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不同產(chǎn)品策略影響NAND供應(yīng)商營(yíng)收表現(xiàn)

　　TrendForce旗下記憶儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出，2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對(duì)eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產(chǎn)品策略的不同，營(yíng)收、利潤(rùn)等的各項(xiàng)營(yíng)運(yùn)指標(biāo)也有不一樣的的呈現(xiàn)。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導(dǎo)入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產(chǎn)品外，除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash，也預(yù)期陸續(xù)自今年第四季開始小量生產(chǎn)。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，受到整體經(jīng)濟(jì)環(huán)境沖擊，智慧型手機(jī)、平板電
關(guān)鍵字：英特爾 NAND

不同產(chǎn)品策略影響NAND供應(yīng)商營(yíng)收表現(xiàn)

　　TrendForce旗下記憶儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出，2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對(duì)eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產(chǎn)品策略的不同，營(yíng)收、利潤(rùn)等的各項(xiàng)營(yíng)運(yùn)指標(biāo)也有不一樣的的呈現(xiàn)。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導(dǎo)入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產(chǎn)品外，除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash，也預(yù)期陸續(xù)自今年第四季開始小量生產(chǎn)。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，受到整體經(jīng)濟(jì)環(huán)境沖擊，智慧型手機(jī)、平板電
關(guān)鍵字： NAND 英特爾

NAND閃存走向發(fā)展死胡同？

NAND閃存技術(shù)進(jìn)入發(fā)展的死胡同，工程師開始集中開發(fā)3D NAND
關(guān)鍵字：東芝 NAND

全球新式存儲(chǔ)器大戰(zhàn)　臺(tái)控制芯片廠不缺席

　　美光(Micron)與英特爾(Intel)合作非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(NVM)新技術(shù)3D XPoint，可取代既有DRAM和NAND Flash芯片，業(yè)界傳出該技術(shù)不僅將導(dǎo)入固態(tài)硬碟(SSD)，臺(tái)系NAND Flash控制芯片業(yè)者慧榮更已加入3D XPoint計(jì)劃，成為首家控制芯片供應(yīng)商，2016年搶先導(dǎo)入SSD。不過，相關(guān)消息仍待慧榮正式對(duì)外宣布。　　存儲(chǔ)器業(yè)者表示，包括美光和英特爾的IM Flash陣營(yíng)對(duì)于3D XPoint技術(shù)并未揭露太多資訊，業(yè)界推測(cè)可能是一種稱為可變電阻式存儲(chǔ)器(ReRAM)的新
關(guān)鍵字： DRAM NAND

海力士拼獲利，3D NAND快閃存儲(chǔ)器9月量產(chǎn)出貨

　　南韓記憶體大廠SK 海力士周二宣布加入三星、東芝與美光等強(qiáng)敵之列，其3D NAND 快閃記憶體第三季將正式進(jìn)入量產(chǎn)階段，預(yù)計(jì)9月開始對(duì)客戶出貨。　　快閃記憶體量產(chǎn)在2D平面微縮制程已遭遇瓶頸，因此走向3D立體堆疊已是大勢(shì)所趨。據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo)，海力士將優(yōu)先推出固態(tài)硬碟(SSD)用36層記憶體晶片試市場(chǎng)水溫后，48層產(chǎn)品明年才會(huì)投產(chǎn)。海力士(SK Hynix)上周公布第二季財(cái)報(bào)遜于預(yù)期，受PC用DRAM需求低迷影響，當(dāng)季營(yíng)業(yè)利潤(rùn)僅1.37兆韓圜，低于分析師預(yù)估的1.44兆韓圜。由于PC本季市況依舊
關(guān)鍵字：海力士 NAND

全SSD儲(chǔ)存時(shí)代正式來臨，充分發(fā)揮NAND架構(gòu)優(yōu)勢(shì)

　　幾年前，SSD以其穩(wěn)定、快速，不怕震動(dòng)的特性，前進(jìn)PC產(chǎn)業(yè)的儲(chǔ)存市場(chǎng)，獲得許多電腦玩家的青睞。只不過，當(dāng)時(shí)SSD與HDD每GB的價(jià)格，換算下來仍有一段不小的價(jià)差。而現(xiàn)在，隨著成本更低廉的TLC架構(gòu)問世，SSD在價(jià)格方面已經(jīng)逼近傳統(tǒng)HDD。挾著NAND Flash穩(wěn)定、高速、低耗能的優(yōu)勢(shì)特色，SSD不只在PC市場(chǎng)快速普及，下一步更將前進(jìn)資料中心、數(shù)位看板、POS機(jī)等商用市場(chǎng)。　　SanDisk：SSD全面進(jìn)占資料中心　　當(dāng)云端應(yīng)用已經(jīng)成為重要產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)，相關(guān)的基礎(chǔ)設(shè)備趕上這樣的趨勢(shì)，也成為了一種必
關(guān)鍵字： SSD NAND

