nand-flash 文章進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區(qū)

Flash數(shù)據(jù)丟失，說(shuō)好的數(shù)據(jù)去哪了？

芯片貼板后跑不起來(lái)？Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過(guò)程中莫名改變或不翼而飛？程序丟失可能無(wú)法正常運(yùn)行，從而造成整個(gè)系統(tǒng)崩潰，下面我們來(lái)看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化。
關(guān)鍵字：電源電壓 Flash MCU

Gartner：2016年全球半導(dǎo)體收入增長(zhǎng)2.6%

　　全球領(lǐng)先的信息技術(shù)研究和顧問(wèn)公司Gartner的研究顯示，2016年全球半導(dǎo)體收入總計(jì)3,435億美元，較2015年的3,349億美元提升2.6%。在企業(yè)并購(gòu)潮的影響下，前二十五大半導(dǎo)體廠商總收入增加10.5%，表現(xiàn)遠(yuǎn)優(yōu)于整體產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)率。　　Gartner研究總監(jiān)James Hines表示：“2016年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)回彈。雖然其年初因受到庫(kù)存調(diào)整的影響而表現(xiàn)疲軟，但下半年需求增強(qiáng)，定價(jià)環(huán)境得到改善。助力全球半導(dǎo)體收入增長(zhǎng)的因素包括多項(xiàng)電子設(shè)備部門(mén)產(chǎn)量的增加、NAND閃存售價(jià)的上揚(yáng)及相對(duì)溫和的
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 NAND

物聯(lián)網(wǎng)風(fēng)起我國(guó)亟需建設(shè)自主存儲(chǔ)

　　“物聯(lián)網(wǎng)”是指連接到互聯(lián)網(wǎng)的傳感器，通過(guò)開(kāi)放的專用連接、自由共享數(shù)據(jù)和允許非預(yù)期應(yīng)用程序，以互聯(lián)網(wǎng)的方式行事，因此電腦可以了解周?chē)氖澜?，成為類似人類的神?jīng)系統(tǒng) ”凱文·阿什頓說(shuō)(這個(gè)術(shù)語(yǔ)的發(fā)明者)。　　在我們的上一篇文章中，我們考慮了IoT的潛力——也被稱為“一切互聯(lián)網(wǎng)” ——在接下來(lái)的十年中，將推動(dòng)NAND銷售，從而使Micron的利潤(rùn)得以增加。本文將對(duì)體系架構(gòu)及其與內(nèi)存
關(guān)鍵字：物聯(lián)網(wǎng) NAND

東芝出售半導(dǎo)體導(dǎo)致NAND短缺惡化？韓媒：三星最受惠

　　東芝(Toshiba Corp.)決定出售半導(dǎo)體事業(yè)，但競(jìng)標(biāo)者眾、過(guò)程冗長(zhǎng)，如此一來(lái)，韓國(guó)廠商反倒會(huì)成為最大受惠者? 　　韓聯(lián)社 24 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，Shinhan Investment 研究員 Choi Do-yeon 發(fā)表研究報(bào)告指出，東芝的 3D NAND 快閃存儲(chǔ)器投資計(jì)劃勢(shì)必將因此延后，這會(huì)讓供給短缺更形惡化，也為三星電子(Samsung Electronics Co.)、SK 海力士(SK hynix Inc.)制造更多擴(kuò)產(chǎn)良機(jī)。　　美國(guó)硬盤(pán)機(jī)制造巨擘 Western Digital(WD
關(guān)鍵字：東芝 NAND

中國(guó)必須建設(shè)自主存儲(chǔ)，為什么？

在即將到來(lái)的物聯(lián)網(wǎng)的世界里，NAND的應(yīng)用會(huì)非常廣泛，作用也會(huì)愈發(fā)重要，出現(xiàn)的各種裝置和新興應(yīng)用都會(huì)用到NAND。
關(guān)鍵字： NAND 長(zhǎng)江存儲(chǔ)

