nor flash 文章進(jìn)入nor flash技術(shù)社區(qū)

基于ZigBee技術(shù)的家居智能無線網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)

介紹了一種基于ZigBee技術(shù)的智能家居無線網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)。重點(diǎn)闡述了該系統(tǒng)的組成、通訊協(xié)議以及無線節(jié)點(diǎn)的軟硬件設(shè)計(jì)。
關(guān)鍵字： UART ZigBee ACLK Flash

基于FPGA的測量數(shù)據(jù)存儲交換技術(shù)

以AT45DB041B為例，將FPGA和大容量串行flash存儲芯片的優(yōu)點(diǎn)有效地結(jié)合起來，實(shí)現(xiàn)了FPGA對串行存儲芯片的高效讀寫操作，完成了對大量測量數(shù)據(jù)的存儲處理和與上位機(jī)的交換，并在某電力局項(xiàng)目工頻場強(qiáng)環(huán)境監(jiān)測儀中成功應(yīng)用。
關(guān)鍵字： Flash 串行存儲 FPGA

基于FPGA的水聲信號高速采集存儲系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

介紹了一種基于FPGA的水聲信號數(shù)據(jù)采集與存儲系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),給出了系統(tǒng)的總體方案,并對各部分硬件和軟件的設(shè)計(jì)進(jìn)行了詳細(xì)描述。系統(tǒng)以FPGA作為數(shù)據(jù)的控制處理核心,以存儲容量達(dá)2 GB的大容量NAND型Flash作為存儲介質(zhì)。該系統(tǒng)主要由數(shù)據(jù)采集模塊、數(shù)據(jù)存儲模塊和RS-232串行通信模塊組成,具有穩(wěn)定可靠、體積小、功耗低、存儲容量大等特點(diǎn),實(shí)驗(yàn)證明該系統(tǒng)滿足設(shè)計(jì)要求。
關(guān)鍵字：數(shù)據(jù)采集 Flash FPGA

FPGA最小系統(tǒng)之：最小系統(tǒng)電路分析

FPGA的管腳主要包括：用戶I/O（User I/O）、配置管腳、電源、時鐘及特殊應(yīng)用管腳等。其中有些管腳可有多種用途，所以在設(shè)計(jì)FPGA電路之前，需要認(rèn)真的閱讀相應(yīng)FPGA的芯片手冊。
關(guān)鍵字： Cyclone Altera Flash FPGA CPLD SDRAM FPGA最小系統(tǒng)

FPGA最小系統(tǒng)之：最小系統(tǒng)的概念

FPGA最小系統(tǒng)是可以使FPGA正常工作的最簡單的系統(tǒng)。它的外圍電路盡量最少，只包括FPGA必要的控制電路。一般所說的FPGA的最小系統(tǒng)主要包括：FPGA芯片、下載電路、外部時鐘、復(fù)位電路和電源。如果需要使用NIOS II軟嵌入式處理器還要包括：SDRAM和Flash。一般以上這些組件是FPGA最小系統(tǒng)的組成部分。
關(guān)鍵字： FPGA最小系統(tǒng) Altera NiosII Flash SDRAM

SPI Flash M25P32 的TFFS文件系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

TFFS文件系統(tǒng)中的Core Layer內(nèi)核層可將其他層連接起來協(xié)同工作；翻譯層主要實(shí)現(xiàn)DOS和TFFS之間的交互、管理文件系統(tǒng)和Flash各個物理塊的關(guān)系，同時支持TFFS的各種功能，如磨損均衡、錯誤恢復(fù)等；MTD層執(zhí)行底層的程序驅(qū)動(map、read、write、erase等)；socket層的名稱來源于可以插拔的socket存儲卡，主要提供與具體的硬件板相關(guān)的驅(qū)動。
關(guān)鍵字：文件系統(tǒng) Flash SOCKET

Flash硬件接口和程序設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵技術(shù)

閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、制造成本低、使用方便等諸多優(yōu)點(diǎn)廣泛地應(yīng)用于辦公設(shè)備、通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、家用電器等領(lǐng)域。介紹了Flash的使用方法，并給出了單片機(jī)與閃速存儲器接口和程序設(shè)計(jì)中應(yīng)注意的關(guān)鍵技術(shù)。
關(guān)鍵字：編程接口 Flash 擦除

大容量NOR Flash與8位單片機(jī)的接口設(shè)計(jì)

Flash存儲器又稱閃速存儲器，是20世紀(jì)80年代末逐漸發(fā)展起來的一種新型半導(dǎo)體不揮發(fā)存儲器。它兼有RAM和ROM的特點(diǎn)，既可以在線擦除、改寫，又能夠在掉電后保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失。NOR Flash是Flash存儲器中最早出現(xiàn)的一個品種，與其他種類的Flash存儲器相比具有以下優(yōu)勢：可靠性高、隨機(jī)讀取速度快，可以單字節(jié)或單字編程，允許CPU直接從芯片中讀取代碼執(zhí)行等。因此NOR Flash存儲器在嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用開發(fā)中占有非常重要的地位。本文以SST公司的NOR Flash芯片SST39SF040和MCS-51單
關(guān)鍵字： NOR Flash 接口單片機(jī)

