nand 文章進入nand技術(shù)社區(qū)

NAND在2012年第四季度表現(xiàn)強勁

　　據(jù)IHS iSuppli公司的數(shù)據(jù)閃存市場追蹤報告，低端平板電腦市場相對強健，幫助NAND閃存產(chǎn)業(yè)在2012年第四季度取得良好表現(xiàn)，提升了全年營業(yè)收入水平，并縮減了2012年虧損程度。　　2012年第四季度NAND營業(yè)收入為58億美元，比第三季度的48億美元增長17%，這是當(dāng)年表現(xiàn)最好的一個季度，如圖3所示。在最后一個季度的強力推動下，2012年全年NAND營業(yè)收入達到200億美元，比2011年只下降4.6%，降幅小于最初擔(dān)憂的水平。　　圖3：2012年各季度全球NAND閃存營業(yè)收入預(yù)估(以百
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日系半導(dǎo)體公司一季度恢復(fù)盈利

　　根據(jù)Digitimes的研究報告顯示，日本前三大半導(dǎo)體公司，東芝，瑞薩電子和索尼，盡管2012財年(從2012年4月至2013年3月)收入按年繼續(xù)降低，但利潤已經(jīng)提高。　　其中，東芝今年第一季度NAND閃存營業(yè)收入達到了1730億日元(17.1億美元)，達到2010年第一季度以來的最高水平。NAND閃存營業(yè)收入上升是由于出貨量增加和價格穩(wěn)定。東芝已經(jīng)看到半導(dǎo)體營業(yè)收入和營業(yè)利潤連續(xù)三個季度增長。　　瑞薩電子今年第一季度營業(yè)收入，環(huán)比下降1.9%，達到1739億日元。然而，在連續(xù)七個季度的經(jīng)營虧
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DRAM看漲類股營運走俏

　　由于韓國三星半導(dǎo)體將七成存儲器供自家手機、平板及電視使用下，加上大陸白牌平板計算機、智能手機備貨潮重新啟動，存儲器近期報價緩步上揚，DDR32Gb均價每顆站上1.74美元，站上二年多來新高，相關(guān)DRAM族群營運看俏。　　 ? 　　此外，NANDFlash應(yīng)用大廠群聯(lián)預(yù)期，今年7、8月，NANDFlash芯片將陷入缺貨窘境，擁有強力貨源為后盾的廠商將受惠。　　市場得知，三星將把七成行動存儲器產(chǎn)能保留給自家產(chǎn)品后，市場備貨潮5月中旬再度啟動，讓標準型DRAM現(xiàn)貨報價再度揚升，站上
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NAND閃存深入解析

對于許多消費類音視頻產(chǎn)品而言，NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲方案，這在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn) ...
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DRAM漲價或提氣

DRAM曾是半導(dǎo)體業(yè)的王牌產(chǎn)品，在上世紀90年代的半導(dǎo)體市場上曾約占到3～4成的樣子，同時，它的加工技術(shù)、設(shè)備技術(shù)和生產(chǎn)線技術(shù)也常常主導(dǎo)著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)開發(fā)。Intel公司40年前研發(fā)出的DRAM，后成為PC的核心器件之一而獲得傲人的成長。
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英特爾任命卡扎尼奇為新CEO 接替歐德寧

　　英特爾公司今天宣布，該公司董事會已經(jīng)一致選舉布萊恩·卡扎尼奇(Brian Krzanich)為下一任首席執(zhí)行官，以此替代歐德寧(Paul Otellini)。據(jù)稱，卡扎尼奇將于5月16日的英特爾公司年度股東大會召開之際開始履職。　　 ? 　　卡扎尼奇自2012年1月以來一直擔(dān)任英特爾首席運營官，此次也將成為英特爾公司史上的第六任首席執(zhí)行官。與此同時，歐德寧也將在5月16日卸任英特爾首席執(zhí)行官。　　卡扎尼奇現(xiàn)年52歲，自在1982年加盟英特爾以來，就一直擔(dān)任該公司
關(guān)鍵字：英特爾 NAND

64GB NAND閃存芯片需求保持強勁

　　根據(jù)行業(yè)觀察家表示，受智能手機和平板電腦強勁需求推動，64GB NAND閃存市場一直在增長，高密度芯片價格高居不下，反映當(dāng)前供不應(yīng)求市場狀況。　　智能手機和平板電腦市場對NAND芯片需求旺盛，也對現(xiàn)貨市場上的芯片供應(yīng)帶來了負面的影響，即NAND閃存芯片廠商優(yōu)先供應(yīng)系統(tǒng)制造商表示，許多下游模塊廠和渠道分銷商已經(jīng)無力獲得穩(wěn)定的供貨。　　供應(yīng)緊張狀況，鼓勵芯片企業(yè)優(yōu)先考慮高利潤的訂單，比如為智能手機提供容量高達64GB的NAND閃存芯片，并且獲利高于功能手機和其他消費電子產(chǎn)品。　　有消息表示，目
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產(chǎn)業(yè)大腕云集深圳，共話閃存與移動技術(shù)的世紀交鋒

2013年，隨著智能機平板市場繼續(xù)走熱，以NAND Flash為核心的各類存儲器件缺貨嚴重，存儲器件的供應(yīng)在2013年將一直呈現(xiàn)缺貨勢態(tài)嗎?2013年智能機平板電腦超極本平臺廠商發(fā)力重點在哪里?如何實現(xiàn)差異創(chuàng)新?透過第二屆NAND Flash應(yīng)用高峰論壇，本土存儲器件領(lǐng)軍企業(yè)BIWIN匯聚產(chǎn)業(yè)鏈上下游力量，共同應(yīng)對存儲挑戰(zhàn)，推進智能機平板創(chuàng)新。
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第四季度NAND營業(yè)收入創(chuàng)最高記錄

