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MOSFET與MOSFET驅(qū)動(dòng)電路原理及利用

　下面是我對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，非所有原創(chuàng)。包含 MOS管的推選，特征，驅(qū)動(dòng)以及運(yùn)用電路?！?br />　　在運(yùn)用 MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)思慮 M
關(guān)鍵字： MOSFET 利用原理電路驅(qū)動(dòng)

Vishay Siliconix 推出新款500V N溝道功率MOSFET

　　日前，Vishay宣布推出新款500V N溝道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的開(kāi)關(guān)速度和損耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3適用于ZVS拓?fù)洌哂械椭?3ns的trr和114nC的Qrr，柵極電荷為34nC。　　SiHF8N50L-E3改善了反向恢復(fù)特性，從而能夠更好地抵御EMI，實(shí)現(xiàn)更高的效率，同時(shí)避免出現(xiàn)導(dǎo)致MOSFET燒毀的內(nèi)部體二極管恢復(fù)故障。　　Vishay今天推出的新MOSFET具有500V電壓等級(jí)，在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電
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GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迅速增長(zhǎng)，2013年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1.8億

　　美國(guó)iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迅速增長(zhǎng)的調(diào)查報(bào)告)。報(bào)告顯示，2010年的市場(chǎng)規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠(chǎng)商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴(kuò)大市場(chǎng)規(guī)模。iSuppli預(yù)測(cè)，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)及有線(xiàn)通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進(jìn)展。　　目前，GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評(píng)測(cè)階段，或者剛開(kāi)始商用化的階段。不過(guò)，GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點(diǎn)，可提高電源電路的轉(zhuǎn)
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理解功率MOSFET的UIS及雪崩能量

在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過(guò)程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實(shí)際的應(yīng)用中評(píng)定這些參數(shù)對(duì)其的影響，以及在哪些應(yīng)用條件下需要考慮這些參數(shù)。本文將論述這些問(wèn)題，同時(shí)探討功率MOSFET在非鉗位感性開(kāi)關(guān)條件下的工作狀態(tài)。
關(guān)鍵字：雪崩能量 UIS MOSFET 功率理解

飛兆半導(dǎo)體液晶電視解決方案簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并減少元件數(shù)目

　　飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的液晶電視功率解決方案相比現(xiàn)今使用的傳統(tǒng)解決方案，可為設(shè)計(jì)人員提供顯著優(yōu)勢(shì)，最近的創(chuàng)新技術(shù)能夠減少元件數(shù)目，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，并進(jìn)一步提高可靠性——所有這些可以大幅降低成本。　　通過(guò)技術(shù)進(jìn)步，飛兆半導(dǎo)體的半橋解決方案Ultra FRFET系列進(jìn)一步優(yōu)化設(shè)計(jì)，具有35ns~65ns的同類(lèi)最佳反向恢復(fù)時(shí)間(trr)和業(yè)界最小的反向恢復(fù)電流(1.8A ~ 3.1A)。目前的液晶電視設(shè)計(jì)使用MOSFET和半橋電路中的兩個(gè)快速恢
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氮化鎵電源管理芯片市場(chǎng)將快速增長(zhǎng)

　　據(jù)iSuppli公司，由于高端服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)和有線(xiàn)通訊領(lǐng)域的快速增長(zhǎng)，氮化鎵(GaN)電源管理半導(dǎo)體市場(chǎng)到2013年預(yù)計(jì)將達(dá)到1.836億美元，而2010年實(shí)際上還幾乎一片空白。　　GaN是面向電源管理芯片的一種新興工藝技術(shù)，最近已從大學(xué)實(shí)驗(yàn)階段進(jìn)入商業(yè)化階段。該技術(shù)對(duì)于供應(yīng)商來(lái)說(shuō)是一個(gè)有吸引力的市場(chǎng)機(jī)會(huì)，它可以向它們的客戶(hù)提供目前半導(dǎo)體工藝材料可能無(wú)法企及的性能。　　iSuppli公司認(rèn)為，在過(guò)去兩年里，有幾件事情使得GaN成為電源管理半導(dǎo)體領(lǐng)域中大有前途的新星。　　首先，硅在
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Vishay發(fā)布2010年的“Super 12”高性能產(chǎn)品

