pc dram 文章 進入pc dram技術(shù)社區(qū)
惠普開發(fā)后背式PC原型機 搶攻虛擬實境與游戲市場
- 目前如Facebook旗下Oculus,以及宏達電等業(yè)者所推出的虛擬實境(VR)裝置,都必須要借助外在高階PC,來提供影像呈現(xiàn)時所需要的運算。但由于PC裝置攜帶不便,而使這些虛擬實境裝置的移動性大受限制。 而為解決此一問題,繼索泰(ZOTAC)推出滿足虛擬實境需求的背包式(Backpack)迷你PC,以及微星(MSI)日前宣布推出背包式PC后,惠普(HP)也公布了,新開發(fā)的后背式Omen X VR PC原型開發(fā)工具組。 惠普Omen系列電腦設(shè)備是專為頂級游戲玩家所設(shè)計的產(chǎn)品。目前該系列產(chǎn)品
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華為做PC,是不是有錢任性在玩票兒?
- 已經(jīng)很久沒有一款筆記本電腦,能在發(fā)布之后被大家持續(xù)關(guān)注,甚至想做到“飽受爭議”,都不太容易了。不過HUAWEIMateBook是個例外,自從今年2月在MWC2016上亮相以來,它在PC行業(yè)激起的漣漪一直在回蕩。5月26日,HUAWEIMateBook就要正式在國內(nèi)上市,華為即將面對一個全新市場的考驗,而傳統(tǒng)PC廠商們肯定也會積極防御,巨頭們的跨界PK,向來不乏看點。各種聲音中,質(zhì)疑的也不在少數(shù),畢竟“一個做基站和手機的”,憑什么殺入PC市場,和耕耘十?dāng)?shù)年
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三星海力士DRAM市場占有率繼續(xù)增長 營收不增反降
- 市調(diào)機構(gòu)TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,三星第一季豪取全球移動DRAM逾六成市場(60.4%),不僅穩(wěn)居全球龍頭,也創(chuàng)下歷史新高。 盡管如此,受DRAM平均報價下滑沖擊,三星當(dāng)季行動DRAM營收不增反減,較前季大幅衰退22.7%至20.26億美元,這或許是搞軍備競賽爭奪市占率必需付出的代價。 SK海力士狀況類似,市占率雖然進步0.8個百分點,但同期間行動DRAM營收來卻較前期倒退23.1%,成為9.03億美元。加總?cè)桥c海力士市占率,從去年第四
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三星+海力士移動DRAM逼近九成,美光瀕臨淘汰
- 市調(diào)機構(gòu)TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,三星第一季豪取全球移動DRAM逾六成市場(60.4%),不僅穩(wěn)居全球龍頭,也創(chuàng)下歷史新高。(Businesskorea.co.kr) 盡管如此,受DRAM平均報價下滑沖擊,三星當(dāng)季行動DRAM營收不增反減,較前季大幅衰退22.7%至20.26億美元,這或許是搞軍備競賽爭奪市占率必需付出的代價。 SK海力士狀況類似,市占率雖然進步0.8個百分點,但同期間行動DRAM營收來卻較前期倒退23.1%,成為9.03
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美光漲逾7%!應(yīng)材估DRAM資本支出降溫、三星傳縮手
- 半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)龍頭廠商應(yīng)用材料(Applied Materials Inc.)19日于美股盤后的營收預(yù)估值擊敗分析師預(yù)估,帶動20日股價跳漲13.81%、收22.66美元,漲幅不但居費城半導(dǎo)體指數(shù)成分股30支成分股之冠,收盤更創(chuàng)2015年3月30日以來收盤新高。 美國記憶體大廠美光(Micron Technology)19日跟著大漲7.25%、收10.80美元,創(chuàng)4月28日以來收盤新高。TheStreet.com 20日報導(dǎo),應(yīng)材在財報電話會議上指出,投資活動逐漸從DRAM轉(zhuǎn)到NAND型快閃記憶體
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Gartner:PC廠商仍有獲利商機
- PC已不再是使用者優(yōu)先選擇或唯一使用的上網(wǎng)裝置。過去五年,傳統(tǒng)PC (桌上型和筆記型電腦)的全球出貨量已從2012年的3.43億臺下滑至2016年預(yù)估的2.32億臺。 2016年第一季,全球PC市場出現(xiàn)了史上最低的季成長率(參考閱讀),但國際研究暨顧問機構(gòu)Gartner表示,PC廠商仍存在著多項獲利商機。 Gartner 首席分析師 Meike Escherich 指出:“PC已不再是使用者優(yōu)先選擇或唯一使用的上網(wǎng)裝置。過去五年,傳統(tǒng)PC (桌上型和筆記型電腦)的全球出貨量已從
