機(jī)械硬盤的末日要到了？

現(xiàn)在市面上主流的SSD都是TLC顆粒，相比以前的SLC和MLC顆粒在擦寫壽命和穩(wěn)定性上會(huì)差不少，但是好處是SSD容量可以越做越大，也越來越親民，現(xiàn)在SSD 1元1GB已經(jīng)成為了常態(tài)價(jià)。
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中國首款！長江存儲(chǔ)啟動(dòng)64層3D NAND閃存量產(chǎn)

網(wǎng)易科技訊 9月2日消息紫光集團(tuán)旗下長江存儲(chǔ)在IC China 2019前夕宣布，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場應(yīng)用需求。
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東芝開始研究5bit PLC閃存顆粒

根據(jù)Tom‘s Hardwared的報(bào)道，東芝在今年的閃存峰會(huì)上提到了未來的BiCS閃存，以及PLC的NAND開發(fā)。
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紫光國產(chǎn)64層3D閃存正式亮相：Xstacking堆棧 256Gb核心

在今天召開的2019中國國際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)上，紫光集團(tuán)展出了旗下芯片及云計(jì)算等領(lǐng)域的最新進(jìn)展，其中首次公開展出了旗下長江存儲(chǔ)研發(fā)的64層堆棧3D閃存，采用了Xstacking堆棧結(jié)構(gòu)，核心容量也提升到了256Gb。根據(jù)官網(wǎng)資料，長江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。長江存儲(chǔ)為全球工商業(yè)客戶提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。在閃存芯片上，長江存儲(chǔ)去年就小規(guī)模量
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