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中國存儲三大陣營相繼試產(chǎn),兩年后或取得全球產(chǎn)業(yè)話語權(quán)

  • 　　今年下半年，隨著長江存儲、福建晉華、合肥長鑫國內(nèi)三大存儲廠商相繼進(jìn)入試產(chǎn)階段，中國存儲產(chǎn)業(yè)將迎來發(fā)展的關(guān)鍵階段。業(yè)界認(rèn)為，國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期雖難大舉撼動全球版圖，但或?qū)θ虼鎯κ袌鰞r格走勢造成影響?！　《S著中美貿(mào)易局勢的緊張，以及中國監(jiān)管機(jī)構(gòu)正式啟動對三星、美光、SK海力士等存儲機(jī)構(gòu)的反壟斷調(diào)查，中國存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也愈發(fā)受到關(guān)注?！　∧壳埃袊鎯ζ鳟a(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注于移動式內(nèi)存的合肥長鑫，以及致力于利基型內(nèi)存的福建晉華三大陣營。　　近期傳出合肥長鑫投產(chǎn)8
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三星150億美元擴(kuò)大NAND產(chǎn)能：SSD要繼續(xù)降價

  • 　　據(jù)韓國媒體報道稱，三星已經(jīng)上調(diào)了今明兩年在NAND生產(chǎn)上的投資，總計高達(dá)150億美元，這主要用于擴(kuò)大韓國平澤工廠以及中國西安工廠的3D NAND產(chǎn)能。報道中提到，三星如此投資，只是為了提高NAND產(chǎn)量，所以未來SSD的繼續(xù)降價是基本沒懸念的事?！　∪騈AND閃存市場份額中，三星排名第一，占有率達(dá)到37%，其一舉一動直接影響整個行業(yè)的發(fā)展，而此番投資NAND領(lǐng)域以擴(kuò)大產(chǎn)能，也勢必讓競爭對手采用同樣的策略。　　有報道稱，東芝/西數(shù)、美光、SK Hynix及Intel都在大舉投資NAND產(chǎn)能，今年底到明年
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NAND閃存景氣回升 CAPEX將增40%至310億美元

  • 　　近日，據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù)預(yù)測，2018年NAND Flash行業(yè)的資本支出(CAPEX)將比預(yù)期產(chǎn)量增加40%以上，從2017年的220億美元增至2018年的310億美元，屬于近8年來的最大增幅。 　　其中，3D NAND的市場需求，成為驅(qū)動NAND閃存資本支出激增的主要因素之一。3D NAND閃存技術(shù)采用堆疊的方式處理設(shè)備層關(guān)系，可以使得每顆芯片的儲存容量增加，從而實現(xiàn)更大的結(jié)構(gòu)和單元間隔，利于增加產(chǎn)品的耐用性、降低生產(chǎn)成本。因此深受NAND閃存廠商的追捧，目前已成為NAND閃存廠商的
  • 關(guān)鍵字： NAND  CAPEX  

美光科技就中國福建省專利訴訟案件的聲明

  • 　　美光科技有限公司(納斯達(dá)克代碼：MU)宣布，中國福建省福州市中級人民法院于今日通知美光科技的兩家中國子公司，針對聯(lián)華電子股份有限公司(以下簡稱“聯(lián)電”)與福建省晉華集成電路有限公司(以下簡稱“晉華”)提起專利侵權(quán)訴訟的案件，該法院已批準(zhǔn)向美光科技兩子公司裁定初步禁令。這次聯(lián)電和晉華提起專利侵權(quán)訴訟，實為報復(fù)此前臺灣檢察機(jī)關(guān)針對聯(lián)電及其三名員工侵犯美光商業(yè)機(jī)密提起的刑事訴訟，以及美光科技就此針對聯(lián)電和晉華向美國加利福尼亞北區(qū)聯(lián)邦地區(qū)法院提起的民事訴訟?！　≡摮醪浇罱姑拦饪萍純芍袊庸驹谥袊圃?、銷
  • 關(guān)鍵字： 美光科技  DRAM  NAND   

