nand-flash 文章進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區(qū)

3D NAND Flash成產(chǎn)業(yè)發(fā)展突破口

　　存儲(chǔ)器作為四大通用芯片之一，發(fā)展存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對(duì)電子產(chǎn)品而言，存儲(chǔ)芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生，哪里有數(shù)據(jù)，哪里就會(huì)需要存儲(chǔ)芯片。而且隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。　　當(dāng)前，我國(guó)筆記本、智能手機(jī)出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠商崛起，以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網(wǎng)廠商帶動(dòng)數(shù)據(jù)中心爆發(fā)，使得國(guó)產(chǎn)廠商對(duì)存儲(chǔ)需求量巨大。　　相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2015年大陸DRAM采購規(guī)模估計(jì)為120億美元、NAND Flash采購規(guī)模為66.7億美元
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美光移動(dòng)裝置3D NAND解決方案　瞄準(zhǔn)中高階手機(jī)市場(chǎng)

　　美光(Micron)3D NAND固態(tài)硬碟(SSD)產(chǎn)品方才正式面市，緊接又宣布將推出首款針對(duì)移動(dòng)裝置最佳化的3D NAND產(chǎn)品，這也是美光首款支援通用快閃儲(chǔ)存(Universal Flash Storage;UFS)標(biāo)準(zhǔn)之產(chǎn)品。　　美光移動(dòng)事業(yè)行銷副總Gino Skulick在接受EE Times專訪表示，美光為移動(dòng)裝置所推出的首款3D NAND為32GB產(chǎn)品，鎖定中、高階智能型手機(jī)市場(chǎng)，此區(qū)塊市場(chǎng)占全球智能型手機(jī)總數(shù)的50%。　　而這也是業(yè)界首款采用浮動(dòng)閘極(Floating Gate)技
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機(jī)器學(xué)習(xí)或能為延長(zhǎng)NAND壽命提供解決方案

　　NAND在今日儲(chǔ)存市場(chǎng)中占有一席之地，而為了延長(zhǎng)NAND的使用壽命，近來有研究提出，透過機(jī)器學(xué)習(xí)(Machine Learning)的應(yīng)用，可讓NAND的儲(chǔ)存容量、耐久性以及資料保存達(dá)到最佳化。　　InformationWeek網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，近期數(shù)位資料儲(chǔ)存顧問機(jī)構(gòu)Coughlin Associates于快閃存儲(chǔ)器高峰會(huì)(Flash Memory Summit)揭露了一篇論文指出，NAND因重覆讀寫而使儲(chǔ)存單元劣化、致使耐用度降低的情況，將可望因機(jī)器學(xué)習(xí)的應(yīng)用而改善，使其生命周期延長(zhǎng)。　　一般來說
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中國(guó)NAND閃存市場(chǎng)占全球1/3

　　相對(duì)于舊式 HDD 硬盤的式微，NAND 閃存及 SSD 固態(tài)硬盤的發(fā)展就成了儲(chǔ)存市場(chǎng)的潮流風(fēng)向。不論是在移動(dòng)設(shè)備、個(gè)人電腦、或是數(shù)據(jù)中心等市場(chǎng)上都在快速成長(zhǎng)。而目前因?yàn)橹袊?guó)已經(jīng)成為 NAND 閃存的最大市場(chǎng)，而 SSD 固態(tài)硬盤也是成長(zhǎng)最快的市場(chǎng)。因此，也吸引了各家中國(guó)本土廠商的競(jìng)相投入。　　在NAND 閃存的市場(chǎng)部分，根據(jù) TrendForce 旗下的 DRAMeXchange 的最新研究報(bào)告顯示，中國(guó)市場(chǎng)消耗的 NAND 閃存越來越多，2017 年將占到全球市占率的 30% ，而到了 202
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3D NAND風(fēng)暴來襲，中國(guó)存儲(chǔ)器廠商如何接招?

中國(guó)正在下大力度推進(jìn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，3D NAND被認(rèn)為是一個(gè)有利的突破口。
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儲(chǔ)存技術(shù)不斷演進(jìn)　NAND Flash僅是開端

　　在進(jìn)展緩慢的儲(chǔ)存技術(shù)世界里，NAND Flash的普及速度算是極快，幾乎每種儲(chǔ)存產(chǎn)品都有其足跡，最主要原因就是速度。據(jù)TechTarget報(bào)導(dǎo)，NAND Flash剛推出時(shí)是市場(chǎng)上最昂貴的儲(chǔ)存裝置，后來供應(yīng)商發(fā)現(xiàn)只要加入相對(duì)小量的快閃存儲(chǔ)器，便可以大幅提升效能以快閃存儲(chǔ)器技術(shù)為基礎(chǔ)的儲(chǔ)存裝置也開始大受歡迎。　　由美光(Micro)和英特爾(Intel)合作開發(fā)的3D XPoint技術(shù)，以及IBM根據(jù)相變化存儲(chǔ)器(Phase Change Memory)修正后開發(fā)的新型態(tài)儲(chǔ)存裝置，在速度、耐用性和重
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美光3D NAND將殺到！打破三星獨(dú)霸、大戰(zhàn)一觸即發(fā)

目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)，但是先有東芝殺入敵營(yíng)，如今美光也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將畫下句點(diǎn)，3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打!
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Toppan Photomasks, Inc批準(zhǔn)在中國(guó)建設(shè)先進(jìn)光掩模生產(chǎn)線項(xiàng)目

