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三星電子全球最大規(guī)模半導體生產(chǎn)線投產(chǎn)

  • 　　據(jù)韓聯(lián)社報道，三星電子平澤工廠全球最大規(guī)模半導體生產(chǎn)線近日正式投產(chǎn)。三星電子將在該工廠生產(chǎn)第四代64位V-NAND，月產(chǎn)能可達20萬片，并計劃持續(xù)擴充生產(chǎn)設(shè)備，解決近年來全球半導體市場上供不應求的局面。 　　據(jù)了解，位于韓國京畿道平澤市的三星電子平澤工廠于2015年5月動工建設(shè)，日均投入1.2萬名施工人員，耗時兩年多建成全球最大的單一產(chǎn)品生產(chǎn)線。 　　三星宣布，至2021年為止，要對位于平澤市的NAND型快閃存儲器廠房投入14.4萬億韓圜(約合125.4億美元)，并對華城市新建的半導體生產(chǎn)線投入6
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東芝明年量產(chǎn)96層3D NAND，或獨投1800億增產(chǎn)3D NAND

  • 　　全球第 2 大 NAND 型快閃存儲器廠東芝(Toshiba)28 日宣布，攜手 SanDisk 研發(fā)出全球首款采用堆疊 96 層制程技術(shù)的 3D NAND Flash 產(chǎn)品，且已完成試樣。該款產(chǎn)品為 256Gb(32GB)、采用 3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技術(shù)的產(chǎn)品，預計于 2017 年下半送樣、2018 年開始進行量產(chǎn)，主要用來搶攻數(shù)據(jù)中心用 SSD、PC 用 SSD 以及智能手機、平板電腦和存儲卡等市場。 　　東芝今后也計劃推出采用堆疊 96 層制程技術(shù)的
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Flash產(chǎn)能不給力 UFS稱霸江湖夢碎

  • UFS普及并不缺乏機會，F(xiàn)lash產(chǎn)能的困境能否早日抒解，成為真正影響UFS茁壯的關(guān)鍵因素了。
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64層堆棧是3D NAND的「甜蜜點」？

  • 　　64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎，預計將在未來18個月內(nèi)成為市場主流... 　　Western Digital(WD)內(nèi)存技術(shù)執(zhí)行副總裁Siva Sivaram日前指出，64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎。 　　在最近接受《EE Times》的訪問中，Siva Sivaram將64層3D NAND定義為一種「開創(chuàng)性技術(shù)」(seminal technology)，可望應用于WD逾50種產(chǎn)品線。 他預計今年WD約有一半的產(chǎn)品線都將采用3D
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三星64層NAND閃存宣布量產(chǎn)

  • 　　三星電子 15 日宣布，最新 64 層 256GB V-NAND 閃存已進入量產(chǎn)，與此同時，三星還將擴展包含服務器、PC 與行動裝置的儲存解決方案。 　　64 層 V-NAND 閃存用稱為第四代 V-NAND 芯片，南韓 ITtimes.com 報導指出，三星為穩(wěn)固領(lǐng)先優(yōu)勢，打算于年底把第四代芯片占每月生產(chǎn)比重拉高至五成以上。 　　其實，三星今年 1 月已先為某關(guān)鍵客戶，打造第一顆內(nèi)含 64 層 V-NAND 芯片的固態(tài)硬盤(SSD)，自此之后，三星持續(xù)朝行動與消費型儲存市場開發(fā)新應用，務求與 I
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若拿下東芝 郭董：優(yōu)先設(shè)廠美國

  • 　　鴻海董事長郭臺銘昨(12)日證實，將籌組美、日、臺夢幻團隊，共同競標東芝半導體。 對日本出現(xiàn)擔心鴻?！钢袊蛩亍沟脑u論，郭董炮火全開，左打美系私募基金，右批日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省高層，并強調(diào)，鴻海如果順利得標，海外市場將優(yōu)先考慮在美設(shè)內(nèi)存芯片廠。 　　東芝半導體競標案進入倒數(shù)計時，預計本周公布結(jié)果。 競標者之一鴻海動作不斷，郭臺銘接連接受日經(jīng)新聞、路透社專訪。 郭董強調(diào)，如果鴻海順利標下東芝半導體事業(yè)，希望未來能在海外建立內(nèi)存工廠，地點將優(yōu)先考慮美國。 　　郭臺銘補充，因為美國國內(nèi)市場需求在當?shù)剡€沒達到，
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基于ZigBee技術(shù)的家居智能無線網(wǎng)絡系統(tǒng)

  • 介紹了一種基于ZigBee技術(shù)的智能家居無線網(wǎng)絡系統(tǒng)。重點闡述了該系統(tǒng)的組成、通訊協(xié)議以及無線節(jié)點的軟硬件設(shè)計。
  • 關(guān)鍵字： UART  ZigBee  ACLK  Flash  