走進(jìn)三星半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線：打造綠色經(jīng)營(yíng)系統(tǒng)

　　陜西西安的三星(中國(guó))半導(dǎo)體有限公司剛成立不久，公司園區(qū)內(nèi)部假山流水，綠樹成蔭，人工湖內(nèi)魚兒游來游去。這里生產(chǎn)世界最先進(jìn)技術(shù)的產(chǎn)品——10納米級(jí)NAND 閃存芯片(V-NAND)。　　對(duì)三星半導(dǎo)體來說，引導(dǎo)社會(huì)未來發(fā)展的不僅僅是生產(chǎn)全球最先進(jìn)的產(chǎn)品，同時(shí)也包括在環(huán)保方面打造世界最高水平的綠色經(jīng)營(yíng)系統(tǒng)(G-EHS)。　　形成半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈　　三星半導(dǎo)體工廠所在的地方，原本是空曠的野外，現(xiàn)正在變成發(fā)達(dá)的電子產(chǎn)業(yè)基地。　　西安是三星電子海外芯片生產(chǎn)線投資規(guī)模最大的一個(gè)
關(guān)鍵字：三星 NAND

傳三星出手搶iPhone6S NAND Flash訂單

三星發(fā)展半導(dǎo)體事業(yè)，看上蘋果搖錢樹，拼盡全力狂搶訂單。
關(guān)鍵字：三星 NAND

三星電子以3D V-NAND主宰SSD版圖生態(tài)

　　2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場(chǎng)中的3D V-NAND占比達(dá)10%，為當(dāng)初預(yù)期的3倍以上，預(yù)料到了2016年，占比將進(jìn)一步提升至40%，三星電子(Samsung Electronics)將成市場(chǎng)最大贏家。　　據(jù)韓媒Money Today報(bào)導(dǎo)，逐漸取代傳統(tǒng)硬碟(HDD)的SSD，發(fā)展重心開始愈來愈偏向3D V-NAND。三星2013年領(lǐng)先全球率先推出3D V-NAND后，目前仍然是唯一量產(chǎn)3D V-NAND業(yè)者。　　據(jù)市調(diào)業(yè)者IHS iSuppli統(tǒng)計(jì)資料，如果以數(shù)量而言，2015年企業(yè)用SSD
關(guān)鍵字：三星 V-NAND

平面架構(gòu)1x納米NAND揭密！

　　過去的一年半以來，主要NAND快閃記憶體制造商已經(jīng)開始銷售1x奈米等級(jí)的平面快閃記憶體;根據(jù)我們調(diào)查開放市場(chǎng)上所銷售元件的供應(yīng)來源，美光(Micron)是從2014年2月開始供應(yīng)1x奈米元件的第一家記憶體廠商，隨后是在同年10月推出產(chǎn)品的SK海力士(Hynix)。在近六個(gè)月之后，TechInsights實(shí)驗(yàn)室才出現(xiàn)三星(Samsung) 16奈米與東芝(Toshiba) 15奈米產(chǎn)品。　　針對(duì)平面NAND快閃記憶體的微影尺寸終點(diǎn)，在文獻(xiàn)中已經(jīng)有很多討論;其替代方案是垂直堆疊式的快閃記憶體，例如三星
關(guān)鍵字： NAND SK海力士

東芝、宜鼎搶進(jìn)NAND Flash儲(chǔ)存陣列商機(jī)

　　宜鼎和東芝成立臺(tái)灣首家進(jìn)軍快閃存儲(chǔ)器陣列的供應(yīng)商，分食云端儲(chǔ)存商機(jī)。李建梁攝東芝(Toshiba)、美超微(Supermicro)、宜鼎國(guó)際臺(tái)美日聯(lián)手炒熱云端儲(chǔ)存商機(jī)，三大廠力拱的快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存陣列(NAND Flash Array)公司捷鼎國(guó)際(AccelStor)即將在周四(25日)首次舉行“高速資料儲(chǔ)存新疆界：AccelStor NeoSapphire快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存陣列與企業(yè)應(yīng)用解決方案”研討會(huì)，邀請(qǐng)中華電信董事長(zhǎng)蔡力行親自出馬，為捷鼎提出的NAND Flash陣列解決方
關(guān)鍵字：東芝 NAND