F1aSh存儲器在TMS320C3X系統(tǒng)中的應(yīng)用

以基于TMS320C32 DSP開發(fā)的故障錄波裝置為模型，介紹AMD公司的Flash存儲器Am29F040摘要的原理和應(yīng)用；利用它的操作過程實(shí)現(xiàn)斷電后仍然可以將子程序保存在F1ash存儲器內(nèi)的特性，結(jié)合TMS320C3x提出實(shí)現(xiàn)DSP系統(tǒng)上電后用戶程序的自動引導(dǎo)的方法。
關(guān)鍵字： DSP Flash TI

Flash數(shù)據(jù)丟失，說好的數(shù)據(jù)去哪了？

芯片貼板后跑不起來？Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過程中莫名改變或不翼而飛？程序丟失可能無法正常運(yùn)行，從而造成整個系統(tǒng)崩潰，下面我們來看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化。
關(guān)鍵字：電源電壓 Flash MCU

美系兩大廠商淡出NOR Flash市場 NOR芯片缺貨無解

　　繼美光后，全球第二大編碼型快閃存儲器(NOR Flash)制造廠賽普拉斯(Cypress)也在法說會上，將淡出中低容量的NOR Flash市場，專注高容量的車用和工規(guī)領(lǐng)域的消息，加上蘋果明年新手機(jī)全數(shù)導(dǎo)入有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)面板，同步得搭載NOR芯片維持手機(jī)色彩飽和度，明年缺口持續(xù)擴(kuò)大。　　存儲器業(yè)者透露，美系兩大廠商淡出NOR Flash，讓今年NOR芯片缺貨無解，更因硅晶圓廠優(yōu)先供貨給邏輯芯片廠和DRAM和3D NAND Flash廠，增產(chǎn)數(shù)量受阻，明年更將陷入史上最大缺貨潮，臺灣地區(qū)廠
關(guān)鍵字：美光 NOR

麥格理分析師：DRAM和Flash價(jià)格會持續(xù)漲到年底

　　據(jù)外媒報(bào)道，存儲芯片市場上周出現(xiàn)降溫雜音，麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。　　他認(rèn)為下半年DRAM和NAND價(jià)格仍會續(xù)漲，有利美光、西部數(shù)據(jù)、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價(jià)。　　據(jù)巴隆周刊(Barron's)報(bào)導(dǎo)，Daniel Kim發(fā)布報(bào)告說：「所有數(shù)據(jù)和消息都表明存儲芯片市場今年下半年會比預(yù)期更強(qiáng)。」他看好存儲芯片價(jià)格會持續(xù)漲到今年底。　　整體來說，Daniel Kim認(rèn)為芯片價(jià)格上漲，即暴露看空論點(diǎn)的瑕疵。　　他指出，建構(gòu)數(shù)據(jù)中心的廠商「重視的是系統(tǒng)的表現(xiàn)而
關(guān)鍵字： DRAM Flash

蘋果入局加劇NOR芯片缺貨預(yù)估今年漲幅60%

　　蘋果新手機(jī)iPhone 8將導(dǎo)入采用編碼型快閃存儲(NOR Flash)，已讓NOR芯片缺貨更為嚴(yán)重。存儲業(yè)者透露，今年NOR芯片供給缺口將擴(kuò)大至20%，主要供應(yīng)大廠賽普拉斯(Cypress)也正式發(fā)出漲價(jià)通知，業(yè)者估計(jì)今年漲幅可能擴(kuò)大至逾60%。　　業(yè)者預(yù)期，會有更多廠商來臺搶貨，臺廠相關(guān)供應(yīng)商包括旺宏、華邦電及晶豪科等，也樂見睽違4年多難得一見的榮景，將同步調(diào)漲售價(jià)，且估計(jì)第2季漲幅將逾20%之高。　　存儲通路商透露，去年下半年以來，市場焦點(diǎn)一直以DRAM和儲存型快閃存
關(guān)鍵字：蘋果 NOR

手機(jī)OLED相關(guān)組件賣到缺貨，它成國內(nèi)最大受益者

AMOLED面板日益受到全球手機(jī)品牌青睞，讓OLED驅(qū)動IC需求快速上揚(yáng)。OLED驅(qū)動IC采用的高壓制程，目前還無法加入嵌入式閃存(eFlash)，只好退而求其次采用外掛NOR Flash來記憶狀態(tài)以及補(bǔ)償AMOLED的電流和亮度……
關(guān)鍵字： OLED NOR

出售NOR芯片事業(yè)/再擴(kuò)產(chǎn)能千年老三美光要逆襲三星？

在存儲器領(lǐng)域,美光屈居三星及SK 海力士之下,老三地位尷尬,難以出頭。臺灣是美光布局亞洲的橋頭堡和合伙人,合縱連橫,才有一線生機(jī)啊!
關(guān)鍵字：美光 NOR

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nor flash介紹

NOR Flash存儲器　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細(xì) ]