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三星電子以3D V-NAND主宰SSD版圖生態(tài)

  • 　　2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場(chǎng)中的3D V-NAND占比達(dá)10%，為當(dāng)初預(yù)期的3倍以上，預(yù)料到了2016年，占比將進(jìn)一步提升至40%，三星電子(Samsung Electronics)將成市場(chǎng)最大贏家。 　　據(jù)韓媒Money Today報(bào)導(dǎo)，逐漸取代傳統(tǒng)硬碟(HDD)的SSD，發(fā)展重心開始愈來愈偏向3D V-NAND。三星2013年領(lǐng)先全球率先推出3D V-NAND后，目前仍然是唯一量產(chǎn)3D V-NAND業(yè)者。 　　據(jù)市調(diào)業(yè)者IHS iSuppli統(tǒng)計(jì)資料，如果以數(shù)量而言，2015年企業(yè)用SSD
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平面架構(gòu)1x納米NAND揭密！

  • 　　過去的一年半以來，主要NAND快閃記憶體制造商已經(jīng)開始銷售1x奈米等級(jí)的平面快閃記憶體;根據(jù)我們調(diào)查開放市場(chǎng)上所銷售元件的供應(yīng)來源，美光(Micron)是從2014年2月開始供應(yīng)1x奈米元件的第一家記憶體廠商，隨后是在同年10月推出產(chǎn)品的SK海力士(Hynix)。在近六個(gè)月之后，TechInsights實(shí)驗(yàn)室才出現(xiàn)三星(Samsung) 16奈米與東芝(Toshiba) 15奈米產(chǎn)品。 　　針對(duì)平面NAND快閃記憶體的微影尺寸終點(diǎn)，在文獻(xiàn)中已經(jīng)有很多討論;其替代方案是垂直堆疊式的快閃記憶體，例如三星
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東芝、宜鼎搶進(jìn)NAND Flash儲(chǔ)存陣列商機(jī)

  • 　　宜鼎和東芝成立臺(tái)灣首家進(jìn)軍快閃存儲(chǔ)器陣列的供應(yīng)商，分食云端儲(chǔ)存商機(jī)。李建梁攝東芝(Toshiba)、美超微(Supermicro)、宜鼎國際臺(tái)美日聯(lián)手炒熱云端儲(chǔ)存商機(jī)，三大廠力拱的快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存陣列(NAND Flash Array)公司捷鼎國際(AccelStor)即將在周四(25日)首次舉行“高速資料儲(chǔ)存新疆界：AccelStor NeoSapphire快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存陣列與企業(yè)應(yīng)用解決方案”研討會(huì)，邀請(qǐng)中華電信董事長蔡力行親自出馬，為捷鼎提出的NAND Flash陣列解決方
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蘋果要用？三星西安半導(dǎo)體工廠傳擴(kuò)產(chǎn) 50%

  • 　　南韓媒體中央日?qǐng)?bào)日文版 19 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，因固態(tài)硬碟(SSD)需求提振 3D 架構(gòu)的 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)需求呈現(xiàn)急速增長，故三星電子(Samsung)計(jì)劃把生產(chǎn) 3D NAND 的中國西安半導(dǎo)體工廠產(chǎn)量較現(xiàn)行擴(kuò)增 50%。報(bào)導(dǎo)指出，據(jù)熟知三星事務(wù)的關(guān)系人士透露，目前三星西安工廠晶圓月產(chǎn)量為 4-5 萬片，而三星計(jì)劃于今年內(nèi)將其產(chǎn)量提高 5 成(增加 2 萬片)至 6-7 萬片。 　　據(jù) 報(bào)導(dǎo)，三星于去年 5 月開始量產(chǎn) 3D NAND，為目前唯一導(dǎo)入量產(chǎn)的廠商，且三星計(jì)劃
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臺(tái)美日首度合體搶SSD 東芝、宜鼎、美超微成立合資公司

