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三星計劃到2030年推出1000層3D NAND新材料

據(jù)外媒報道，三星電子正在積極探索“鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）”作為下一代NAND閃存材料，希望這種新材料可以堆疊1000層以上的3D NAND，并實現(xiàn)pb級ssd。如果上述材料研發(fā)順利，將能夠在特定條件下表現(xiàn)出鐵電性，有望取代目前在3D NAND堆疊技術(shù)中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用與穩(wěn)定度。據(jù)三星電子高管預(yù)測，到2030年左右，其3D NAND的堆疊層數(shù)將超過1000層。三星高管Giwook Kim將于今年6月發(fā)表技術(shù)演講，分析鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroel
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三星1000層NAND目標，靠它實現(xiàn)

三星電子計劃實現(xiàn)“PB級”存儲器目標。三星高層曾預(yù)期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實現(xiàn)目標，且可能是關(guān)鍵。目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據(jù)業(yè)內(nèi)消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，堆疊層數(shù)將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實現(xiàn)超過1000 TB的存儲容量里程碑，為大數(shù)據(jù)、云計算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強大的存儲支持。最新消息是，KAIST的研究
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三星1000層NAND目標，靠它實現(xiàn)？

三星電子計劃實現(xiàn)“PB級”存儲器目標。三星高層曾預(yù)期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實現(xiàn)目標，且可能是關(guān)鍵。目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據(jù)業(yè)內(nèi)消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，堆疊層數(shù)將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實現(xiàn)超過1000 TB的存儲容量里程碑，為大數(shù)據(jù)、云計算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強大的存儲支持。最新消息是，KAIST的
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SK海力士開發(fā)新一代移動端NAND閃存解決方案“ZUFS 4.0”

· 作為業(yè)界最高性能產(chǎn)品，將于今年第3季度開始量產(chǎn)并搭載于端側(cè)AI手機· 與前一代產(chǎn)品相比，長期使用所導致的性能下降方面實現(xiàn)大幅改善，其使用壽命也提升40%· “繼HBM后，也在NAND閃存解決方案領(lǐng)域引領(lǐng)面向AI的存儲器市場”2024年5月9日，SK海力士宣布，公司開發(fā)出用于端側(cè)（On-Device）AI*的移動端NAND閃存解決方案產(chǎn)品“ZUFS**（Zoned UFS）4.0”。SK海力士表示：“ZUFS 4.0為新一代移動端NAND閃存解決方案產(chǎn)品，其產(chǎn)品實現(xiàn)業(yè)界最高
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SK海力士試圖用低溫蝕刻技術(shù)生產(chǎn)400多層的3D NAND

在-70°C 下工作的蝕刻工具有獨特的性能。
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第二季DRAM合約價漲幅上修至13~18%；NAND Flash約15~20%

據(jù)TrendForce集邦咨詢最新預(yù)估，第二季DRAM合約價季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價季漲幅同步上修至約15~20%，全線產(chǎn)品僅eMMC/UFS價格漲幅較小，約10%。403地震發(fā)生前，TrendForce集邦咨詢原先預(yù)估，第二季DRAM合約價季漲幅約3~8%；NAND Flash為13~18%，相較第一季漲幅明顯收斂，當時從合約價先行指標的現(xiàn)貨價格就可看出，現(xiàn)貨價已出現(xiàn)連續(xù)走弱，上漲動能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要是除了AI以外的終端需求不振，尤其筆電、智能手機
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累計上漲100%還不停！消息稱SK海力士將對內(nèi)存等漲價至少上調(diào)20%

5月6日消息，供應(yīng)鏈爆料稱，SK海力士將對旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產(chǎn)品提價，漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說法，海力士DRAM產(chǎn)品價格從去年第四季度開始逐月上調(diào)，目前已累計上漲約60%-100%不等，下半年漲幅將趨緩?？恐鎯q價，三星電子2024年第一季營業(yè)利潤達到了6.606萬億韓元。財報顯示，三星電子一季度存儲業(yè)務(wù)營收17.49萬億韓元，環(huán)比增長11%，同比暴漲96%，在整體的半導體業(yè)務(wù)營收當中的占比高達75.58%。三星表示，一季度存儲市場總體需求強勁，特別是生
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美光率先量產(chǎn)面向客戶端和數(shù)據(jù)中心的200+層QLC NAND產(chǎn)品

Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，美光232層QLC NAND現(xiàn)已量產(chǎn)，并在部分?Crucial?英睿達固態(tài)硬盤（SSD）中出貨。與此同時，美光?2500 NVMeTM?SSD?也已面向企業(yè)級存儲客戶量產(chǎn)，并向?PC OEM?廠商出樣。這些進展彰顯了美光在?NAND?技術(shù)領(lǐng)域的長期領(lǐng)導地位。美光?232?層?QLC NAND?可為移動
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群聯(lián)3月營收年增73%，創(chuàng)歷史單月新高紀錄