　　全球業(yè)界首選光掩模合作伙伴Toppan Photomasks, Inc. (TPI)今天宣布批準(zhǔn)對(duì)近期擴(kuò)建的中國(guó)上海廠的下一階段投資計(jì)劃;該廠由TPI獨(dú)資子公司Toppan Photomasks Company Limited, Shanghai (TPCS) 運(yùn)營(yíng)。TPI將對(duì)此工廠再投資8000萬美元以展現(xiàn)其對(duì)中國(guó)快速成長(zhǎng)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及客戶之長(zhǎng)期承諾。TPI先前已投資2000萬美元擴(kuò)建上海二廠(TPCS Shanghai II);該廠現(xiàn)已量產(chǎn)并且為中國(guó)唯一提供全方位技術(shù)及產(chǎn)品的商業(yè)光掩模廠。　　
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美光科技推出適用于下一代智能手機(jī)的移動(dòng) 3D NAND 解決方案

　　美光科技有限公司今日推出了首項(xiàng)適用于移動(dòng)設(shè)備的 3D NAND 存儲(chǔ)技術(shù)，并推出了基于通用閃存存儲(chǔ) (UFS) 2.1 標(biāo)準(zhǔn)的首批產(chǎn)品。美光的首項(xiàng)移動(dòng) 3D NAND 32GB 解決方案主要面向中高端智能手機(jī)細(xì)分市場(chǎng)，這一細(xì)分市場(chǎng)大約占據(jù)全球智能手機(jī)總量的 50%[1]。隨著移動(dòng)設(shè)備替代個(gè)人電腦成為消費(fèi)者的主要計(jì)算設(shè)備，用戶行為對(duì)設(shè)備的移動(dòng)內(nèi)存和存儲(chǔ)要求產(chǎn)生了極大影響。美光的移動(dòng) 3D NAND 解決了這些問題，實(shí)現(xiàn)了無與倫比的用戶體驗(yàn)，包括流暢傳輸高分辨率視頻、更高的游戲帶寬、更快的啟動(dòng)時(shí)間、更好的
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鎂光：3D閃存芯片能讓手機(jī)擁有更多內(nèi)存容量

　　近日在加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit)上，鎂光公布了他們的首款 3D NAND 閃存芯片。這種閃存芯片在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲(chǔ)存空間。據(jù) PCWorld 報(bào)道，鎂光這款 3D 閃存芯片的容量為 32GB，其目標(biāo)市場(chǎng)為中高端的智能手機(jī)。該產(chǎn)品基于新的 UFS 2.1 標(biāo)準(zhǔn)，市面上的智能手機(jī)均未使用這種理論上更快的儲(chǔ)存協(xié)議。　　　　鎂光認(rèn)為智能手機(jī)對(duì)內(nèi)存容量的需求越來越高，虛擬現(xiàn)實(shí)應(yīng)用和流媒體都將占用大量的儲(chǔ)存空間。他們表示，在幾年
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解讀實(shí)現(xiàn)中國(guó)存儲(chǔ)器夢(mèng)的三條路徑

中中國(guó)下決心做存儲(chǔ)器芯片，是個(gè)特別重大，而又十分艱難的決定，國(guó)存儲(chǔ)器業(yè)要取得成功，總體上產(chǎn)業(yè)發(fā)展有三條路徑，研發(fā)，兼并及合資，合作都是十分有效，然而經(jīng)過一段時(shí)間的實(shí)踐，有一定進(jìn)展，但是情況也有些變化，這一切唯有通過研發(fā)的早日成功，才能扭轉(zhuǎn)被動(dòng)的局面。
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面對(duì)大陸攻勢(shì)　三星海力士強(qiáng)化3D NAND投資

　　據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政府的強(qiáng)力支援下，清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略，迫使南韓、日本、美國(guó)等主要半導(dǎo)體業(yè)者也紛紛強(qiáng)化投資。　　市調(diào)業(yè)者DRAM eXchange表示，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中，NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復(fù)合成長(zhǎng)率(CARG)47%的速度成長(zhǎng);清華紫光以新成立的長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)行武漢新芯的股權(quán)收購，成立長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司，未來可能引發(fā)NAND Flash市場(chǎng)版圖變化。　　清華紫光擁有清華大學(xué)的人脈，在社會(huì)上擁有一定的影響力，武漢新芯擁有技術(shù)方面
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三星年底前量產(chǎn)64層3D NAND

　　上周東芝及WD(西部數(shù)據(jù))宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產(chǎn)，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。外電報(bào)道，三星將搶先于今年底前開始量產(chǎn)64層3D NAND，三星表示，目標(biāo)是今年生產(chǎn)4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。　　SSD(固態(tài)硬盤)近年來制程技術(shù)演進(jìn)，成本價(jià)格逐漸逼近硬盤(Hard disk)，因此滲透率大增，各大廠陸續(xù)將生產(chǎn)DRAM產(chǎn)能逐漸轉(zhuǎn)向NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃記憶體)，大搶市占率，除了比市
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東芝超車失?。喝悄甑浊傲慨a(chǎn)64層3D NAND

　　上周東芝及WD(西部數(shù)據(jù))宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產(chǎn)，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。外電報(bào)道，三星將搶先于今年底前開始量產(chǎn)64層3D NAND，三星表示，目標(biāo)是今年生產(chǎn)4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。　　SSD(固態(tài)硬盤)近年來制程技術(shù)演進(jìn)，成本價(jià)格逐漸逼近硬盤(Hard disk)，因此滲透率大增，各大廠陸續(xù)將生產(chǎn)DRAM產(chǎn)能逐漸轉(zhuǎn)向NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃記憶體)，大搶市占率，除了比市
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