美光科技嵌入式產品事業(yè)部市場副總裁Kris Baxter在2018年“慕尼黑上海電子展”期間，介紹了美光及多家行業(yè)分析師對存儲器尤其是嵌入式存儲器市場的預測，重點是DRAM和NAND在汽車和工業(yè)領域的趨勢。
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存儲器 DRAM NAND 汽車 攝像頭 201804
美光科技有限公司今日宣布推出三種全新 64 層第二代 3D NAND 存儲產品，這三種產品均支持高速通用閃存存儲 (UFS) 2.1 標準。全新美光移動 3D NAND 產品提供 256GB、128GB 和 64GB 三種容量選擇?！ ≡撊乱苿咏鉀Q方案基于美光業(yè)界領先的三級單元 (TLC) 3D NAND 技術，
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美光 NAND
打造萬億級產業(yè)集群,推動武漢經濟高質量發(fā)展。春節(jié)闔家團圓之時,仍有大量建設者、生產者堅守崗位,為城市發(fā)展貢獻“加速度”。過年期間,分布在譽為“黃金大道”的8公里左嶺大道上的多個重大產業(yè)項目上,有超過2000多人堅守崗位過大年,光谷“芯片—顯示—智能終端”萬億級產業(yè)集群正在“加速度”中加快鍛造。
在國家存儲器基地,有600多人在建設工地上忙碌。據了解,目前,他們正在進行廠內潔凈室
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存儲器 NAND
全球領先的工業(yè)氣體供應商——空氣產品公司 (Air Products，紐約證券交易所代碼：APD) 今天宣布將為三星電子位于西安市的第二座半導體工廠供應工業(yè)氣體?！ ∥挥谖靼哺咝录夹g開發(fā)區(qū)的芯片廠是三星電子最大的海外投資項目之一，也是中國最先進的半導體工廠之一。其生產的3D V-NAND閃存芯片廣泛應用于嵌入式NAND存儲、固態(tài)硬盤、移動設備和其它消費電子產品。 空氣產品公司西安工廠自2014年起開始服務于這一項目，目前運作兩座大型空氣分離裝置、一座氫氣生產裝
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三星 V-NAND
現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質，就是各類移動終端及手機的主要存儲介質。兩者有何區(qū)別，存儲芯片的實際大小與標稱值又有什么關系呢? 我們總是在說手機內存，那到底是用什么介質存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質。eMMC是近幾年智能手機興起后，為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的，是NAND Flash的升級版,他的結構如下：
我們接觸到的16G、32G等手機，為何實際
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eMMC NAND
旺宏昨日召開財報會表示，2017年在NOR型快閃存儲器的市占率約30%，為全球霸主。另外，小于75納米制程產品占2017年第四季NOR營收60%，旺宏并預計NOR型快閃存儲器2018年成長動力將來自于數據中心、電信與車用產品等。NOR型快閃存儲器占上季旺宏營收48%為最大產品線。
旺宏電子總經理盧志遠表示，預期今年高品質的NOR型快閃存儲器價格仍穩(wěn)定微揚，旺宏不做低階產品，也仍看好SLC NAND市況，因此對今年營運看法樂觀。
就短期來看，盧志遠表示，本季整體需求預估會比去年第四季緩和;雖
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NOR NAND
由于人們對周遭環(huán)境(住宅、建筑、工廠、企業(yè)或基礎設施的內外環(huán)境)的視覺感知需求不斷增長，全球范圍的視頻監(jiān)控市場都在飛速發(fā)展。然而，所部署系統(tǒng)的數量和部署位置更多地受限于視頻攝像頭供應方的經濟狀況，以及用于部署、管理和監(jiān)控這些系統(tǒng)的基礎設施的復雜性。
上一次視頻監(jiān)控行業(yè)的重大突破得益于圖像傳感器和數字化技術的一些重大改進，以及互聯(lián)網協(xié)議(IP) 網絡的廣泛應用。當下，一些強大的新技術趨勢——例如使用諸如美光科技提供的基于 3D
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NAND microSD
大廠3D NAND良率大躍進，供給過剩問題已經提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不會太理想。
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DRAM NAND
