首頁  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 

停電余威沖擊NAND Flash出貨 價格維持小跌

  • 日本三重縣四日市日前發(fā)生停電意外,市場傳出存儲器大廠東芝存儲器(TMC)當(dāng)?shù)貭I運(yùn)的5座 NAND Flash工廠的營運(yùn)中斷,盡管東芝存儲器尚未對外說明影響,但據(jù)傳出,合作投資的威騰(WD)已通知客戶可能無法按照原定時程出貨。
  • 關(guān)鍵字: ?威騰  東芝存儲器  NAND Flash  

NAND閃存連跌一年半 減產(chǎn)也阻止不了跌價

  • NAND閃存價格已經(jīng)連跌了6個季度,這讓上游NAND廠商三星、東芝、美光等損失慘重,紛紛削減NAND產(chǎn)能。在群聯(lián)臺北電腦展上,群聯(lián)公司董事長潘建成也預(yù)測NAND閃存價格已經(jīng)跌破了成本,未來跌幅會收窄,需求則會升溫。
  • 關(guān)鍵字: NAND  減產(chǎn)  

長江存儲64層NAND量產(chǎn)在即 與紫光集團(tuán)角力戰(zhàn)漸起

  • 市場傳出,長江存儲有意改變策略,越過大股東紫光集團(tuán)的銷售管道,采取自產(chǎn)自銷3D NAND芯片的模式,也讓雙方暗自較勁的角力戰(zhàn)儼然成形。
  • 關(guān)鍵字: 紫光集團(tuán)  長江存儲  3D NAND  

為物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)發(fā)展做出突出貢獻(xiàn),Entegris用了哪些方法?

  • 當(dāng)前,我們正在經(jīng)歷第四次工業(yè)革命的歷史進(jìn)程,在這里催生了很多新技術(shù)和新市場,比如物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、新能源、3D打印、納米技術(shù)等等。這么多新的技術(shù)和產(chǎn)品相互激勵、互相融合,共同推動半導(dǎo)體行業(yè)不斷發(fā)展,從而改變?nèi)祟惖纳罘绞健?/li>
  • 關(guān)鍵字: 物聯(lián)網(wǎng)  Entegris  3D NAND  

集邦咨詢:受惠需求回溫及產(chǎn)能調(diào)節(jié),第二季NAND Flash合約價跌幅略有收斂

  •   Mar. 20, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查指出,受到服務(wù)器需求疲弱、智能手機(jī)換機(jī)周期延長、蘋果新機(jī)銷售不如預(yù)期等終端需求不佳沖擊,2019年第一季各類NAND Flash產(chǎn)品合約價綜合季跌幅近20%,是自2018年初NAND Flash轉(zhuǎn)為供過于求以來跌幅最劇的一季?! ≌雇诙荆珼RAMeXchange分析師葉茂盛表示,歷經(jīng)第一季的需求低谷之后,智能手機(jī)、筆記本電腦及服務(wù)器等主要需求較第一季有所改善。另一方面,NAND Flash供應(yīng)商
  • 關(guān)鍵字: NAND  UFS  SSD  

東芝和西數(shù)正研發(fā)128層3D NAND閃存:最早2020年上市

  •   根據(jù)外媒的報(bào)道,東芝及其戰(zhàn)略盟友西部數(shù)據(jù)準(zhǔn)備推出更高密度128層3D NAND閃存。在東芝的命名法中,該芯片將命名為BiCS-5?!   ?jù)介紹,芯片將實(shí)現(xiàn)TLC,而不是更新的QLC。這可能是因?yàn)镹AND閃存制造商仍然對QLC芯片的低產(chǎn)量有擔(dān)心。該芯片的數(shù)據(jù)密度為512 Gb,新的128層芯片的容量比96層芯片多33%,可以在2020到2021年實(shí)現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn)?! ?jù)報(bào)道,新芯片每單位信道的寫入性能從66 MB / s增加到132 MB / s。據(jù)報(bào)道,該芯片還采用了CuA(陣列電路),這是一
  • 關(guān)鍵字: 東芝  西數(shù)  NAND  

存儲市場寡頭競爭,中國能否突出重圍

  • 事實(shí)上中國巨額的投入也間接促進(jìn)了韓、美兩國大廠資本開支的上升。三星2017年在DRAM和NAND上投入的資本開支就達(dá)到200億美金,因此,我國廠商的數(shù)字分?jǐn)偟矫磕辏€難以和龍頭廠商相比。雖然在量產(chǎn)初期,如此巨大的資本開支也會給中國企業(yè)帶來不小的折舊壓力,下行周期中技術(shù)、管理略遜的中國企業(yè)可能必須經(jīng)歷幾年內(nèi)虧損,但若想實(shí)現(xiàn)存儲器的國產(chǎn)替代,這種投入十分必要。
  • 關(guān)鍵字: NAND  存儲器  

