韓聯(lián)社首爾8月17日電 據半導體市場調研機構DRAMeXchange消息，三星電子2016年第二季移動動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的銷售額同比增長19.4%至24.18億美元，全球市場占有率升至61.5%，創(chuàng)下移動DRAM市場份額單獨統(tǒng)計以來的歷史最高紀錄。
三星2015年后三季度的移動DRAM市場份額均未突破60%關口，分別為57.6%、56.9%、58.2%。繼今年第一季突破60%后，第二季又提升1.1個百分點。三星移動DRAM的市場份額更是比DRAM市場份額(47.4%)高出14.1個百分點
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三星 DRAM
DRAMeXchange最新報告指出，中國地區(qū)的智慧型手機出貨依然強勁，DRAM三大廠同步調整產品類別，持續(xù)向行動式記憶體轉進，伴隨第3季強勁的旺季備貨需求到來，預估第3季全球DRAM總營收將出現(xiàn)較顯著的成長。
DRAMeXchange表示，因市況供過于求，第2季DRAM的平均銷售單價持續(xù)下滑，整體均價季跌幅超過5%，但受惠美光20奈米及SK海力士21奈米產出順利，帶動位元供給成長，使得第2季全球DRAM總營收約91億美元，季成長6.3%。
三星在第2季的DRAM產業(yè)營收仍排行第一，營收季
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三星 DRAM
TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，由于市況供過于求，第2季DRAM的平均銷售單價持續(xù)下滑，整體均價季跌幅超過5%，但受惠美光20納米及SK海力士21納米產出順利，帶動位元供給成長，第2季全球DRAM總營收約91億美元，季成長6.3%;三星、SK海力士、美光三大廠營收都成長，臺廠部分，以華邦電( 2344-TW )營收季增3.3%表現(xiàn)最佳。
DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第2季筆記型電腦及伺服器相關產品出貨動能表現(xiàn)一般，但中國地區(qū)的智慧型手
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DRAM
按IC Insight的最新IC市場觀察報告，2016年因供過于求，導致全球DRAM的平均售價(ASP)下降16%，導致全球IC銷售額下降2%。
由于PC，筆記本，及平板電腦，包括智能手機等的出貨量減少，今年全球DRAM銷售額下降19%。DRAM的ASP有很大的起伏，由2014年的3.16美元高點，到2012年時的1.69美元。
IC Insight認為，一組DRAM的ASP曲線，從2007年開始象飛機飛過山谷時一樣的起伏。預計在服務器及新智能手機等市場需求推動
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DRAM
受惠于美光(Micron) 20奈米及SK海力士(Hynix) 21奈米產出順利，帶動位元供給成長，使得第二季全球DRAM總營收約91億美元，季成長6.3%。
TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，由于市況供過于求，第二季DRAM的平均銷售單價持續(xù)下滑，整體均價季跌幅超過5%。然而，受惠于美光(Micron) 20奈米及SK海力士(Hynix) 21奈米產出順利，帶動位元供給成長，使得第二季全球DRAM總營收約91億美元，季成長6.3%。
DRAMe
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美光 DRAM
TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新報告顯示，由于市況供過于求，第二季DRAM的平均銷售單 價持續(xù)下滑，整體均價季跌幅超過5%。然而，受惠于美光20納米及SK海力士21納米產出順利，帶動位元供給增長，使得第二季全球DRAM總營收約91億 美元，季增長6.3%。
DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第二季筆記本電腦及服務器相 關產品出貨動能表現(xiàn)一般，但中國地區(qū)的智能手機出貨依然強勁，因此DRAM三大廠也同步調整產品類別，持續(xù)向行動式內存
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SK海力士 DRAM
全球業(yè)界首選光掩模合作伙伴Toppan Photomasks, Inc. (TPI)今天宣布批準對近期擴建的中國上海廠的下一階段投資計劃;該廠由TPI獨資子公司Toppan Photomasks Company Limited, Shanghai (TPCS) 運營。TPI將對此工廠再投資8000萬美元以展現(xiàn)其對中國快速成長的半導體產業(yè)及客戶之長期承諾。TPI先前已投資2000萬美元擴建上海二廠(TPCS Shanghai II);該廠現(xiàn)已量產并且為中國唯一提供全方位技術及產品的商業(yè)光掩模廠。
