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Marvell擴大固態(tài)硬盤控制器在全球領(lǐng)先OEM中的市場份額

全球整合式芯片解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商美滿電子科技(Marvell，納斯達克代碼：MRVL)日前宣布，其完備的整合式芯片與軟件定義解決方案組合將繼續(xù)加速實現(xiàn)全球消費者和企業(yè)的“美滿互聯(lián)生活(Connected Lifestyle)”。當(dāng)前，Marvell擁有豐富的端到端存儲、網(wǎng)絡(luò)、計算、移動和聯(lián)網(wǎng)解決方案，在行業(yè)中占據(jù)著獨一無二的領(lǐng)導(dǎo)地位。
關(guān)鍵字： Marvell 固態(tài)硬盤 NAND

可管理NAND：適用于移動設(shè)備的嵌入式大容量存儲

與多年前相比，現(xiàn)在的移動消費電子裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功能豐富，能夠存儲大量音樂、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是，存儲...
關(guān)鍵字： NAND 移動設(shè)備大容量存儲

10月快閃存儲器NAND供過于求合約價看漲

　　市調(diào)機構(gòu)集邦科技預(yù)期，第4季儲存型快閃存儲器(NANDFlash)供過于求情況可望趨緩，10月合約價看漲。　　集邦科技表示，海力士(Hynix)中國大陸無錫廠發(fā)生火災(zāi)意外，不僅帶動動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)價格飆漲，同時激勵9月NANDFlash合約價上漲3%至6%。　　集邦科技指出，盡管NANDFlash市場銷售并無好轉(zhuǎn)跡象，不過，海力士無錫廠復(fù)工情況依然混沌不明，NANDFlash供給將連帶受到影響，預(yù)期第4季NANDFlash市場供過于求情況可望趨緩。　　集邦預(yù)期，近期1至2個月
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用DNW通過USB燒uboot到nand

燒寫前提：已經(jīng)把FS2410開發(fā)板的S3C2410_BIOS.bin通過JTAG燒到了NOR里面了，這樣我們從NOR啟動才可以使用US...
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采取多元化戰(zhàn)略，加強在華合作

編者按：8月初，Spansion宣布兩項重大舉措：一，完成對富士通微控制器(MCU)和模擬業(yè)務(wù)的收購;二，簽署與XMC(武漢新芯集成電路制造公司)的技術(shù)許可協(xié)議?？梢姡琒pansion由最大的獨立閃存公司變身為多元產(chǎn)品公司，并且加深與中國代工廠的合作。是什么促使Spansion做此決定?Spansion對華戰(zhàn)略如何?
關(guān)鍵字：富士通 Spansion MCU NAND 201309

三星宣布量產(chǎn)全球首個3D垂直閃存V-NAND

　　三星電子在存儲技術(shù)上的領(lǐng)先的確無可匹敵，今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個采用3D垂直設(shè)計的NAND閃存“V-NAND”。這年頭，3D堆疊已經(jīng)成了潮流，處理器、內(nèi)存什么的都要堆起來。　　三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB)，內(nèi)部采用三星獨有的垂直單元結(jié)構(gòu)，通過3D CTF電荷捕型獲閃存技術(shù)、垂直互連工藝技術(shù)來連接3D單元陣列。　　三星稱，這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上，可靠性提升最少2倍、最多10倍，而且寫入性能也可達到1xnm N
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半導(dǎo)體廠擴產(chǎn) 力成進補

　　不讓韓國三星專美于前，日本半導(dǎo)體大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布，將共同斥資4,000億日圓(約新臺幣1,221.2億元)，于日本三重縣四日市興建儲存型快閃存儲器(NAND Flash)新廠，導(dǎo)入最新16至17納米制程，使總產(chǎn)能提升20%，明年4月量產(chǎn)，為在臺后段封測廠力成(6239)營運挹注成長動能。　　這是三星在上月宣布調(diào)高今年半導(dǎo)體資本支出后，東芝近兩年來首度做出增產(chǎn)決定，因為蘋果中低價手機和大陸手機的強勁需求。　　研究機構(gòu)統(tǒng)計，去年全球NAND Flash出貨量，三星居全球
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NAND閃存第一季度意外出現(xiàn)短缺

據(jù)IHS公司的移動與嵌入存儲市場追蹤報告，今年第一季度中國低端智能手機的需求大增，讓內(nèi)存供應(yīng)商措手不及，刺激了NAND閃存市場的增長并導(dǎo)致其出現(xiàn)供應(yīng)短缺。
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第一季度SSD出貨勁增，尤其是在超級本與PC平板領(lǐng)域

據(jù)IHS公司的存儲市場追蹤報告，超薄/超級本PC以及PC平板的使用大增，在第一季度極大地推動了固態(tài)硬盤(SSD)的發(fā)展。SSD在這些領(lǐng)域的出貨量同比激增兩倍。
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芯片制造設(shè)備行業(yè)2014年前景看好

