nand-flash 文章 進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區(qū)
中國電子信息產(chǎn)業(yè)規(guī)??焖僭鲩L 加快邁向中高端
- 近年來,全球信息技術(shù)創(chuàng)新進(jìn)入密集發(fā)生期,呈現(xiàn)多方向、寬前沿、集群式等特征,有望引發(fā)產(chǎn)業(yè)格局重大調(diào)整。這有助于我國電子信息產(chǎn)業(yè)打破因核心關(guān)鍵技術(shù)缺失帶來的低端鎖定,加快邁向全球價(jià)值鏈中高端,迎來從跟跑到并跑乃至領(lǐng)跑的歷史契機(jī)。 工業(yè)和信息化部副部長羅文8日在深圳舉行的全國電子信息行業(yè)工作座談會上透露,2017年我國規(guī)模以上電子信息產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模達(dá)18.5萬億元,手機(jī)、計(jì)算機(jī)和彩電產(chǎn)量穩(wěn)居全球第一,在通信設(shè)備、互聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域涌現(xiàn)了一批具有全球競爭力的龍頭企業(yè)。 據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《電子信息制造業(yè)發(fā)展
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2018年內(nèi)存芯片收入有望實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄增長
- 全球半導(dǎo)體行業(yè)在2017年創(chuàng)下了10年以來的最好成績,年收入比2016年增長了22%,達(dá)到4291億美元。 這是根據(jù)英國分析公司IHS Markit的新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)得出的,HIS認(rèn)為市場對內(nèi)存芯片處理能力需求的大幅增加歸因于新興應(yīng)用如大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)和機(jī)器學(xué)習(xí)。 這一需求的增長使得三星電子作為全球領(lǐng)先芯片制造商占據(jù)第一位置,領(lǐng)先于競爭對手英特爾,而英特爾已經(jīng)占據(jù)第一的位置有25年之久。2017年,三星的收入增長了54%。 IHS表示,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器芯片的銷售總額增長了77%,而閃存芯片
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三星中國西安NAND Flash工廠二期項(xiàng)目動(dòng)工
- 在當(dāng)前NandFlash存儲器仍舊供不應(yīng)求,市場價(jià)格依舊居高不下的情況下,日前全球NandFlash存儲器龍頭企業(yè)的韓國三星,日前宣布將在本月底正式動(dòng)工的中國西安NandFlash存儲器廠的擴(kuò)建計(jì)劃,28日正式動(dòng)工,預(yù)計(jì)將在2019年完工啟用。 據(jù)了解,該項(xiàng)總金額高達(dá)70億美元,工程期間達(dá)到3年的擴(kuò)廠計(jì)劃,是三星在2017年的8月間所宣布。目前三星西安廠的第一期產(chǎn)線是在2014年所建置,月產(chǎn)能為12萬片。如今,新的產(chǎn)線動(dòng)工建置,未來完成之后將可再為三星增加每月20萬片的產(chǎn)能。 只是,該新的
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春節(jié)不停工,武漢國家存儲器基地要在今年實(shí)現(xiàn)3D NAND量產(chǎn)?
- 打造萬億級產(chǎn)業(yè)集群,推動(dòng)武漢經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展。春節(jié)闔家團(tuán)圓之時(shí),仍有大量建設(shè)者、生產(chǎn)者堅(jiān)守崗位,為城市發(fā)展貢獻(xiàn)“加速度”。過年期間,分布在譽(yù)為“黃金大道”的8公里左嶺大道上的多個(gè)重大產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目上,有超過2000多人堅(jiān)守崗位過大年,光谷“芯片—顯示—智能終端”萬億級產(chǎn)業(yè)集群正在“加速度”中加快鍛造。 在國家存儲器基地,有600多人在建設(shè)工地上忙碌。據(jù)了解,目前,他們正在進(jìn)行廠內(nèi)潔凈室
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空氣產(chǎn)品公司將為三星電子西安第二座3D V-NAND芯片廠供氣
- 全球領(lǐng)先的工業(yè)氣體供應(yīng)商——空氣產(chǎn)品公司 (Air Products,紐約證券交易所代碼:APD) 今天宣布將為三星電子位于西安市的第二座半導(dǎo)體工廠供應(yīng)工業(yè)氣體?! ∥挥谖靼哺咝录夹g(shù)開發(fā)區(qū)的芯片廠是三星電子最大的海外投資項(xiàng)目之一,也是中國最先進(jìn)的半導(dǎo)體工廠之一。其生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片廣泛應(yīng)用于嵌入式NAND存儲、固態(tài)硬盤、移動(dòng)設(shè)備和其它消費(fèi)電子產(chǎn)品?! 】諝猱a(chǎn)品公司西安工廠自2014年起開始服務(wù)于這一項(xiàng)目,目前運(yùn)作兩座大型空氣分離裝置、一座氫氣生產(chǎn)裝
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買個(gè)32G內(nèi)存的手機(jī)為啥只有20幾個(gè)G?看完你就懂了