中國將增加在美半導(dǎo)體采購量?韓媒:不太容易

  •   據(jù)businesskorea報(bào)道,中國計(jì)劃在未來六年內(nèi)將在美國的半導(dǎo)體采購增加到2000億美元(約合225.9萬億韓元),大約是目前水平的五倍?! ∪欢S多專家表示,美國急于遏制中國的半導(dǎo)體野心,不太可能接受中國的提議,因?yàn)樗鼘⒃黾訉χ袊陌雽?dǎo)體依賴?! №n國企業(yè)對該計(jì)劃持謹(jǐn)慎態(tài)度,主要有兩個原因。  首先,中國沒有提及將購買哪一種半導(dǎo)體。一家韓國半導(dǎo)體公司的高級官員表示:“中國沒有說明將進(jìn)口何種半導(dǎo)體芯片,無論是內(nèi)存、中央處理器(CPU)還是系統(tǒng)半導(dǎo)體芯片。在這種情況下,很難預(yù)測對韓國企業(yè)的影響。
  • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  

IC Insights:大陸半導(dǎo)體制造困難大,五年后自制率不過半

  • ICInsights最新報(bào)告顯示,大陸的集成電路生產(chǎn)仍遠(yuǎn)低于政府的目標(biāo)。報(bào)告指出,2018年大陸半導(dǎo)體市場為......
  • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  晶圓  NAND  

韓媒:存儲器產(chǎn)業(yè)陷入低迷,中國企業(yè)或放緩前進(jìn)步伐

  • 根據(jù)韓國媒體Business Korea報(bào)道,由于存儲器產(chǎn)業(yè)從2018年年底迎來低迷,存儲器產(chǎn)品價格下跌,各大存儲器廠商先后宣布降低產(chǎn)量以來,雖然三星仍然穩(wěn)坐半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)頭把交椅,但是其盈利能力已經(jīng)受到質(zhì)疑?! o獨(dú)有偶,SK海力士等廠商的日子也不好過。頭部廠商的日子尚且如此,那還在奮斗中的中國存儲器廠商又將面對怎樣的未來呢? 
  • 關(guān)鍵字: 存儲器,NAND  

集邦咨詢:供需失衡態(tài)勢難止,NAND Flash供應(yīng)商2019年資本支出年減2%

  •   根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出,2018年NAND Flash市場經(jīng)歷全年供過于求,且2019年筆記本電腦、智能手機(jī)、服務(wù)器等主要需求表現(xiàn)仍難見起色,預(yù)計(jì)產(chǎn)能過剩難解。在此情況下,供應(yīng)商將進(jìn)一步降低資本支出以放緩擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)程,避免位元成長過多導(dǎo)致過剩狀況加劇?! RAMeXchange調(diào)查指出,2018年因供過于求難以遏制,韓系供應(yīng)商帶頭降低資本支出。NAND Flash總體資本支出下調(diào)近10%,但供需失衡的情形仍無法逆轉(zhuǎn)。2019年美系廠商減少資本支出,使得NAND
  • 關(guān)鍵字: NAND  東芝  

存儲器行業(yè)的2018:冰與火之歌|盤點(diǎn)2018

  • 存儲器一直被看成是半導(dǎo)體行業(yè)的晴雨表,它的表現(xiàn)也影響著整個市場的枯榮變換。2018年的存儲器行業(yè)在興奮和失望迷茫的情緒交替中前行,伴隨著技術(shù)上的幾許亮色,邁向了2019年。從熱火朝天到凜冬將至  2017年的存儲器市場可以用火熱來形容,三大存儲器公司(三星、海力士、美光)的財(cái)報(bào)都非常喜人。
  • 關(guān)鍵字: 存儲器  NAND  

中天弘宇:攻克核心設(shè)計(jì)缺陷 重建NOR閃存新生

  • 閃存是當(dāng)今數(shù)據(jù)存儲的重要介質(zhì)之一,主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過隨著半導(dǎo)體工藝不斷發(fā)展,相比于NAND技術(shù)的快速演進(jìn),NOR技術(shù)似乎在幾年前工藝就遲滯不前,因?yàn)榇嬖诓糠衷O(shè)計(jì)缺陷而讓NOR閃存無法繼續(xù)跟進(jìn)先進(jìn)工藝成為了阻礙NOR閃存大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵。不過,因?yàn)橹袊髽I(yè)中天弘宇集成電路有限公司的潛心研究,NOR閃存的應(yīng)用也許將重獲新生。 “我們經(jīng)過了近十年的研發(fā)積累,完成了對原有NOR閃存架構(gòu)的大膽創(chuàng)新,也可以說是一個完全的顛覆。我們沿用了整個NOR的架構(gòu),但和英特爾最早發(fā)明的NOR完全不是一回事
  • 關(guān)鍵字: NOR  NAND  存儲器  

半導(dǎo)體設(shè)備廠商競爭格局生變?

  •   半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商的排名在2016-2017年間沒有發(fā)生太大的變化,但是這種格局正在發(fā)生變化。不僅Lam Research、ASML和東京電子的位次發(fā)生調(diào)轉(zhuǎn),排名第一的應(yīng)用材料公司的寶座位置也岌岌可危?! ∽?990年以來,應(yīng)用材料公司一直是半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的市場領(lǐng)導(dǎo)者。在此之前的1989年,坐在鐵王座位置上的還是日本的東京電子,該公司2016年排名第四,今年前三季度的新排名則是第二。除了位次的變化,也許更重要的是,領(lǐng)頭羊和第二名的差距正在迅速收窄?! ?016年,應(yīng)用材料公司的市場份額比Lam
  • 關(guān)鍵字: ASML  NAND  
共1107條 11/74 |‹ « 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 » ›|

nand 介紹

您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條nand !
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對nand 的理解,并與今后在此搜索nand 的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473