蘋果要用？三星西安半導(dǎo)體工廠傳擴(kuò)產(chǎn) 50%

　　南韓媒體中央日?qǐng)?bào)日文版 19 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，因固態(tài)硬碟(SSD)需求提振 3D 架構(gòu)的 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)需求呈現(xiàn)急速增長(zhǎng)，故三星電子(Samsung)計(jì)劃把生產(chǎn) 3D NAND 的中國(guó)西安半導(dǎo)體工廠產(chǎn)量較現(xiàn)行擴(kuò)增 50%。報(bào)導(dǎo)指出，據(jù)熟知三星事務(wù)的關(guān)系人士透露，目前三星西安工廠晶圓月產(chǎn)量為 4-5 萬片，而三星計(jì)劃于今年內(nèi)將其產(chǎn)量提高 5 成(增加 2 萬片)至 6-7 萬片。　　據(jù) 報(bào)導(dǎo)，三星于去年 5 月開始量產(chǎn) 3D NAND，為目前唯一導(dǎo)入量產(chǎn)的廠商，且三星計(jì)劃
關(guān)鍵字：三星 NAND

臺(tái)美日首度合體搶SSD 東芝、宜鼎、美超微成立合資公司

　　宜鼎國(guó)際布局云端SSD市場(chǎng)，找來美超微和東芝一起搶商機(jī)。李建梁攝云端NAND Flash儲(chǔ)存陣列市場(chǎng)需求即將大爆發(fā)，美商都已卡好位，臺(tái)灣也拿到第一張參與競(jìng)賽的門票。由日商?hào)|芝(Toshiba)、美商美超微(Supermicro)，以及臺(tái)系存儲(chǔ)器模組廠宜鼎國(guó)際三方合資的新公司正式成立，臺(tái)方掌握主導(dǎo)權(quán)，由于首波客戶瞄準(zhǔn)金融和電信業(yè)者，因此邀請(qǐng)101董事長(zhǎng)宋文琪夫婿徐善可擔(dān)任董事長(zhǎng)。　　一般講到云端儲(chǔ)存商機(jī)，第一個(gè)聯(lián)想到固態(tài)硬碟(SSD)，這是NAND Flash大廠如三星電子(Samsung Elec
關(guān)鍵字： SSD NAND

分析師：IC與PC第二季全球市場(chǎng)需求皆衰弱

　　根據(jù)德意志銀行(Deutsche Bank)的分析報(bào)告， 2015年第二季全球市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體元件的需求持續(xù)疲弱，主因是部分亞洲PC組裝業(yè)者表示，部分零組件的采購(gòu)量與 2014年同季相較，減少了15~20%;不過在近五年拜訪了近30家臺(tái)灣、韓國(guó)與日本業(yè)者的該銀行分析師指出：“iPhone供應(yīng)鏈與汽車市場(chǎng)仍然是表現(xiàn)亮眼。” 　　德意志銀行的報(bào)告也顯示，平板電腦、電視以及許多Android手機(jī)的晶片需求亦呈現(xiàn)衰弱，該銀行對(duì)整體晶片產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域發(fā)展的評(píng)等為中性。“在中國(guó)智慧型手
關(guān)鍵字： PC NAND

Flash廠力推　3D NAND明年全面滲透消費(fèi)性SSD

　　在三星(Samsung)、美光(Micron)、SK Hynix及東芝(Toshiba)等快閃記憶體大廠力拱下，消費(fèi)性固態(tài)硬碟(SDD)及用戶端(Client)SSD產(chǎn)品預(yù)計(jì)將自今年下半年開始加速采用更高性價(jià)比的3D NAND方案，并可望在2016年完全進(jìn)入3D世代;而企業(yè)與資料中心應(yīng)用由于對(duì)SSD可靠度要求等級(jí)較高，預(yù)估將自2016下半年后才會(huì)轉(zhuǎn)換至3D NAND規(guī)格。　　
關(guān)鍵字： NAND SSD