2018年Q1全球半導(dǎo)體銷售達(dá)1158億美元，無線通訊市場大幅下滑

  • 　　在2018年第一季度，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額達(dá)到了1158億美元。即使該季度半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總營收出現(xiàn)些許下滑，然而NAND市場依然創(chuàng)下了有史以來第二高的季度收入，其中，來自企業(yè)和消費(fèi)性固態(tài)硬盤(SSD)市場的需求最為強(qiáng)勁?！　‰S著企業(yè)和儲存市場對于相關(guān)零組件需求的增加，在2018年第一季度，儲存類別增長率為1.7%，達(dá)到397億美元。事實上，對于服務(wù)器用內(nèi)存(Server DRAM)的強(qiáng)勁需求將持續(xù)推動該市場。然而，也能看到NAND漲幅在該季度內(nèi)收入略有下降，IHS Marki內(nèi)存與儲存市場資深總監(jiān)Crai
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紫光對3D NAND閃存芯片的戰(zhàn)略愿景

  • 在“2018中國半導(dǎo)體市場年會暨IC中國峰會”上，紫光集團(tuán)有限公司董事長趙偉國作了“自主可控的中國存儲器產(chǎn)業(yè)崛起之路”報告，介紹了從2015年3月到2018年上半年的三年時間，紫光進(jìn)入3D NAND閃存芯片的思考與愿景。
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  3D  NAND  自主可控  201807  

96層3D NAND明年量產(chǎn) 群聯(lián)控制器方案準(zhǔn)備就緒

  • 　　為實現(xiàn)更高儲存密度，NAND Flash的堆棧層數(shù)不斷增加，單一晶胞內(nèi)能儲存的信息也越來越多。 目前NAND Flash芯片已經(jīng)進(jìn)入64層TLC時代，展望2019年，三星(Samsung)、東芝(Toshiba)等業(yè)者都將進(jìn)一步推出96層QLC顆粒。 為了因應(yīng)即將量產(chǎn)的新一代NAND Flash規(guī)格特性，控制器業(yè)者群聯(lián)已備妥對應(yīng)的解決方案?！　∪郝?lián)電子發(fā)言人于紹庭表示，3D NAND Flash技術(shù)不斷推進(jìn)，目前64層TLC已經(jīng)是相當(dāng)穩(wěn)定的產(chǎn)品。 而為了進(jìn)一步提升儲存密度，NAND Flash供貨商正
  • 關(guān)鍵字： NAND，芯片  

存儲芯片三巨頭是否合謀操縱市場？

  • 存儲芯片三巨頭此次遭中國反壟斷機(jī)構(gòu)調(diào)查，最終結(jié)果究竟如何，人們拭目以待。
  • 關(guān)鍵字： 存儲  NAND  

DRAM/NAND存儲器需求持續(xù)增溫 南亞科、旺宏業(yè)績看好

  • 　　隨物聯(lián)網(wǎng)時代來臨，數(shù)據(jù)中心、高速傳輸?shù)?G受重視，研調(diào)單位指出，協(xié)助運(yùn)算處理的DRAM與資訊儲存的NAND Flash等需求也持續(xù)增溫，南亞科(2408)日前表示，今年DRAM市場仍供不應(yīng)求，帶動存儲器族群行情向上，旺宏(2337)在權(quán)證市場同受關(guān)注，昨(29)日登上成交金額之首?！　∧蟻喛谱蛉展蓛r雖然收小黑，小跌0.4%，收在98.9元(新臺幣，后同)，但獲外資逆勢敲進(jìn)逾2,000張，頗有逢低承接意味?！　∧蟻喛平衲晔准久抗捎?EPS)達(dá)2.39元，隨著DRAM市場仍持續(xù)供不應(yīng)求，對今年整體營運(yùn)表
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

美光科技交付業(yè)界首款QLC NAND固態(tài)硬盤

  • 　　美光科技有限公司推出的業(yè)界首款基于革命性四層單元(QLC)NAND 技術(shù)的固態(tài)硬盤現(xiàn)已開始供貨。美光? 5210 ION 固態(tài)硬盤在美光 2018年分析師和投資者大會上首次亮相，面向之前由硬盤驅(qū)動器 (HDD) 提供服務(wù)的細(xì)分市場，可提供高出三層單元 (TLC) NAND 33%的位密度。新型 QLC固態(tài)硬盤的推出，奠定了美光在實現(xiàn)更高容量和更低成本方面的領(lǐng)導(dǎo)者地位，可以滿足人工智能、大數(shù)據(jù)、商業(yè)智能、內(nèi)容傳輸和數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)對讀取密集型且性能敏感的云存儲的需求?！　‰S著工作負(fù)載的演變以滿足對于實時數(shù)據(jù)的
  • 關(guān)鍵字： 美光  NAND   