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DRAM NAND
并購以后DRAM市場的“貧富差距”愈形明顯，產業(yè)結構可能掀起巨變。
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DRAM 美光
PC電腦市場正在逐漸萎縮，這已不是什么秘密了。
對于像英特爾這樣一直以PC電腦芯片作為主營業(yè)務的公司來說，這可是一條大大不利的消息。
為了在PC電腦市場萎靡的不利環(huán)境中存活下來，英特爾正在努力轉型。它準備放棄PC電腦芯片業(yè)務，轉而將重心放到為數據中心和聯(lián)網設備開發(fā)芯片上來。
在英特爾最新發(fā)布的旨在解釋該公司未來發(fā)展策略的10-Q文件中，有關它的工作重心轉變的章節(jié)尤其引人注目。
從下圖中你可以看出，在英特爾的發(fā)展藍圖中，PC電腦并沒有被單獨列出來，而是列入了“其他各種
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英特爾 PC
本文主要介紹和分析了2015和2016年DRAM市場走勢。結論是2016年第三季度DRAM已經平穩(wěn)上漲4%~8%左右。預計在2016第四季度價格會略有下滑，但2017年成長會低于20%。
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DRAM 市場 手機 服務器 201608
摩爾定律并未失效，可能無法像以前那樣自動跳到下一世代制程，不過可以看到有很多公司在進行20 nm及以下的設計開發(fā)。
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摩爾定律 DRAM
NAND快閃記憶體受惠固態(tài)硬盤(SSD)銷售熱絡，加上智能手機搭載容量提高，帶動近月價格持續(xù)上漲，創(chuàng)見、威剛等模組廠營運受惠，市場預期蘋果將推出的iPhone 7拉貨動能如何，將攸關NAND快閃記憶體價格續(xù)漲力道。
市場指出，上半年非蘋陣營智能手機產品銷售強勁，產品功能提升帶動記憶體需求大增，加上6月三星西安廠因變電廠爆炸導致停工，帶動NAND快閃記憶體價格上漲，主流產品在1個月內漲幅超過2成。
市況變化帶動記憶體模組廠營運增溫，創(chuàng)見表示，在漲價預期心理帶動下，通路拉貨力道明顯回升，DRA
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NAND DRAM
韓國經濟日報周二報導，國營福建晉華積體電路公司(音譯：Fujian Jinhua Integrated Circuit Co.)在來自聯(lián)電(2303)技術的加持下，已著手建造半導體廠，將藉此切入DRAM市場。
來自產業(yè)內的訊息指出，福建晉華上周六已在晉江市，舉行DRAM廠破土動工儀式，第一期工程投資規(guī)模預估來到370億人民幣，或相當于55億美元，2018年投產后每月可產出6萬片晶圓(32奈米)。
據報導，福建晉華將獲得聯(lián)電技術支援，且全球晶圓代工龍頭臺積電(2330)傳也有參與投資，但未獲
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DRAM 三星
IC Insights近日調降2016年半導體產業(yè)成長率預測至-1%，表示英國脫歐也是為產業(yè)帶來負面沖擊的原因之一…
市場研究機構IC Insights近日調降了對2016年半導體產業(yè)的成長率預測，由原先的2%下修為-1%;該機構表示，調降產業(yè)成長率預測的主要原因，是基于全球經濟表現(xiàn)衰弱，以及低迷不振的DRAM市場。
消 費性電子市場與半導體產業(yè)之間的連動關系越來越密切，IC Insights預期，2016年全球GDP與成長率僅2.3%;而GDP成長率若低于2.5%，被認為是
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半導體 DRAM
據韓媒BusinessKorea報道，IBM和三星近日在IEEE上發(fā)布研究論文稱，兩家公司聯(lián)手打造了一種被稱為STT-MRAM的新內存，有望成為目前DRAM內存的最實際接替者。
DRAM，即動態(tài)隨機存取存儲器，目前最大的發(fā)展障礙就是其很難被壓縮至10nm以下，因此兩家公司研發(fā)的STT-MRAM(自旋傳輸磁性記憶體)首先就將解決這一問題。
另外，新內存也將擁有更高的傳輸速度且更加省電，理論性能也將超越DRAM。
業(yè)界認為，這可能是目前DRAM的最佳接替者，因為95%的DRAM制造設施都
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三星 DRAM
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