東芝是大股東的群聯(lián)董事長(zhǎng)：東芝芯片會(huì)賣(mài)給日資

　　東芝半導(dǎo)體事業(yè)各路人馬搶親，包括鴻海集團(tuán)等展現(xiàn)高度意愿，東芝是群聯(lián)大股東，對(duì)于東芝內(nèi)存出售案，但長(zhǎng)期和東芝半導(dǎo)體合作的群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成分析，東芝不可能被單一企業(yè)或公司買(mǎi)下。他推斷最后結(jié)果，將會(huì)由日本境內(nèi)私募基金或現(xiàn)有股東拿下，仍會(huì)維持原有東芝控制權(quán)，再讓部分策略合作伙伴持有少數(shù)股權(quán)入股。　　潘健成強(qiáng)調(diào)，東芝半導(dǎo)體和早期的爾必達(dá)破產(chǎn)不一樣，東芝半導(dǎo)體是東芝最賺錢(qián)的事業(yè)體，而且東芝的儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)也是日本最引以為傲的技術(shù)，引發(fā)東芝財(cái)務(wù)危機(jī)的是核電事業(yè)，因此切割半導(dǎo)體事業(yè)獨(dú)立新公司
關(guān)鍵字：東芝 NAND

傳三星今年資本支出較去年增長(zhǎng)85.6%達(dá)219.5億美元

　　三星登上全球半導(dǎo)體龍頭，不惜砸重金投入研發(fā)，傳今年資本支出將大幅增加逾 10 兆韓圜。　　新韓投資(Shinhan Investment Corp)日前發(fā)布報(bào)告預(yù)測(cè)，三星今年半導(dǎo)體資本支出將擴(kuò)增至 24.5 兆韓圜(約 219.5 億美元)，較 2016 年成長(zhǎng) 85.6%，且將超越 2015 年的 14.7 兆韓圜成為三星史上新高。　　存儲(chǔ)器目前供不應(yīng)求，也是三星今年布局的重點(diǎn)，預(yù)料將占據(jù)資本支出的一半左右。據(jù)新韓分析師預(yù)測(cè)，光是 NAND 快閃存儲(chǔ)器，三星就將砸下 12.05 兆韓圜(約
關(guān)鍵字：三星 NAND

3D NAND延續(xù)摩爾定律電容耦合效應(yīng)及可靠度仍為技術(shù)關(guān)鍵

　　DIGITIMES Research觀察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過(guò)3DNAND Flash制程，無(wú)論是效能及儲(chǔ)存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導(dǎo)體內(nèi)存領(lǐng)域延伸的一項(xiàng)重要技術(shù)。　　3D NAND Flash依存儲(chǔ)元件儲(chǔ)存機(jī)制可分浮動(dòng)閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲(chǔ)存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結(jié)構(gòu)技術(shù)又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
關(guān)鍵字：摩爾定律 3D NAND

麥格理分析師：DRAM和Flash價(jià)格會(huì)持續(xù)漲到年底

　　據(jù)外媒報(bào)道，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上周出現(xiàn)降溫雜音，麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。　　他認(rèn)為下半年DRAM和NAND價(jià)格仍會(huì)續(xù)漲，有利美光、西部數(shù)據(jù)、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價(jià)。　　據(jù)巴隆周刊(Barron's)報(bào)導(dǎo)，Daniel Kim發(fā)布報(bào)告說(shuō)：「所有數(shù)據(jù)和消息都表明存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)今年下半年會(huì)比預(yù)期更強(qiáng)。」他看好存儲(chǔ)芯片價(jià)格會(huì)持續(xù)漲到今年底。　　整體來(lái)說(shuō)，Daniel Kim認(rèn)為芯片價(jià)格上漲，即暴露看空論點(diǎn)的瑕疵。　　他指出，建構(gòu)數(shù)據(jù)中心的廠商「重視的是系統(tǒng)的表現(xiàn)而
關(guān)鍵字： DRAM Flash

日美“卡脖子” 國(guó)產(chǎn)大存儲(chǔ)崛起能否取得成功？

　　小時(shí)候并不知道為什么唐僧要取經(jīng),取的什么經(jīng)?后來(lái)知道了,唐僧要的是所謂“大乘佛法”,簡(jiǎn)單說(shuō)就是普度眾生,救民于水火。既有這樣的佛法,孫悟空何不多翻幾個(gè)筋斗,快快取來(lái)就是,為什么非要肉體凡胎的唐僧不辭勞苦、跋山涉水呢?難道上天就沒(méi)有好生之德嗎?還要設(shè)置各種妖怪來(lái)?yè)v亂,豈不是折騰人嗎? 　　上天當(dāng)然會(huì)有好生之德,這沒(méi)有什么好懷疑的。至于為什么折騰唐僧,并不是上天要以此為樂(lè),所謂天機(jī)不可泄漏,九九八十一難其實(shí)就是真經(jīng)的一部分,對(duì)嗎? 　　其實(shí)現(xiàn)實(shí)生活也是如此。　　前不久,美國(guó)
關(guān)鍵字：晶圓 NAND