韓國存儲器產(chǎn)業(yè)銷售額將在2020年減少78億美元

  • 　　當(dāng)前，不論DRAM還是NAND Flash等存儲器，中國市場基本上100%依賴進(jìn)口，這使得產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求也最為迫切。因此，現(xiàn)階段在政府的支持下，除了紫光集團(tuán)旗下的長江存儲已經(jīng)在武漢建設(shè)NAND Flash工廠，預(yù)計2018年下半年量產(chǎn)之外，其他包括安徽合肥、福建晉江也有團(tuán)隊在進(jìn)行DRAM研發(fā)，這使得未來幾年，中國生產(chǎn)存儲就會逐漸進(jìn)入市場。 　　對此，韓國企業(yè)也開始關(guān)注中國競爭對手的加入。韓國預(yù)測，在2022年時會因為中國競爭的影響，韓國企業(yè)將減少78億美元的存儲器的銷售金額。 　　根據(jù)韓國媒體《et
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  NAND   

內(nèi)存瘋漲將告一段落 NAND/DRAM降價潮并沒有來

  • 　　根據(jù)Gartner的報告顯示，在過去的2017年中，三星已經(jīng)成功取代英特爾，搶下了全球最大芯片制造商的寶座。要知道，英特爾從1992年就一直占據(jù)著這一寶座，如今被三星超越實在是無奈，因為沒有人能預(yù)料到這兩年內(nèi)存市場會如此強(qiáng)勁。 　　   　　也許大家都快忘記了，兩年前8GB的內(nèi)存條價格還不到200元，然后8GB內(nèi)存條的價格一路上漲到300多、500多、700多，甚至一度要突破千元大關(guān)，用了幾年的二手內(nèi)存條都還能大賺一筆。內(nèi)存價格的飆升也帶動了整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的增長，其中三星獲益匪淺，
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2017年全球十大半導(dǎo)體廠排名：三星首次登頂

  • 　　IHS Markit研究指出，2017年全球半導(dǎo)體市場營收達(dá)到4291億美元，與2016年相較成長了21.7%，年成長率創(chuàng)下近14年新高。 而三星也借著53.6%的年成長率，取代蟬連25年的英特爾成為2017年全球最大半導(dǎo)體廠商。 　　在前20大半導(dǎo)體廠商中，SK海力士(SK Hynix)的營收成長幅度最大，較2016年成長81.2%;美光科技(Micron)居次，營收較2016年成長了79.7%。 對此，IHS Markit半導(dǎo)體供應(yīng)鏈分析師Teevens表示，強(qiáng)勁的需求以及價格上漲，是企業(yè)營收大
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  

我國首批32層三維NAND閃存芯片年內(nèi)將量產(chǎn)

  • 　　位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機(jī)臺11日正式進(jìn)場安裝，這標(biāo)志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，我國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)，從而填補(bǔ)我國主流存儲器領(lǐng)域空白。 　　目前，我國通用存儲器基本全部依賴進(jìn)口，國家存儲器基地于2017年成功研發(fā)我國首顆32層三維NAND閃存芯片。這顆耗資10億美元、由1000人的團(tuán)隊歷時2年自主研發(fā)的芯片，是我國在制造工藝上最接近國際高端水平的主流芯片，有望使我國進(jìn)入全球存儲芯片第
  • 關(guān)鍵字： NAND  存儲器  

14張圖看懂半導(dǎo)體工藝演進(jìn)對DRAM、邏輯器件、NAND的影響

  • DRAM工藝尺寸的縮減正在面臨基本的物理限制，目前還有沒有明確的解決方案，由于印刷需求的推動，DRAM的清洗復(fù)雜度也在增加。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  
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