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Vishay的MOSFET榮獲Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎(jiǎng)

  • 2011 年 10 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET 功率MOSFET被《今日電子》雜志評(píng)為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎(jiǎng)的獲獎(jiǎng)產(chǎn)品。
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只用兩只MOSFET的雙線圈繼電器驅(qū)動(dòng)器

  • 閉鎖繼電器在給線圈一個(gè)短電壓脈沖時(shí)，會(huì)改變自己的狀態(tài)。由于這些繼電器不需要連續(xù)的線圈電流來(lái)保持狀態(tài)...
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基于TLE6210和L9349設(shè)計(jì)的ABS驅(qū)動(dòng)電路

  • ABS作為如今汽車(chē)上必備的安全電子設(shè)備，其功能越來(lái)越受到人們的重視。ABS系統(tǒng)通過(guò)電磁閥和回油泵來(lái)完成對(duì)...
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兩種常見(jiàn)的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

  • 由分立器件組成的驅(qū)動(dòng)電路((如圖所示)，驅(qū)動(dòng)電路工作原理如下：　　A.當(dāng)HS為高電平時(shí)，Q7、Q4導(dǎo)通，Q6關(guān)閉，電容C4上的電壓(約14V)經(jīng)過(guò)Q4、D3、R6加到Q5的柵極，使Q5導(dǎo)通。在導(dǎo)通期間，Q5的源極電壓(Phase)接近電源電
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安森美半導(dǎo)體持續(xù)擴(kuò)充下一代計(jì)算產(chǎn)品平臺(tái)方案

  • Sept. 21, 2011 – 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)持續(xù)為簡(jiǎn)化及加快計(jì)算平臺(tái)設(shè)計(jì)而擴(kuò)充其產(chǎn)品系列。
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Power Integrations推出HiperLCS系列高壓LLC電源IC

  • 美國(guó)加利福尼亞州圣何塞，2011年9月14日訊 – 用于高能效功率轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日推出全新的HiperLCS系列高壓LLC電源IC，新器件將控制器、高壓端和低壓端驅(qū)動(dòng)器以及兩個(gè)MOSFET同時(shí)集成到了一個(gè)低成本封裝中。高度集成的HiperLCS IC具有出色的設(shè)計(jì)靈活性，既可提升效率（最高效率可超過(guò)97%），又可縮小尺寸，即利用高頻工作（最高達(dá)750 kHz）來(lái)減小變壓器的尺寸和輸出電容的占板面積。
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電動(dòng)自行車(chē)控制器MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)

  • 電動(dòng)自行車(chē)具有環(huán)保節(jié)能，價(jià)格合適，無(wú)噪聲，便利等特點(diǎn)，因此，電動(dòng)自行車(chē)成為當(dāng)今社會(huì)人們主要的代步工具。與此同時(shí)，消費(fèi)者和商家對(duì)整車(chē)的質(zhì)量及可靠性要求也越來(lái)越高。作為整車(chē)四大件之一的控制器的可靠性顯得尤
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節(jié)省汽車(chē)燃料的有效途徑：“啟動(dòng)/停止”系統(tǒng)

  • 許多汽車(chē)制造商設(shè)計(jì)了一種節(jié)省汽車(chē)燃料的巧妙方法，就是運(yùn)用了被稱為“啟動(dòng)/停止”系統(tǒng)的新概念。該系統(tǒng)...
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集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的全橋移相控制器-LM5046

  • 摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC-DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個(gè)PIN腳功能，文中一一有分解說(shuō)明。
    關(guān)鍵詞：全橋移相控制器L345046；28個(gè)PIN腳功能

    1 LM
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低VCEsat雙極結(jié)晶體管和MOSFET的比較

  • 新型低VCEsat BJT技術(shù)為傳統(tǒng)的平面MOSFET(電流介于500mA與5A之間的應(yīng)用)提供了一種可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于設(shè)計(jì)人員設(shè)計(jì)出成本更低、更具競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品?！　”銛y式產(chǎn)品(如手機(jī)、數(shù)碼照相機(jī)、
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高精度MOSFET設(shè)計(jì)技巧

  • 隨著個(gè)人計(jì)算機(jī)行業(yè)向著工作電流為200A的1V核心電壓推進(jìn)，為了滿足那些需求，并為該市場(chǎng)提供量身定制新型器件所需要的方法，半導(dǎo)體行業(yè)正遭受著巨大的壓力。過(guò)去，MOSFET設(shè)計(jì)工程師只要逐漸完善其性能就能滿足市場(chǎng)的
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IR推出新系列40V至200V車(chē)用MOSFET

  • 全新溝道 HEXFET 功率 MOSFET 系列采用多款表面貼裝器件 (SMD) 封裝，電壓范圍從 40V 至 200V。標(biāo)準(zhǔn)和邏輯電平柵級(jí)驅(qū)動(dòng) MOSFET 都為 IR 車(chē)用塑料封裝 MOSFET 產(chǎn)品系列設(shè)定了導(dǎo)通電阻性能新標(biāo)準(zhǔn)?；鶞?zhǔn)導(dǎo)通電阻在 40V 下最大為 1.25 毫歐，60V 下最大為2.1 毫歐，75V 下為 2.6 毫歐，100V 下為 4.0 毫歐。在 D2Pak-7P 封裝中許多器件的最大額定電流達(dá) 240A。
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新日本無(wú)線推出有30V耐圧、4A輸出的半橋驅(qū)動(dòng)器

  • 為了減輕對(duì)環(huán)境的影響，最新的電子設(shè)備急需高效率化，并且對(duì)其中配備的電機(jī)、LED等功率器件的控制也逐漸形成用微處理器/DSP等來(lái)控制的趨勢(shì)（軟件控制）。因此，電子設(shè)計(jì)工程師除了需要微處理器/DSP的知識(shí)之外，關(guān)于功率器件的驅(qū)動(dòng)知識(shí)也是必不可少。
  • 關(guān)鍵字： 新日本無(wú)線  MOSFET  驅(qū)動(dòng)器NJW4800  

IR推出新系列40V至200V車(chē)用MOSFET

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日推出車(chē)用 MOSFET 系列，可為一系列應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) ，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī) (ISA) 泵和電機(jī)控制，以及內(nèi)燃機(jī) (ICE) 和混合動(dòng)力汽車(chē)平臺(tái)上的其它重載應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： IR  MOSFET  

英飛凌推單P溝道40V汽車(chē)電源MOSFET

  • 　　英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車(chē)電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹(shù)立了行業(yè)新標(biāo)桿，從而進(jìn)一步鞏固英飛凌在新一代汽車(chē)電源管理應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。 　　新推出的器件系列采用多種標(biāo)準(zhǔn)封裝，電流范圍為50A至180A，囊括30多個(gè)器件型號(hào)，其中包括通態(tài)電阻最低的車(chē)用P溝道40V MOSFET。180A是P溝道工藝的基準(zhǔn)。
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