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出2010年的“Super 12”高性能產(chǎn)品。這些系列器件具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的標(biāo)準(zhǔn)，如容值電壓、電流等級(jí)和導(dǎo)通電阻。這些創(chuàng)新產(chǎn)品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/2010/進(jìn)行展示，是很多關(guān)鍵應(yīng)用的理想選擇，也是Vishay廣泛的產(chǎn)品線(xiàn)組合的典型代表產(chǎn)品。　　2010年將要發(fā)布的Super 12產(chǎn)品是： 597D和T97多模鉭電容：對(duì)于+28V應(yīng)
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Intersil推出最新的雙通道同步降壓穩(wěn)壓器 ISL8088

　　全球高性能模擬半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商Intersil公司今天宣布，推出最新的雙通道同步降壓穩(wěn)壓器 --- ISL8088。該器件采用超小封裝，具有非常高的功率轉(zhuǎn)換效率和低靜態(tài)電流。　　ISL8088是每通道800mA的雙通道降壓穩(wěn)壓器，內(nèi)部集成了功率MOSFET。2.7V～5.5V的輸入電壓和35mA的靜態(tài)電流，使ISL8088成為電池供電和其他“綠色電源”應(yīng)用的理想之選。ISL8088可以選擇工作在強(qiáng)制的PWM模式和自動(dòng)的PWM/PFM模式，以延長(zhǎng)電池壽命。　　
關(guān)鍵字： Intersil 穩(wěn)壓器 ISL8088 MOSFET

Vishay發(fā)布新款microBUCK集成同步降壓穩(wěn)壓器

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出旗下microBUCK系列集成同步降壓穩(wěn)壓器中的新器件 --- SiC414。6A SiC414是DC-DC轉(zhuǎn)換器解決方案，具有先進(jìn)的控制器IC和柵極驅(qū)動(dòng)器、兩個(gè)針對(duì)PWM控制優(yōu)化的N溝道MOSFET(高邊和低邊)、在獨(dú)立降壓穩(wěn)壓器配置中的自啟動(dòng)開(kāi)關(guān)，采用節(jié)省空間的MLPQ 4mm x 4mm的28引腳封裝。　　microBUCK系列的產(chǎn)品綜合了Vishay獨(dú)特的分立MOSFET設(shè)計(jì)、IC專(zhuān)長(zhǎng)和封裝工藝，為客戶(hù)提供了具有成本效
關(guān)鍵字： Vishay microBUCK MOSFET 封裝

半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)高端MOSFET驅(qū)動(dòng)方案選擇：變壓器還是硅芯片？

　　在節(jié)能環(huán)保意識(shí)的鞭策及世界各地最新能效規(guī)范的推動(dòng)下，提高能效已經(jīng)成為業(yè)界共識(shí)。與反激、正激、雙開(kāi)關(guān)反激、雙開(kāi)關(guān)正激和全橋等硬開(kāi)關(guān)技術(shù)相比，雙電感加單電容(LLC)、有源鉗位反激、有源鉗位正激、非對(duì)稱(chēng)半橋(AHB)及移相全橋等軟開(kāi)關(guān)技術(shù)能提供更高的能效。因此，在注重高能效的應(yīng)用中，軟開(kāi)關(guān)技術(shù)越來(lái)越受設(shè)計(jì)人員青睞。　　另一方面，半橋配置最適合提供高能效/高功率密度的中低功率應(yīng)用。半橋配置涉及兩種基本類(lèi)型的MOSFET驅(qū)動(dòng)器，即高端(High-Side)驅(qū)動(dòng)器和低端(Low-Side)驅(qū)動(dòng)器。高端表示M
關(guān)鍵字：安森美 MOSFET 變壓器硅芯片