  • 　　宜鼎國際布局云端SSD市場(chǎng)，找來美超微和東芝一起搶商機(jī)。李建梁攝云端NAND Flash儲(chǔ)存陣列市場(chǎng)需求即將大爆發(fā)，美商都已卡好位，臺(tái)灣也拿到第一張參與競(jìng)賽的門票。由日商?hào)|芝(Toshiba)、美商美超微(Supermicro)，以及臺(tái)系存儲(chǔ)器模組廠宜鼎國際三方合資的新公司正式成立，臺(tái)方掌握主導(dǎo)權(quán)，由于首波客戶瞄準(zhǔn)金融和電信業(yè)者，因此邀請(qǐng)101董事長宋文琪夫婿徐善可擔(dān)任董事長。 　　一般講到云端儲(chǔ)存商機(jī)，第一個(gè)聯(lián)想到固態(tài)硬碟(SSD)，這是NAND Flash大廠如三星電子(Samsung Elec
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分析師：IC與PC第二季全球市場(chǎng)需求皆衰弱

  • 　　根據(jù)德意志銀行(Deutsche Bank)的分析報(bào)告， 2015年第二季全球市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體元件的需求持續(xù)疲弱，主因是部分亞洲PC組裝業(yè)者表示，部分零組件的采購量與 2014年同季相較，減少了15~20%;不過在近五年拜訪了近30家臺(tái)灣、韓國與日本業(yè)者的該銀行分析師指出：“iPhone供應(yīng)鏈與汽車市場(chǎng)仍然是表現(xiàn)亮眼。” 　　德意志銀行的報(bào)告也顯示，平板電腦、電視以及許多Android手機(jī)的晶片需求亦呈現(xiàn)衰弱，該銀行對(duì)整體晶片產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域發(fā)展的評(píng)等為中性。“在中國智慧型手
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Flash廠力推　3D NAND明年全面滲透消費(fèi)性SSD

  • 　　在三星(Samsung)、美光(Micron)、SK Hynix及東芝(Toshiba)等快閃記憶體大廠力拱下，消費(fèi)性固態(tài)硬碟(SDD)及用戶端(Client)SSD產(chǎn)品預(yù)計(jì)將自今年下半年開始加速采用更高性價(jià)比的3D NAND方案，并可望在2016年完全進(jìn)入3D世代;而企業(yè)與資料中心應(yīng)用由于對(duì)SSD可靠度要求等級(jí)較高，預(yù)估將自2016下半年后才會(huì)轉(zhuǎn)換至3D NAND規(guī)格。 　　
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慧榮科技宣布SM2256 SATA 6Gb/s SSD控制器現(xiàn)支持Micron 128Gb 16nm TLC NAND閃存

  • 　　在設(shè)計(jì)和推廣固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備專用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation)今日宣布旗下SM2256 SATA(6Gb/s)客戶端SSD控制器現(xiàn)支持Micron(鎂光)新推出的16nm 128Gb TLC NAND 閃存，有助實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的性能和無可比擬的可靠性，成就新一代高性價(jià)比的TLC SSD產(chǎn)品。 　　SM2256是世界上首款支持Micron 16nm TLC NAND的SSD控制器，同時(shí)也是市場(chǎng)上性能最佳、成本最優(yōu)
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Flash廠力推3D/TLC NAND　高密度/低成本SSD加速問世

  • 　　固態(tài)硬碟(SSD)規(guī)格更吸睛。記憶體制造商擴(kuò)大采用新型3D堆疊與三層式儲(chǔ)存(TLC)設(shè)計(jì)架構(gòu)，讓NAND Flash晶片容量密度激增，且成本顯著下滑，吸引固態(tài)硬碟開發(fā)商大舉采納，用以打造兼具高儲(chǔ)存容量和價(jià)格優(yōu)勢(shì)的新產(chǎn)品。 　　固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點(diǎn)--價(jià)格將有顯著突破。NAND快閃記憶體(Flash Memory)大廠及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲(chǔ)存(TLC)快閃記憶體解決方案，并將于2015?2016年逐漸放量，協(xié)助SSD廠商開發(fā)
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Flash廠力推3D/TLC NAND　高密度/低成本SSD加速問世

