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為你的應(yīng)用選擇合適的高壓MOSFET

  • 高電壓MOSFET技術(shù)在過(guò)去幾年中經(jīng)歷了很大變化，給電源工程師帶來(lái)了不少選擇。只要提供有關(guān)不同技術(shù)的使用指南，就可以幫助工程師選擇合適的部件以達(dá)成其應(yīng)用的效率和成本目標(biāo)。了解不同MOSFET部件的細(xì)微差別及不同開(kāi)
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IR推出優(yōu)化版車(chē)用功率MOSFET 芯片組

  • 　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出了一款優(yōu)化版車(chē)用DirectFET?2 功率 MOSFET 芯片組，適合內(nèi)燃機(jī)、混合動(dòng)力和電動(dòng)車(chē)中的DC-DC 應(yīng)用。 　　
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IR推出新系列車(chē)用MOSFET

  • 　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出堅(jiān)固耐用的車(chē)用 MOSFET系列，適合多種內(nèi)燃機(jī) (ICE) 和混合動(dòng)力車(chē)平臺(tái)應(yīng)用。 　　
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中國(guó)未來(lái)幾年IGBT市場(chǎng)火爆

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，由于工業(yè)與消費(fèi)領(lǐng)域的需求增長(zhǎng)，中國(guó)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場(chǎng)未來(lái)幾年將快速增長(zhǎng)，2014年銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元，增長(zhǎng)一倍以上。 　　
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IR推出新系列車(chē)用MOSFET

  • 　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出堅(jiān)固耐用的車(chē)用 MOSFET系列，適合多種內(nèi)燃機(jī) (ICE) 和混合動(dòng)力車(chē)平臺(tái)應(yīng)用。 　　
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Linear 推出 LTC4441 新的高可靠性 (MP 級(jí)) 版本

  • 　　凌力爾特公司(Linear Technology Corporation) 推出LTC4441新的高可靠性(MP 級(jí)) 版本，該器件是一款6A N 溝道MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，在-55°C 至125°C的工作節(jié)溫范圍內(nèi)工作。該高功率驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于增加DC/DC 控制器的輸出功率及效率，從而使其能夠驅(qū)動(dòng)高功率N 溝道MOSFET 或多個(gè)并聯(lián)的MOSFET。其柵極驅(qū)動(dòng)電壓從5V 至8V 是可調(diào)的，從而允許設(shè)計(jì)師選擇標(biāo)準(zhǔn)門(mén)限或邏輯電平MOSFET。LTC4441 在5V 至25V 的寬輸入
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Microchip擴(kuò)展MOSFET驅(qū)動(dòng)器系列產(chǎn)品

  • 　　Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）宣布擴(kuò)展了其MOSFET驅(qū)動(dòng)器系列產(chǎn)品。在已獲得業(yè)界推崇的Microchip下橋臂MCP14E3/4/54.5A MOSFET驅(qū)動(dòng)器上，Microchip推出全新下橋臂MCP14E6/7/82A和MCP14E9/10/113A驅(qū)動(dòng)器。經(jīng)擴(kuò)展后，這一低成本系列器件的額定峰值輸出電流為2A至4.5A，工作電壓范圍寬達(dá)4.5V至18V。全新器件具備使能輸入引腳，可實(shí)現(xiàn)關(guān)斷功能以節(jié)省能耗，并采用8引腳SOIC和8引腳6mm×5m
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Fairchild開(kāi)發(fā)出用于MOSFET器件的Dual Cool封裝

  • 　　為了滿足高電流能力、高效率和更小外形尺寸的需求，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開(kāi)發(fā)出用于MOSFET器件的Dual Cool封裝，Dual Cool封裝是采用嶄新封裝技術(shù)的頂部冷卻PQFN器件，可以通過(guò)封裝的頂部實(shí)現(xiàn)額外的功率耗散。 　　Dual Cool封裝具有外露的散熱塊，能夠顯著減小從結(jié)點(diǎn)到外殼頂部的熱阻。與標(biāo)準(zhǔn)PQFN封裝相比，Dual Cool封裝在配合散熱片使用時(shí)，可將功率耗散能力提高60%以上。此外，采用Dual Cool封裝的MOSFET通過(guò)使用飛兆
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Vishay發(fā)布40V和60V N溝道TrenchFET功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即優(yōu)值系數(shù)。 　　40 V SiR640DP在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻為1.7m?和2.2m?，在10V和4.5V下的FOM分別為128m?-nC和76m?-nC。器件在4.5V下的導(dǎo)通電阻比最
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saber下MOSFET驅(qū)動(dòng)仿真實(shí)例

  • saber下MOSFET驅(qū)動(dòng)仿真實(shí)例,設(shè)計(jì)中，根據(jù)IXYS公司IXFN50N80Q2芯片手冊(cè)中提供的ID-VDS，ID-VGS和Cap-VDS等特性曲線及相關(guān)參數(shù)，利用saber提供的Model Architect菜單下Power MOSFET Tool建立IXFN50N80Q2仿真模型，圖5-1所示MOSFET DC Characteris
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Vishay新款N溝道功率MOSFET刷新最低導(dǎo)通電阻記錄

  • 　　賓夕法尼亞、MALVERN—2011年3月31日—日前，Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代號(hào)：VSH)宣布，發(fā)布新款40V和60VN溝道Trench FET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK?SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即優(yōu)值系數(shù)。
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設(shè)計(jì)高效高可靠LED燈具的五個(gè)忠告

  • 　　進(jìn)入2011年，澳大利亞已經(jīng)率先禁止使用白熾燈，這為L(zhǎng)ED燈具的大規(guī)模普及揭開(kāi)了序幕，另外，隨著歐盟各國(guó)、日本、加拿大等國(guó)家將在2012年禁止使用白熾燈，LED燈具的照明普及率會(huì)進(jìn)一步提升，這讓掘金綠色照明革命的中國(guó)數(shù)千家LED燈具廠商歡欣鼓舞――因?yàn)橐粋€(gè)巨大的市場(chǎng)就要開(kāi)啟，而這次唱主角的是中國(guó)廠商。不過(guò)，應(yīng)當(dāng)看到，LED燈具要普及，不但需要大幅度降低成本，更需要解決能效和可靠性的難題，如何解決這些難題，Power Integrations市場(chǎng)營(yíng)銷副總裁Doug Bailey分享了高效高可靠LED燈具
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利用屏蔽柵極功率 MOSFET 技術(shù)降低傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗

大電流便攜式DC/DC變換中MOSFET功耗的計(jì)算

  • 0 引言 眾所周知，今天的便攜式電源設(shè)計(jì)者所面臨的最嚴(yán)峻挑戰(zhàn)就是為當(dāng)今的高性能CPU提供電源。近年來(lái)，內(nèi)核CPU所需的電源電流每?jī)赡昃头环?，即便攜式內(nèi)核CPU電源電流需求會(huì)高達(dá)40A之大，而電壓在0.9V和1.75
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功率MOSFET雪崩擊穿問(wèn)題分析

  • 摘要：分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因，以及MOSFET故障時(shí)能量耗散與器件溫升的關(guān)系。和傳統(tǒng)的雙極性晶體管相比，反向偏置時(shí)MOSFET雪崩擊穿過(guò)程不存在“熱點(diǎn)”的作用，而電氣量變化卻十分復(fù)雜。寄生器件在
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