RS推出1200種三洋半導(dǎo)體產(chǎn)品

　　國(guó)際著名電子、電機(jī)和工業(yè)產(chǎn)品分銷(xiāo)商RS Components于今日宣布，通過(guò)其在線(xiàn)目錄RS Online(RS在線(xiàn)：http://www.rs-components.com)渠道推出三洋(SANYO)半導(dǎo)體公司的1200類(lèi)半導(dǎo)體產(chǎn)品。　　此次推出的產(chǎn)品中，除了有采用三洋半導(dǎo)體獨(dú)自技術(shù)達(dá)成的用于電源電池管理的MOSFET系列(具有業(yè)界最高水準(zhǔn)的低導(dǎo)通電阻特性, 并實(shí)現(xiàn)了小型薄型大功率), 低壓驅(qū)動(dòng)閃光用IGBT產(chǎn)品以外，還包括低飽和電壓,射頻用各種雙極晶體管產(chǎn)品。通過(guò)驅(qū)使獨(dú)自的核心技術(shù), 三洋在多
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IR 推出一系列新型HEXFET 功率MOSFET

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。　　這些新的功率MOSFET采用IR最先進(jìn)的硅技術(shù)，是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優(yōu)化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，在4.5V Vgs下，最高僅為1.2m?，顯著降低了手工工具等直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗。
關(guān)鍵字： IR MOSFET HEXFET

PI新推出的TOPSwitch-JX系列電源轉(zhuǎn)換IC

　　PI公司今日宣布推出TOPSwitch-JX系列器件，新產(chǎn)品系列共由16款高度集成的功率轉(zhuǎn)換IC組成，其內(nèi)部均集成有一個(gè)725 V功率MOSFET，適用于設(shè)計(jì)反激式電源。新型TOPSwitch-JX器件采用多模式控制算法，可提高整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)的功率效率。由于在滿(mǎn)功率下工作效率較高，因此可減少正常工作期間的功率消耗量，同時(shí)降低系統(tǒng)散熱管理的復(fù)雜性及費(fèi)用支出。在低輸入功率水平下，高效率還可使適配器的空載功耗降至最低，增大待機(jī)模式下對(duì)系統(tǒng)的供電量，這一點(diǎn)特別適用于受到能效標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范約束的產(chǎn)品應(yīng)用。　
關(guān)鍵字： PI 功率轉(zhuǎn)換IC TOPSwitch-JX MOSFET

基于UCC27321高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)芯片的功能與應(yīng)用

基于UCC27321高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)芯片的功能與應(yīng)用,1　引言

　　隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，各種新型的驅(qū)動(dòng)芯片層出不窮，為驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)提供了更多的選擇和設(shè)計(jì)思路，外圍電路大大減少，使得MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路愈來(lái)愈簡(jiǎn)潔，.性能也獲得到了很大地提高。其中UCC27321
關(guān)鍵字：芯片功能應(yīng)用驅(qū)動(dòng) MOSFET UCC27321 高速基于

飛兆半導(dǎo)體微型以封裝高效產(chǎn)品應(yīng)對(duì)DC-DC設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

　　飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色熱性能，并有助實(shí)現(xiàn)更薄、更輕和更緊湊的電源解決方案的MOSFET產(chǎn)品系列，可應(yīng)對(duì)工業(yè)、計(jì)算和電信系統(tǒng)對(duì)更高效率和功率密度的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。　　FDMC7570S是采用3mm x 3mm MLP 封裝、具有業(yè)界最低RDS(ON)的25V MOSFET器件，可提供無(wú)與倫比的效率和結(jié)溫性能。FDMC7570S在10VGS 下的RDS(ON) 為1.6mOhm，在4.5VGS下則為2.3mOhm;其傳導(dǎo)損耗更比其它外形尺寸相同
關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET 電源