  • 　　固態(tài)硬碟(SSD)規(guī)格更吸睛。記憶體制造商擴(kuò)大采用新型3D堆疊與三層式儲(chǔ)存(TLC)設(shè)計(jì)架構(gòu)，讓NAND Flash晶片容量密度激增，且成本顯著下滑，吸引固態(tài)硬碟開發(fā)商大舉采納，用以打造兼具高儲(chǔ)存容量和價(jià)格優(yōu)勢(shì)的新產(chǎn)品。 　　固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點(diǎn)--價(jià)格將有顯著突破。NAND快閃記憶體(Flash Memory)大廠及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲(chǔ)存(TLC)快閃記憶體解決方案，并將于2015?2016年逐漸放量，協(xié)助SSD廠商開發(fā)
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基于ARM7軟中斷程序的設(shè)計(jì)

  • 　　筆者在設(shè)計(jì)一項(xiàng)目時(shí)采用LPC2458。此CPU為ARM7內(nèi)核，帶512K字節(jié)的片內(nèi)FLASH，98k字節(jié)的片內(nèi)RAM，支持片外LOCAL BUS總線，可從片外NOR FLASH啟動(dòng)CPU.由于代碼量較大，程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在運(yùn)行程序時(shí)，需對(duì)片外的NOR FLASH擦寫的需求。圖1為存儲(chǔ)部分框圖。 　　   　　圖1存儲(chǔ)部分原理框圖 　　在設(shè)計(jì)中，片外NOR FLASH的大小為16M字節(jié)。其中2M規(guī)劃為存放運(yùn)行程序，剩余的空間用于產(chǎn)品運(yùn)
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SSD需求起飛 引爆28納米制程第二波攻勢(shì)

  • 近期固態(tài)硬盤大降價(jià)，刺激了SSD晶元代工市場(chǎng)。
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分析師：NAND第三季可望擺脫供過于求

  • 　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查報(bào)告顯示，受到新款智慧型手機(jī)上市以及 2015年度蘋果(Apple)新款iPhone即將開始拉貨的影響，NAND Flash市況將逐漸增溫，預(yù)估在第三季擺脫供過于求，轉(zhuǎn)為供需較為平衡的格局。 　　從供給面來觀察，雖然各家NAND Flash廠商陸續(xù)宣布3D-NAND Flash的量產(chǎn)時(shí)程，但嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用仍須考量控制晶片的搭配，與各種系統(tǒng)端搭配的相容性問題，DRAMeXchange預(yù)估2015年3D-NAND Flash的產(chǎn)出比
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研調(diào)：NAND Flash需求漸加溫，估Q3擺脫供過于求

  • 　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查報(bào)告顯示，受到新款智慧型手機(jī)上市以及今(2015)年度蘋果新款iPhone即將開始拉貨的影響，NAND Flash市況將逐漸增溫，預(yù)估在第三季將擺脫供過于求，轉(zhuǎn)為供需較為平衡的格局。 　　從供給面觀察，雖然各家NAND Flash廠商陸續(xù)宣布3D -NAND Flash的量產(chǎn)時(shí)程，但嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用仍須考量控制晶片的搭配，與各種系統(tǒng)端搭配的相容性問題，DRAMeXchange預(yù)估，2015年3D-NAND Flash的產(chǎn)出比重將僅
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2016年3D V-NAND市場(chǎng)擴(kuò)大10倍　三星拉大與后起業(yè)者差距

  • 　　在存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)上，垂直堆疊結(jié)構(gòu)的3D V-NAND Flash比重正迅速擴(kuò)大，全球企業(yè)間的競(jìng)爭(zhēng)也將漸趨激烈。 　　據(jù)韓國MT News報(bào)導(dǎo)，2016年前3D V-NAND市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估將擴(kuò)大10倍，而除目前獨(dú)占市場(chǎng)的三星電子(Samsung Electronics)外，也將有更多半導(dǎo)體廠加速生產(chǎn)V-NAND。三星獨(dú)大V-NAND市場(chǎng)，為拉大與后起業(yè)者的差距，生產(chǎn)產(chǎn)品將從目前的32層堆疊結(jié)構(gòu)，增加到48層。 　　外電引用市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS iSuppli資料指出，以NAND Flash的技術(shù)分類，V-N
  • 關(guān)鍵字： 三星  V-NAND  
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