　　據(jù)國外媒體報道，芯片廠商尚未打破增長-衰退交替出現(xiàn)的規(guī)律。周一從芯片行業(yè)展會SemiconWest上透露出的一個關(guān)鍵信息是，盡管對芯片產(chǎn)業(yè)2013年增長的預(yù)期落空，但明年的前景要光明得多。　　SEMI(半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會)預(yù)計，2013年芯片制造設(shè)備營收將下降約2%。SEMI高管丹尼爾·特拉西(DanielTracy)預(yù)測，2014年芯片制造設(shè)備營收將猛增21%。　　當(dāng)然，SEMI以往曾對芯片制造設(shè)備營收作出過高的預(yù)期。1年前，SEMI曾預(yù)計2013年芯片制造設(shè)備營收將增長約1
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2013年：芯片制造業(yè)陷入低谷明年會變好

　　根據(jù)國外媒體的報道，2013年全球的芯片制造業(yè)將出現(xiàn)衰退，預(yù)計芯片制造設(shè)備的全年營收下降2%，而此前SEMI曾經(jīng)預(yù)計2013年芯片制造設(shè)備營收會增長10%。　　這次衰退預(yù)計同樣出自SEMI，這表明此前他們對2013年的樂觀預(yù)計已經(jīng)落空。實際上從2012年下半年開始，以NAND閃存為首的芯片廠商對芯片制造設(shè)備的訂單就已經(jīng)開始萎縮。目前只有Intel、三星、臺積電三家狀況比較穩(wěn)定，主要是因為消費類電子產(chǎn)品對芯片需求量大，三家企業(yè)處于難以撼動的統(tǒng)治地位。　　不過SEMI依然對2014年的發(fā)展
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中國廠商成全球芯片行業(yè)增長新引擎

　　導(dǎo)語：路透社今天撰文指出，近年來高端手機市場的需求趨于飽和，曾經(jīng)推動芯片行業(yè)發(fā)展的兩大科技巨頭——三星和蘋果公司的增長也開始放緩，但隨著華為、聯(lián)想等中國移動廠商的強勢崛起，以及中國移動市場的火爆，中國力量正成為全球芯片行業(yè)增長的新引擎。　　以下為文章全文：　　重新掌握主動　　隨著中國低端智能手機和平板電腦的需求激增，以及華為等中國移動設(shè)備廠商的強勢崛起，東芝、SKHynix等亞洲存儲芯片廠商有望從這種趨勢中獲得重要回報。中國目前已取代美國，成為全球第一大智能手機市場
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內(nèi)存芯片商揚眉吐氣靠中國企業(yè)賺錢了

　　7月5日消息，由于中國廉價平板、智能手機需求增長，由于中國移動設(shè)備商的出現(xiàn)，東芝、海力士等內(nèi)存商終于擺脫了倒霉運，開始收獲金錢了。　　在高端產(chǎn)品領(lǐng)域，盡管市場增速沒過去那么快了，但是，這些設(shè)備渴望裝上更大的內(nèi)存，也會刺激內(nèi)存銷售的增長。　　兩種趨勢之下，加上2011年以來內(nèi)存商縮減投資，DRAM(動態(tài)隨機訪問存儲器)和NAND內(nèi)存芯片價格已經(jīng)開始回升，在廠商面前，內(nèi)存制造商抬起頭來，它們有了更高的議價能力。　　I’M投資證券公司分析師Hong Sung-ho指出：“
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NAND需求旺盛模塊廠Q3將迎來火爆場面

　　存儲器大廠美光(Micron)昨(20)日召開法說會，執(zhí)行長MarkDurcan看好下半年NANDFlash旺季，并指出未來12個月，NAND市場產(chǎn)能供給增加的幅度有限，但需求十分強勁，幾乎可用貪婪的需求(insatiabledemand)來形容，因此對下半年NAND市場抱持樂觀正面看法。　　根據(jù)集邦科技旗下DRAMeXchange調(diào)查，由于全球4大供應(yīng)商近一年來沒有擴產(chǎn)動作，加上制程微縮難度太高導(dǎo)致速度放緩，第3季NANDFlash位元成長率恐低于10%，但因行動裝置及固態(tài)硬盤(SSD)市場進入
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NAND閃存閃現(xiàn)光芒，今年營業(yè)收入有望大增

據(jù)IHS公司的閃存市場動態(tài)簡報，由于在手機、游戲控制臺和混合存儲驅(qū)動器等產(chǎn)品中的使用擴大，NAND閃存市場今年有望實現(xiàn)兩位數(shù)的增長。
關(guān)鍵字： IHS NAND

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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]