- 現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質(zhì),就是各類移動(dòng)終端及手機(jī)的主要存儲介質(zhì)。兩者有何區(qū)別,存儲芯片的實(shí)際大小與標(biāo)稱值又有什么關(guān)系呢? 我們總是在說手機(jī)內(nèi)存,那到底是用什么介質(zhì)存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機(jī)興起后,為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的,是NAND Flash的升級版,他的結(jié)構(gòu)如下: 我們接觸到的16G、32G等手機(jī),為何實(shí)際
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旺宏2017NOR市占達(dá)30%,稱霸全球
- 旺宏昨日召開財(cái)報(bào)會表示,2017年在NOR型快閃存儲器的市占率約30%,為全球霸主。另外,小于75納米制程產(chǎn)品占2017年第四季NOR營收60%,旺宏并預(yù)計(jì)NOR型快閃存儲器2018年成長動(dòng)力將來自于數(shù)據(jù)中心、電信與車用產(chǎn)品等。NOR型快閃存儲器占上季旺宏?duì)I收48%為最大產(chǎn)品線。 旺宏電子總經(jīng)理盧志遠(yuǎn)表示,預(yù)期今年高品質(zhì)的NOR型快閃存儲器價(jià)格仍穩(wěn)定微揚(yáng),旺宏不做低階產(chǎn)品,也仍看好SLC NAND市況,因此對今年?duì)I運(yùn)看法樂觀。 就短期來看,盧志遠(yuǎn)表示,本季整體需求預(yù)估會比去年第四季緩和;雖
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3D NAND-microSD 卡為視頻監(jiān)控帶來重大突破
- 由于人們對周遭環(huán)境(住宅、建筑、工廠、企業(yè)或基礎(chǔ)設(shè)施的內(nèi)外環(huán)境)的視覺感知需求不斷增長,全球范圍的視頻監(jiān)控市場都在飛速發(fā)展。然而,所部署系統(tǒng)的數(shù)量和部署位置更多地受限于視頻攝像頭供應(yīng)方的經(jīng)濟(jì)狀況,以及用于部署、管理和監(jiān)控這些系統(tǒng)的基礎(chǔ)設(shè)施的復(fù)雜性?! ?nbsp; 上一次視頻監(jiān)控行業(yè)的重大突破得益于圖像傳感器和數(shù)字化技術(shù)的一些重大改進(jìn),以及互聯(lián)網(wǎng)協(xié)議(IP) 網(wǎng)絡(luò)的廣泛應(yīng)用。當(dāng)下,一些強(qiáng)大的新技術(shù)趨勢——例如使用諸如美光科技提供的基于 3D
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美光科技推出業(yè)界首款基于領(lǐng)先的64層3D NAND技術(shù)構(gòu)建的企業(yè)級SATA固態(tài)硬盤
- 美光科技有限公司今日推出 Micron® 5200 系列 SATA 固態(tài)硬盤 (SSD),該產(chǎn)品可提供業(yè)界領(lǐng)先的性能、一致性、容量、可靠性和整體基礎(chǔ)設(shè)施價(jià)值。美光 5200 系列固態(tài)硬盤基于美光科技業(yè)界領(lǐng)先的全新 64 層 3D NAND 技術(shù)構(gòu)建,對于OLTP、BI/DSS、VDI、塊/對象和媒體流等在硬盤上無法一展身手的業(yè)務(wù)關(guān)鍵型虛擬化工作負(fù)載,可為其提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的 SATA 平臺。 利用廣受好評的 5100 SATA 固態(tài)硬盤的成熟架構(gòu)和業(yè)界領(lǐng)先的性能及容量,美光 5200 系列提
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2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)DRAM/NAND Flash恐是兩樣情
- 2017年,整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)不論DRAM或NAND Flash,都度過了一個(gè)黃金好年,那么2018年可否持續(xù)榮景呢? 綜合目前業(yè)界的看法,DRAM熱度可望延續(xù),供不應(yīng)求態(tài)勢依舊,但NAND部分,恐怕就不會那么樂觀了,由于大廠3D NAND良率大躍進(jìn),供給過剩問題已經(jīng)提前在2017年第四季引爆,至少2018年上半年恐怕都不會太理想, 最快2018年第二季供需平衡,第三季再度供給吃緊,屆時(shí)產(chǎn)業(yè)由悲轉(zhuǎn)喜。 DRAM無新增產(chǎn)能 首先就DRAM部分,以大方向來說,2018年在Fab端并無新增產(chǎn)能,頂多就
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Linux驅(qū)動(dòng)之Nand Flash四問,原理、工作方式都包含了
- Nand Flash 是一個(gè)存儲芯片?! ∧敲矗哼@樣的操作很理“讀地址A的數(shù)據(jù),把數(shù)據(jù)B寫到地址A” 問1:原理圖上的Nand Flash和SC2440之間只有數(shù)據(jù)線,怎么傳輸?shù)刂? 答:在Data0-Data7上既傳輸數(shù)據(jù),又傳輸?shù)刂?,?dāng)ALE為高電平時(shí)傳輸?shù)氖堑刂贰 ?:從Nand Flash芯片手冊可知,要操作Nand Flash需要先發(fā)出命令,怎么傳入命令?! 〈穑涸贒ata0-Data7既傳輸數(shù)據(jù),又傳輸?shù)刂罚矀鬏斆睢 ‘?dāng)ALE為高
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nand-flash介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對nand-flash的理解,并與今后在此搜索nand-flash的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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