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EEPW首頁 >> 主題列表 >> nch mosfet

求解每個熱源功率損耗的新方法

  • 一引言DC-DC轉換器的效率和功率損耗是許多電子系統(tǒng)的一個重要特征參數(shù)。可以測量出這些特征參數(shù)，...
  • 關鍵字： 熱源功率  損耗  MOSFET  

功率器件更加智能，高能效功率電子技術新進展

  • 工藝與材料的創(chuàng)新隨著時間的推移，功率晶體管技術得到了持續(xù)的改善。器件的體積不斷縮小，功率密度越...
  • 關鍵字： 功率器件  工藝材料  MOSFET  

用非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效

  • 我們發(fā)現(xiàn)日益改進的靜電學及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機功耗。要做到這一點，新型晶體管結構和材料拓展了性能?功耗設計空間，使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終，通過構成一個由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構成的底層，晶體管的創(chuàng)新將會繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時發(fā)揮關鍵作用。

  • 關鍵字： CMOS  器件  功效  功率  提高  MOSFET  方案  非傳統(tǒng)  

大功率開關電源中功率MOSFET的驅(qū)動技術

  • 功率MOSFET具有導通電阻低、負載電流大的優(yōu)點，因而非常適合用作開關電源（switch-modepowersupplies，SMPS...
  • 關鍵字： 大功率  開關電源  功率  MOSFET  驅(qū)動  

大功率MOSFET驅(qū)動技術詳解

  • 功率MOSFET具有導通電阻低、負載電流大的優(yōu)點，因而非常適合用作開關電源（switch-modepowersupplies，SMPS）的整...
  • 關鍵字： 功率  MOSFET  變換器  柵極驅(qū)動  

汽車電子功率MOSFET解決方案

  • 過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術話題發(fā)展成為蓬勃的商業(yè)領域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐...
  • 關鍵字： 電子系統(tǒng)  MOSFET  瞬態(tài)高壓  

瑞薩電子推出具有大電流和低功率的半導體器件

  • 高級半導體解決方案領導廠商瑞薩電子公司（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）宣布開發(fā)面向消費類產(chǎn)品（如無線電動工具和電動自行車）中電機驅(qū)動的100A大電流功率MOSFET，以便加強公司的整個功率半導體器件生產(chǎn)線。新款功率MOSFET提供了較寬的電壓范圍，其中3款新產(chǎn)品（包括N0413N）具有40V的電壓容差，而另外3款新產(chǎn)品（包括N0601N）具有60V的電壓容差。新款功率MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的功率損耗水平，是延長電池壽命的理性之選。
  • 關鍵字： 瑞薩  MOSFET  N0413N  

高能效功率電子技術領域的新進展

  • 從1957年第一只晶閘管的誕生開始，功率電子技術以相當迅猛的速度發(fā)展。近年來又取得了長足的進展，產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟及社會效益。從美國高能效經(jīng)濟委員會(ACEE)出版的一份報告可以看到，到2030年，受益于采用半導體技術而獲得的更高能效，可以使美國的經(jīng)濟規(guī)模擴大70%以上，與此同時，使用的電能卻將減少11%。作為高能效功率電子技術領域的領先廠商，安森美半導體一直專注于超低損耗MOSFET/IGBT、智能電源IC及集成功率模塊等方面的研發(fā)和創(chuàng)新，而且取得了長足的進展
  • 關鍵字： 安森美半導體  MOSFET  

IR推出微電子繼電器設計師手冊以簡化選型和電路設計

  • 　　全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出光盤版微電子繼電器 (MER) 設計師手冊，內(nèi)容包括 IR 公司MER 產(chǎn)品系列的選型指南、應用手冊、數(shù)據(jù)資料和設計技巧等。 　　IR 的 MER 產(chǎn)品系列包括以 MOSFET 和 IGBT 為基礎的光伏繼電器和光電隔離器。其中以 MOSFET 為基礎的器件是理想的固態(tài)繼電器，能把AC 和 DC 負載和感測信號從幾毫安轉換成幾百瓦，廣泛應用于工業(yè)控制、測試設備、外圍電信設備、電腦外設
  • 關鍵字： IR  微電子繼電器  MOSFET  

完全自保護MOSFET功率器件分析

  • 為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本，設計人員在功率器件中加入故障保護電路，以免器件發(fā)生故障，避免對電子系統(tǒng)造成高代價的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實現(xiàn)，但是在更多情況下，設計人員使用完全
  • 關鍵字： 器件  分析  功率  MOSFET  保護  完全  

IR推出雙PQFN2x2和雙PQFN3.3x3.3功率MOSFETs

  • 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其PQFN封裝系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封裝。新型封裝集成了兩個采用IR最新硅技術的HEXFET? MOSFET，為低功率應用提供高密度、低成本的解決方案，這些應用包括智能手機、平板電腦、攝像機、數(shù)碼相機、直流電動機、無線感應充電器、筆記本電腦、服務器、網(wǎng)通設備等
  • 關鍵字： IR  MOSFET  

IR日推出新車用MOSFET系列

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導通電阻的一系列應用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機 (ICE) 平臺以及微型和混合動力汽車平臺上的重載應用。
  • 關鍵字： IR  MOSFET  

IR推出堅固的新系列40V至75V車用MOSFET

  • 　　全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導通電阻的一系列應用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機 (ICE) 平臺以及微型和混合動力汽車平臺上的重載應用。
  • 關鍵字： IR  柵級驅(qū)動  MOSFET  

Diodes 全新MOSFET組合可減少直流電機損耗

  • Diodes 公司推出一對互補性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流（BLDC）電機控制應用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導通電阻（Rdson）性能，以確保平衡分配電機負載的直流損耗并將其減少到最小。
  • 關鍵字： Diodes  MOSFET  DMC4040SSD  

Diodes 全新MOSFET 組合可減少直流電機損耗

  • 　　Diodes 公司推出一對互補性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流(BLDC)電機控制應用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導通電阻(Rdson)性能，以確保平衡分配電機負載的直流損耗并將其減少到最小。　　
  • 關鍵字： Diodes  DMC4040SSD  MOSFET   
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