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三星、東芝競擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash報價恐跌三成

　　全球NANDFlash(儲存型快閃記憶體)供給成長持續(xù)大于需求，預(yù)估NANDFlash今年底報價將較去年跌掉三成，且跌勢恐將一直延續(xù)至2018年。　　市調(diào)機(jī)構(gòu)IHSiSuppli最新報告預(yù)測，NANDFlash今年底報價將跌至0.49美元每GB，遠(yuǎn)低于去年的0.71美元，預(yù)估2018年將進(jìn)一步跌至0.14美元，其間年復(fù)合成長率為負(fù)的28%。　　NANDFlash產(chǎn)出過多是導(dǎo)致價格崩跌的主因，若以1GB等量單位計算，IHSiSuppl估計，2018年NANDFlash產(chǎn)出將自2013年的
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Spansion全新閃存設(shè)備不懼熱力來襲

　　并非所有的嵌入式應(yīng)用都“生而平等”。在設(shè)計者們繼續(xù)尋求途徑改善用戶體驗和性能等方面的過程中，一個必須考慮的重要因素是嵌入式應(yīng)用的運(yùn)行環(huán)境。從北極地區(qū)冰冷刺骨的戶外天線，到美國德州油氣公司極度炙熱的井下鉆機(jī)，嵌入式應(yīng)用所需支持的環(huán)境千差萬別。嵌入式系統(tǒng)及其組件不僅須支持高溫環(huán)境下功能運(yùn)作，還必須保持其交流和直流參數(shù)以及其它規(guī)格要求。如果在極端溫度范圍內(nèi)無法滿足所有規(guī)格要求，必須做出得失權(quán)衡，就必須記錄下這一信息，并在設(shè)計過程中進(jìn)行共享。在汽車、消費(fèi)、工業(yè)、游戲、網(wǎng)絡(luò)或通信應(yīng)用中，
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Marvell推出最新一代SATA SSD控制器，憑借開創(chuàng)性LDPC技術(shù)支持TLC NAND閃存

　　全球整合式芯片解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商美滿電子科技(Marvell，納斯達(dá)克代碼：MRVL)今日宣布，推出革命性的第五代6Gb/s SATASSD控制器Marvell 88SS1074。這款業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)品采用了Marvell第三代NANDEdge? 糾錯、低密度奇偶校驗(LDPC)技術(shù)，使消費(fèi)類及企業(yè)級SSD便于采用15nm TLC NAND閃存。先進(jìn)的Marvell 88SS1074 SATA SSD控制器顯著降低了存儲系統(tǒng)的總體成本，功耗更低，并提供無與倫比的性能?！　arvell公司總裁、聯(lián)合創(chuàng)始人
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半導(dǎo)體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(下)

　　科研投資　　日本資深專業(yè)人士泉谷涉還說：2012年日本國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)值約5萬億日元，占GDP的5%，但它對應(yīng)用半導(dǎo)體的服務(wù)業(yè)、硬件業(yè)以及通過IT業(yè)以提高生產(chǎn)力的下游產(chǎn)業(yè)來計算，半導(dǎo)體產(chǎn)生的經(jīng)濟(jì)效益約為100萬億日元，兩者之比達(dá)到1：20，如此給力，誰不動心?!但是，半導(dǎo)體業(yè)又一向被稱為“食金蟲”產(chǎn)業(yè)，沒有國家的大力支持，沒有生產(chǎn)設(shè)備和科研經(jīng)費(fèi)的巨大投入，那是美夢難圓的。　　半導(dǎo)體設(shè)備投資也是引導(dǎo)世界經(jīng)濟(jì)增長的要素之一，它每年投資計劃的發(fā)表還常關(guān)聯(lián)到生產(chǎn)設(shè)備、材料公司的股
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 NAND IC 201405

半導(dǎo)體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(上)

　　智慧之石　　作為電子工業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)的電子器件，已經(jīng)歷了三個巨大變革時代：1.?電子管時代――1905～1947(42年);2.?晶體管時代――1947～1958(11年);3.?集成電路時代――1958～…(到2014年已有56年)。　　電子管的發(fā)明拉開了電子時代的序幕，為當(dāng)時蓬勃發(fā)展的無線電報事業(yè)提供了核心器件，在它存在的40多年的時間里，推動了收音機(jī)、電視機(jī)、雷達(dá)、計算機(jī)的發(fā)明和應(yīng)用。美國是電子工業(yè)發(fā)展的代表，1920年即開始廣播，也是30年代最早開始電視廣播的國家之一
關(guān)鍵字： NAND DRAM PC 201404