近日，存儲廠商群聯(lián)公布了2024年3月份營運結(jié)果，合并營收為新臺幣67.75億元，年成長達73%，刷新歷史單月營收新高紀錄。全年度營收累計至3月份達新臺幣165.26億元，年成長達64%，為歷史同期次高。群聯(lián)表示，2024年3月份SSD控制芯片總累計總出貨量年成長達96%，其中PCIe SSD控制芯片總出貨量年增率達176%，刷新歷史單月新高。此外，全年度累計至3月份之整體NAND閃存位元數(shù)總出貨量的年成長率（Bit Growth Rate）也達80%，刷新歷史同期新高，顯示整體市場需求持續(xù)緩步回升趨勢不
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3D NAND，1000層競爭加速

據(jù)國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學的應(yīng)用物理學會春季會議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產(chǎn)超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應(yīng)用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設(shè)計出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
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3D NAND，1000層競爭加速！

據(jù)國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學的應(yīng)用物理學會春季會議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產(chǎn)超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應(yīng)用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設(shè)計出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
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第二季NAND Flash合約價季漲13~18%，Enterprise SSD漲幅最高

TrendForce集邦咨詢表示，除了鎧俠（Kioxia）和西部數(shù)據(jù)（WDC）自今年第一季起提升產(chǎn)能利用率外，其它供應(yīng)商大致維持低投產(chǎn)策略。盡管第二季NAND Flash采購量較第一季小幅下滑，但整體市場氛圍持續(xù)受供應(yīng)商庫存降低，以及減產(chǎn)效應(yīng)影響，預(yù)估第二季NAND Flash合約價將強勢上漲約13~18%。eMMC方面，中國智能手機品牌為此波eMMC最大需求來源，由于部分供應(yīng)商已降低供應(yīng)此類別產(chǎn)品，中國模組廠出貨大幅提升。買方為了滿足生產(chǎn)需求開始擴大采用模組廠方案，助益中國模組廠技術(shù)進一步升級及
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西部數(shù)據(jù)NAND Flash業(yè)務(wù)拆分最新進展，新任CEO揭曉

月5日，西部數(shù)據(jù)宣布，在NAND Flash業(yè)務(wù)拆分后，將保留原名，專注經(jīng)營核心HDD業(yè)務(wù)，并表示這一分拆過程有望在2024年下半年完成。與此同時，將為即將分拆的閃存和傳統(tǒng)硬盤業(yè)務(wù)任命CEO。西部數(shù)據(jù)稱，現(xiàn)任西部數(shù)據(jù)全球運營執(zhí)行副總裁 Irving Tan 將出任剩下的獨立 HDD公司的CEO，繼續(xù)以西部數(shù)據(jù)的身份運營?，F(xiàn)任CEO David Goeckeler則受命轉(zhuǎn)往NAND Flash部門成立的新公司，出任新公司執(zhí)行長。圖片來源：西部數(shù)據(jù)西部數(shù)據(jù)與鎧俠合并進展如何？據(jù)悉，自2021年以來，西部數(shù)據(jù)及
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2023Q4 NAND 閃存行業(yè)產(chǎn)值環(huán)比增長 24.5%：三星增長 44.8% 居首位

IT之家 3 月 6 日消息，集邦咨詢近日發(fā)布市場研究報告，表示 2023 年第 4 季度 NAND 閃存產(chǎn)值 114.9 億美元，環(huán)比增長 24.5%，2024 年第 1 季度 NAND 產(chǎn)值將繼續(xù)保持上漲，預(yù)估環(huán)比會繼續(xù)增長兩成。三星第四季營收以三星（Samsung）增長幅度最高，主要是服務(wù)器、筆記本電腦與智能手機需求均大幅增長。三星該季度出貨量環(huán)比增加 35%，平均銷售價格環(huán)比增加 12%，帶動營收上升至 42 億美元，環(huán)比增加 44.8%。SK 集團SK 集團（SK Group）受惠于價
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1年利潤暴跌84.9%！三星樂觀今年業(yè)績回暖：存儲漲價是開始

2月1日消息，存儲一哥三星2023年的日子不太好過，全年利潤暴跌84.9%，確實沒辦法，不過他們保持樂觀態(tài)度。2023年IT市場整體低迷，尤其是存儲芯片價格暴跌的背景下，三星全年營收為258.94萬億韓元，同比減少14.3%；營業(yè)利潤為6.57萬億韓元，同比下滑84.9%。按照三星的說法，2024年上半年業(yè)績會回暖，其中以存儲產(chǎn)品價格回暖最為明顯，相關(guān)SSD等產(chǎn)品漲價不會停止，只會更猛烈。NAND芯片價格止跌回升后，目前報價仍與三星、鎧俠、SK海力士、美光等供應(yīng)商達到損益兩平點有一段差距。國內(nèi)重量級NAN
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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]