NAND閃存的三種架構(gòu)：MLC、SLC、MBC

  • NAND閃存的內(nèi)部架構(gòu):NAND閃存可以分為三種不同架構(gòu)，即：單層單元SLC 多層單元MLC多位單元MBC。其中，MBC以NROM技術(shù)為基礎(chǔ)的NAND閃存架構(gòu)，由英飛凌與Saifun合作開發(fā)，但該項架構(gòu)技術(shù)并不成熟。采SLC架構(gòu)是在每個Cell中存儲1個bit的信息，以達到其穩(wěn)定、讀寫速度快等特點，Cell可擦寫次數(shù)為10萬次左右。作為SLC架構(gòu)，其也有很大的缺點，就是面積容量相對比較小，并且由于技術(shù)限制，基本上很難再向前發(fā)展了。
  • 關(guān)鍵字： MLC  閃存  NAND  英特爾  

每況愈下 東芝還能否從風暴中脫身？

  • 公司內(nèi)部派系斗爭問題，又因外部的2008年金融海嘯與2011年福島核災影響日本經(jīng)濟及東芝業(yè)績，造成派系斗爭惡化，及為自保而偽造業(yè)績歪風興起，等到2015年事件爆發(fā)，發(fā)現(xiàn)該廠從2008會計年度(2008/4~2009/3)便有業(yè)績灌水的問題，事件逐一發(fā)不可收拾。
  • 關(guān)鍵字： 東芝  NAND   

NAND Flash下季度或史上最缺貨

  • 　　NAND Flash控制芯片與模塊廠群聯(lián)董事長潘健成日前估計，接下來將面臨史上最缺貨的第3季，而該公司也積極備戰(zhàn)，近日捧著5000多萬美元現(xiàn)金，大舉吃下某大廠釋出的貨源，為下半年建立更多庫存。 　　群聯(lián)在去年初NAND Flash市況尚未大熱時，建立的庫存水位一度超過三億美元，后來市場景氣于去年第3季開始往上，價格走升，也讓該公司因此大賺。 　　潘健成提到，今年大概只有5月有機會多收貨，所以該公司在前兩個禮拜以現(xiàn)金買了大約5000多萬美元的額外貨源，預計可供第3季使用。 　　群聯(lián)在今年4月時，手
  • 關(guān)鍵字： NAND  

基于FPGA的測量數(shù)據(jù)存儲交換技術(shù)

  • 以AT45DB041B為例，將FPGA和大容量串行flash存儲芯片的優(yōu)點有效地結(jié)合起來，實現(xiàn)了FPGA對串行存儲芯片的高效讀寫操作，完成了對大量測量數(shù)據(jù)的存儲處理和與上位機的交換，并在某電力局項目工頻場強環(huán)境監(jiān)測儀中成功應用。
  • 關(guān)鍵字： Flash  串行存儲  FPGA  

基于FPGA的水聲信號高速采集存儲系統(tǒng)的設(shè)計與實現(xiàn)

  • 介紹了一種基于FPGA的水聲信號數(shù)據(jù)采集與存儲系統(tǒng)的設(shè)計與實現(xiàn),給出了系統(tǒng)的總體方案,并對各部分硬件和軟件的設(shè)計進行了詳細描述。系統(tǒng)以FPGA作為數(shù)據(jù)的控制處理核心,以存儲容量達2 GB的大容量NAND型Flash作為存儲介質(zhì)。該系統(tǒng)主要由數(shù)據(jù)采集模塊、數(shù)據(jù)存儲模塊和RS-232串行通信模塊組成,具有穩(wěn)定可靠、體積小、功耗低、存儲容量大等特點,實驗證明該系統(tǒng)滿足設(shè)計要求。
  • 關(guān)鍵字： 數(shù)據(jù)采集  Flash  FPGA  

FPGA最小系統(tǒng)之：最小系統(tǒng)電路分析

  • FPGA的管腳主要包括：用戶I/O（User I/O）、配置管腳、電源、時鐘及特殊應用管腳等。其中有些管腳可有多種用途，所以在設(shè)計FPGA電路之前，需要認真的閱讀相應FPGA的芯片手冊。
  • 關(guān)鍵字： Cyclone  Altera  Flash  FPGA  CPLD  SDRAM  FPGA最小系統(tǒng)  

FPGA最小系統(tǒng)之：最小系統(tǒng)的概念

  • FPGA最小系統(tǒng)是可以使FPGA正常工作的最簡單的系統(tǒng)。它的外圍電路盡量最少，只包括FPGA必要的控制電路。一般所說的FPGA的最小系統(tǒng)主要包括：FPGA芯片、下載電路、外部時鐘、復位電路和電源。如果需要使用NIOS II軟嵌入式處理器還要包括：SDRAM和Flash。一般以上這些組件是FPGA最小系統(tǒng)的組成部分。
  • 關(guān)鍵字： FPGA最小系統(tǒng)  Altera  NiosII  Flash  SDRAM  

2017第一季度NAND Flash品牌廠商營收排名

  • 　　集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，第一季整體NAND Flash市況延續(xù)第四季持續(xù)受到缺貨影響，即使第一季度為傳統(tǒng)NAND Flash淡季，渠道顆粒合約價卻仍上揚約20-25%。在智能終端設(shè)備如智能手機與平板電腦內(nèi)的行動式存儲價格也呈現(xiàn)雙漲的狀況下，2017年將是NAND Flash成果豐碩的一年。 　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制，進而轉(zhuǎn)進垂直堆棧制程(3D/Vertical-NAND)
  • 關(guān)鍵字： NAND  SK海力士  
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