美光科技有限公司今日推出 Micron® 5200 系列 SATA 固態(tài)硬盤 (SSD)，該產品可提供業(yè)界領先的性能、一致性、容量、可靠性和整體基礎設施價值。美光 5200 系列固態(tài)硬盤基于美光科技業(yè)界領先的全新 64 層 3D NAND 技術構建，對于OLTP、BI/DSS、VDI、塊/對象和媒體流等在硬盤上無法一展身手的業(yè)務關鍵型虛擬化工作負載，可為其提供經濟實惠的 SATA 平臺。
利用廣受好評的 5100 SATA 固態(tài)硬盤的成熟架構和業(yè)界領先的性能及容量，美光 5200 系列提
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美光科技 NAND
2017年，整體內存產業(yè)不論DRAM或NAND Flash，都度過了一個黃金好年，那么2018年可否持續(xù)榮景呢? 綜合目前業(yè)界的看法，DRAM熱度可望延續(xù)，供不應求態(tài)勢依舊，但NAND部分，恐怕就不會那么樂觀了，由于大廠3D NAND良率大躍進，供給過剩問題已經提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不會太理想， 最快2018年第二季供需平衡，第三季再度供給吃緊，屆時產業(yè)由悲轉喜。
DRAM無新增產能
首先就DRAM部分，以大方向來說，2018年在Fab端并無新增產能，頂多就
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DRAM NAND
Nand Flash 是一個存儲芯片?！ ∧敲矗哼@樣的操作很理“讀地址A的數據，把數據B寫到地址A” 問1：原理圖上的Nand Flash和SC2440之間只有數據線，怎么傳輸地址? 答：在Data0-Data7上既傳輸數據，又傳輸地址，當ALE為高電平時傳輸的是地址 問2：從Nand Flash芯片手冊可知，要操作Nand Flash需要先發(fā)出命令，怎么傳入命令?！ 〈穑涸贒ata0-Data7既傳輸數據，又傳輸地址，也傳輸命令 當ALE為高
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Linux Nand
前言 全球的智能手機用戶一直在不斷尋求更好的移動體驗。他們不僅下載比以往任何時候都更多的應用，而且還使用更為復雜的應用來支持攝影、4K Ultra視頻的播放和錄制、電影流式播放、導航、圖像采集以及虛擬現(xiàn)實(VR)/增強現(xiàn)實(AR)等方面更大的技術進步?！ ≡谀承┑貐^(qū)，智能手機是唯一與外界聯(lián)系的設備，因此用戶對它們的依賴程度非常高，已經習慣于讓手機不間斷地運行并管理他們的日常生活。中國擁有全球最大智能手機用戶群，這些用戶經常使用高級在線支付服務(如Alipay(支付寶)和Tenpay(財付通
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NAND 存儲
美光科技和英特爾今日發(fā)布了雙方 NAND 存儲聯(lián)合開發(fā)計劃的最新動態(tài)。這段成功的合作關系已幫助兩家公司開發(fā)出行業(yè)領先的 NAND 技術并順利推向市場。 此次發(fā)布內容包括兩家公司商定將各自獨立開發(fā)新世代 3D NAND 技術。雙方同意共同完成第三代 3D NAND 技術的開發(fā)，該技術將在 2018 年末交付，并持續(xù)到 2019 年初。在此技術節(jié)點之后，兩家公司將獨
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美光科技 NAND
三星、東芝等存儲器大廠已擬定3D NAND擴產計畫，新產能將在2019年后開出，屆時NAND Flash市場將供過于求。
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存儲器 NAND
Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線性宏單元模式存儲器，為固態(tài)大容量存儲的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-Flash存儲器具有容量大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數據的存儲，因而越來越廣泛地應用在如嵌入式產品、智能手機、云端存儲資料庫等業(yè)界各領域?！ ?nbsp;
圖1 Nand-Flash與eMMC芯片 1.1存儲器件使用壽命 使用了Nand-Flash的主板出現(xiàn)丟數據掉程序現(xiàn)象，是一個讓無數工程師毛骨悚然的
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Nand-Flash eMMC
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