2013年第四季NAND品牌供應(yīng)商營收下滑4.5%

　　全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange 表示，在NAND Flash業(yè)者原先對于 2013年第四季終端裝置出貨過于樂觀，導(dǎo)致產(chǎn)出成長高于后續(xù)實際需求而讓市況呈現(xiàn)供過于求，以及SK海力士(Hynix)火災(zāi)影響 NAND 產(chǎn)能調(diào)配等因素下，2013年第四季 NAND Flash 品牌供應(yīng)商營收較第三季下滑4.5%，來到61億6,800萬美元。　　2013年全年整體市況與供需產(chǎn)銷較2012年改善不少，因此第四季營收較 2012年同期增加16%;DRAMeXch
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布局存儲器封測臺廠競爭卡位

　　存儲器大廠美光擴(kuò)大委外封裝合作，東芝新廠可望今年量產(chǎn)。日月光、力成、南茂、華東等臺廠積極布局，今年存儲器封測競爭卡位，勢必激烈。　　展望今年，國際存儲器大廠集中資源開發(fā)前端制程，包括動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)和快閃存儲器(Flash)后段封測可能擴(kuò)大委外，封測臺廠考量自身發(fā)展，積極與國際大廠洽商合作。　　美光(Micron)去年以20億美元買下日本存儲器大廠爾必達(dá)(Elpida)，提高美光全球DRAM市占率約1倍。　　為進(jìn)一步集成DRAM封測業(yè)務(wù)，去年下半年美光著手洽商DRAM后段封測
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武漢新芯：定位存儲器制造，兩年后或推3D NAND

武漢新芯集成電路制造公司(XMC)2006成立，2012年底起獨(dú)立經(jīng)營，是國有制企業(yè)。為了區(qū)別于本土的制造巨頭SMIC(中芯國際)和華力微電子(HLMC)等，XMC將立足存儲器制造。近日，武漢新芯董事長王繼增告訴筆者。
關(guān)鍵字： XMC 存儲器 NOR NAND 201401

ARM11 S3C6410系列教程之四：NANDflash操作

在本章開始之前，我們先來看下ARM11S3C6410內(nèi)部結(jié)構(gòu)：
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武漢新芯：已建成IP體系，欲以存儲器為特色

武漢新芯集成電路制造公司(XMC)是地方政府投資的半導(dǎo)體企業(yè)，2006年由湖北省、武漢市、武漢市東湖高新區(qū)投資，并由東湖高新區(qū)管理的全資國有企業(yè)，前幾年委托SMIC(中芯國際)經(jīng)營管理，從2012年底起獨(dú)立經(jīng)營。
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東芝推出采用19納米第二代工藝技術(shù)的新型嵌入式NAND閃存模塊

東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。同時該模塊符合最新的e·MMC?[1]標(biāo)準(zhǔn)，旨在應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦和數(shù)字?jǐn)z像機(jī)等廣泛的數(shù)字消費(fèi)品。批量生產(chǎn)將從11月底開始。
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基于NAND Flash的大容量立體封裝芯片在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

摘要: NAND Flash應(yīng)用的困難在于管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。本文介紹了一種利用MCU存儲器管理接口結(jié)合I/O口來實現(xiàn)NAND Flash存儲結(jié)構(gòu)的搭建和管理的方法，并介紹底層的驅(qū)動程序。
關(guān)鍵字： Flash 嵌入式 MCU 存儲器 NAND 寄存器 201312

Marvell擴(kuò)大固態(tài)硬盤控制器在全球領(lǐng)先OEM中的市場份額

全球整合式芯片解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商美滿電子科技(Marvell，納斯達(dá)克代碼：MRVL)日前宣布，其完備的整合式芯片與軟件定義解決方案組合將繼續(xù)加速實現(xiàn)全球消費(fèi)者和企業(yè)的“美滿互聯(lián)生活(Connected Lifestyle)”。當(dāng)前，Marvell擁有豐富的端到端存儲、網(wǎng)絡(luò)、計算、移動和聯(lián)網(wǎng)解決方案，在行業(yè)中占據(jù)著獨(dú)一無二的領(lǐng)導(dǎo)地位。
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可管理NAND：適用于移動設(shè)備的嵌入式大容量存儲

與多年前相比，現(xiàn)在的移動消費(fèi)電子裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功能豐富，能夠存儲大量音樂、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是，存儲...
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10月快閃存儲器NAND供過于求合約價看漲

　　市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技預(yù)期，第4季儲存型快閃存儲器(NANDFlash)供過于求情況可望趨緩，10月合約價看漲。　　集邦科技表示，海力士(Hynix)中國大陸無錫廠發(fā)生火災(zāi)意外，不僅帶動動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)價格飆漲，同時激勵9月NANDFlash合約價上漲3%至6%。　　集邦科技指出，盡管NANDFlash市場銷售并無好轉(zhuǎn)跡象，不過，海力士無錫廠復(fù)工情況依然混沌不明，NANDFlash供給將連帶受到影響，預(yù)期第4季NANDFlash市場供過于求情況可望趨緩。　　集邦預(yù)期，近期1至2個月
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