意外!NAND閃存去年第四季度營業(yè)收入達到最高紀錄，扭轉(zhuǎn)連續(xù)下滑局面
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IHS：2012年Q4全球NAND營收大幅成長17%

　　根據(jù)市場研究公司IHS iSuppli 的調(diào)查報告，全球 NAND 快閃記憶體市場在2012年第四季展現(xiàn)創(chuàng)新記錄的營收成長──大幅上揚17%，達到了56.34億美元的營收，結(jié)束先前連續(xù)五年第四季營收平均下滑6%的記錄。　　2012年全年 NAND 快閃記憶體銷售額達到了202.11億美元。其中，三星與東芝仍是 NAND快記憶體的最大供應(yīng)商，兩家公司總共就占掉 NAND 市場三分之二的市占率。此外，美光、海力士與英特爾也是其他幾家主要的 NAND 快閃記憶體供應(yīng)商。　　三星在2012年第四季的
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NAND閃存去年第四季度意外增長

　　據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場簡報，2012年第四季度NAND閃存產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入創(chuàng)出最高紀錄，結(jié)束了之前連續(xù)五個第四季度的下滑局面。　　2012年第四季度NAND產(chǎn)業(yè)的營業(yè)收入為56億美元，比第三季度的48億美元勁增17%。從兩個方面來看，這種環(huán)比增長具有重要意義：一是結(jié)束了最近第四季度營業(yè)收入均呈現(xiàn)下滑的趨勢，二是創(chuàng)出了產(chǎn)業(yè)歷史上的最高營業(yè)收入記錄。　　三星電子占總體營業(yè)收入的三分之一以上，名列前茅。NAND閃存產(chǎn)業(yè)由少數(shù)幾家廠商嚴密控制。2012年NAND閃存營業(yè)收入為202億美元，
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2013半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將實現(xiàn)溫和增長

　　2012年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入為3030.0億美元，相比2011年的3102.1億美元有所降低。預(yù)計2013年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入增長6.4%，達到3223.0億美元。在經(jīng)歷了極其艱難的2012年之后，預(yù)計今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將溫和增長，智能終端、電視與計算等關(guān)鍵消費電子產(chǎn)品成為推動芯片營業(yè)收入與需求增長的主要動力。　　智能終端　　2012年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入的下降，緣于消費者在電子產(chǎn)品上面的支出不振，尤其是電腦采購將近占到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入與硅片需求的60%，但是2012年電腦產(chǎn)品的采購量低迷。令
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半導(dǎo)體領(lǐng)域"前淡后旺"

　　全球半導(dǎo)體領(lǐng)域在的宏觀經(jīng)濟條件不佳下渡過了艱辛的2012年，近期在美國經(jīng)濟成長逐漸獲得改善之際，領(lǐng)域在末季看似有了復(fù)蘇跡象。雖然12月份全球半導(dǎo)體銷售量成功創(chuàng)下久違的連續(xù)兩個月增長，但依然不足以抵銷市場分析員對國內(nèi)半導(dǎo)體領(lǐng)域的消極看法。　　考慮到在全球經(jīng)濟不明朗，對電子產(chǎn)品需求量帶來打擊下，市場分析員依然謹慎看待我國今年的半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別是受大選情緒影響的上半年，而最低薪金制度也相信將進一步箝制國內(nèi)業(yè)者的業(yè)績表現(xiàn)。無論如何，在預(yù)計下半年經(jīng)濟大環(huán)境獲得改善的情況下，國內(nèi)半導(dǎo)體業(yè)者或?qū)㈦S著趨勢上演反
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鎂光發(fā)布尺寸小25%的128Gb NAND閃存

　　閃存密度越來越高帶來的是更大容量的設(shè)備，但是如果要做到更小尺寸怒，那非得減少閃存芯片的面積不可。鎂光今天宣布推出全球最小的128Gb NAND閃存芯片，采用20納米制程，TLC閃存技術(shù)，裸片面積只有146平方毫米，比目前的MLC芯片尺寸小25%。　　TLC閃存每單元存儲3bit數(shù)據(jù)，它更高的密度的代價是相對較低的寫入速度和較差的耐久力，目前只有三星840系列固態(tài)硬盤使用這種技術(shù)。　　不過鎂光也并沒有將其用在SSD上的打算，128Gb的NAND目前只會用于可移動存儲市場，例如SD和USB閃存驅(qū)動
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分析：iPhone助推2012年閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展

　　根據(jù)信息與數(shù)據(jù)分析公司IHS iSuppli發(fā)布的最新數(shù)據(jù)報告，雖然蘋果公司對閃存(NAND)需求旺盛，但由于超級本銷售仍然低迷，使得全球閃速存儲器市場收益下降了7個百分。去年，閃存(NAND)產(chǎn)業(yè)收益由2011年的212億美元下跌至2012年的197億美元。不過，經(jīng)過去年的低迷期，今年收益將有所增長，達到224億美元，并在接下來的幾年內(nèi)持續(xù)增長。　　具體可參見下表。　　 ? 　　“閃存具備高密度內(nèi)存，大容量傳輸?shù)男阅?。?012年，蘋果iPhone是NAND的
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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]