2019量產(chǎn)64層NAND閃存紫光絕不讓員工竊取前公司機(jī)密

　　國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng)勁，把三星和蘋(píng)果虐的夠嗆(主要是指國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額)，但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。為了讓國(guó)產(chǎn)閃存有更好的發(fā)展，不少公司都在努力。挖來(lái)臺(tái)灣DRAM教父高啟全后，紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)開(kāi)始全速狂飆。　　近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。對(duì)于目前行業(yè)的現(xiàn)狀，高啟全強(qiáng)調(diào)國(guó)內(nèi)公司應(yīng)該臺(tái)灣公司在存儲(chǔ)芯片上應(yīng)該合作，因?yàn)榇蠹业淖畲?/li>
關(guān)鍵字：紫光 NAND

紫光2019年要量產(chǎn)64層NAND閃存打破韓企壟斷

　　國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng)勁，把三星和蘋(píng)果虐的夠嗆(主要是指國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額)，但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。為了讓國(guó)產(chǎn)閃存有更好的發(fā)展，不少公司都在努力。挖來(lái)臺(tái)灣DRAM教父高啟全后，紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)開(kāi)始全速狂飆。　　近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。　　對(duì)于目前行業(yè)的現(xiàn)狀，高啟全強(qiáng)調(diào)國(guó)內(nèi)公司應(yīng)該臺(tái)灣公司在存儲(chǔ)芯片上應(yīng)該合作，因?yàn)榇?/li>
關(guān)鍵字：紫光 NAND

韓國(guó)3D NAND閃存三季度有望占全球一半市場(chǎng)

　　市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)DRAMeXchange近日發(fā)布的調(diào)查結(jié)果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導(dǎo)體在全球整體NAND閃存市場(chǎng)所占份額有望超過(guò)50%。　　閃存是指在斷電情況下仍能存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體，主要用于智能手機(jī)等移動(dòng)終端的周邊裝置。3D NAND在2D NAND的基礎(chǔ)上，增加了回路垂直排列，大大提高了性能和容量。新一代韓產(chǎn)3D NAND將陸續(xù)上市，三星電子和美光科技(Micron)等企業(yè)于今年二季度起量產(chǎn)64層3D NAND，SK海力士將于三季度在全球最先推出72層的3
關(guān)鍵字： NAND SK海力士

新世代內(nèi)存陸續(xù)小量產(chǎn) 商品化指日可待

　　內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一，目前主要由動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項(xiàng)產(chǎn)品。不過(guò)，由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù)，NAND Flash又有讀寫(xiě)速度較DRAM慢，且讀寫(xiě)次數(shù)相對(duì)有限的先天限制，因此內(nèi)存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內(nèi)存架構(gòu)，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性　　根據(jù)研究機(jī)構(gòu)Tech Insights估計(jì)，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內(nèi)存，都已陸續(xù)進(jìn)入小量生產(chǎn)階段。不過(guò)
關(guān)鍵字：內(nèi)存 NAND

全球3D NAND大軍技術(shù)對(duì)決下半年產(chǎn)出可望大增

　　2017年將是3D NAND Flash應(yīng)用市場(chǎng)快速崛起的關(guān)鍵年，包括三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、東芝(Toshiba)等陸續(xù)推出具競(jìng)爭(zhēng)力的64層3D NAND Flash加入競(jìng)局，SK海力士(SK Hynix)更一舉跳到72層3D NAND Flash技術(shù)以求突圍，由于新舊技術(shù)轉(zhuǎn)換，良率仍不穩(wěn)定，加上固態(tài)硬碟(SSD)需求起飛，造成NAND Flash市場(chǎng)大缺貨，業(yè)者預(yù)期2017年下半產(chǎn)出可望大增，全面開(kāi)啟3D NAND Flash時(shí)代。　　三星在2
關(guān)鍵字：三星 NAND