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PC與NB需求每況愈下 臺系IC設(shè)計夾縫中求生
- 面對2016年第2季全球PC與NB市場需求越看越糟的前景,臺系IC設(shè)計業(yè)者雖然也擔(dān)心傳統(tǒng)淡季效應(yīng)的沖擊,不過,面對外商持續(xù)撤退相關(guān)芯片市場的動作,仍計劃以市占率的提升效果,來化解終端PC與NB出貨量越走越低的壓力。 尤其英特爾(Intel)Skylake平臺加入不少新的產(chǎn)品功能與設(shè)計,相關(guān)芯片平均單價其實是往上走高下,多一些市占率增長的庇護,將有利公司撐過5窮、6絕、7上吊的壓力,并坐等第3季中后段的傳統(tǒng)旺季效應(yīng)報到。 臺系PC相關(guān)芯片供應(yīng)商指出,面對全球PC與NB市場需求量持續(xù)滑落的前景
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DRAM價格持續(xù)下跌,第一季全球DRAM總產(chǎn)值環(huán)比衰退16.6%
- TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示,受到市況持續(xù)供過于求、平均銷售單價下降影響,2016年第一季全球DRAM總產(chǎn)值為85.6億美元,環(huán)比衰退16.6%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,第一季為傳統(tǒng)淡季,除中國市場的智能手機略有庫存回補的需求以外,筆記本電腦與iPhone的出貨量同步遭到下修,導(dǎo)致DRAM市場供過于求的現(xiàn)象更為明顯。 三星營收持續(xù)摘冠,美光集團開始面臨成本保衛(wèi)戰(zhàn) 三星依然穩(wěn)坐DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭,第一季營收雖下跌16.6%,
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DIGITIMES專欄:三星投入DRAM 18納米制程研發(fā)
- 2016年三星電子(Samsung Electronics)于DRAM將以開發(fā)18納米制程為其投資重點,DIGITIMES Research觀察,為克服DRAM 18納米制程微縮所面臨的電容器(Capacitor)易倒塌、雜訊(Noise)增加、電荷外泄及曝光顯影變復(fù)雜等課題,三星將運用四重曝光顯影技術(shù)(Quadruple Patterning Technology;QPT)與超微細導(dǎo)電膜形成技術(shù),以維持其在DRAM技術(shù)的領(lǐng)先地位。 三星于DRAM 18納米制程將運用自動對位QPT(Self A
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福建晉華攜手聯(lián)電 開發(fā)制程DRAM技術(shù)
- 晶圓代工廠聯(lián)電昨天宣布,與中國大陸福建官方投資的晉華集成電路,簽署技術(shù)合作協(xié)議,由聯(lián)電開發(fā)DRAM相關(guān)制程技術(shù)。 聯(lián)電強調(diào),所開發(fā)技術(shù)將應(yīng)用于利基型DRAM生產(chǎn),但該公司沒有要進入DRAM產(chǎn)業(yè)或投資晉華。外界解讀,聯(lián)電現(xiàn)階段雖然僅投入利基型記憶體技術(shù)開發(fā),未來視兩岸政策與市場情況,說不定將進入相關(guān)代工領(lǐng)域。 聯(lián)電表示,這次的合作協(xié)議結(jié)合臺灣的半導(dǎo)體制造能力,及中國大陸的市場與資金,在臺灣進行技術(shù)研發(fā)。雙方合作開發(fā)的技術(shù),主要應(yīng)用在利基型DRAM生產(chǎn),不僅能提供國內(nèi)IC設(shè)計公司使用,也能結(jié)合
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大陸發(fā)展DRAM 海力士恐首當(dāng)其沖
- 工研院 IEK認為,為替代進口,中國大陸發(fā)展DRAM已勢在必行,未來若中國大陸成功搶進DRAM領(lǐng)域,預(yù)期海力士恐將是最大潛在受害者。 聯(lián)電接受中國大陸福建省晉華集成電路委托,開發(fā)動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)相關(guān)制程技術(shù),引起各界關(guān)注。 工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟與趨勢研究中心(IEK)電子與系統(tǒng)研究組副組長楊瑞臨認為,為替代進口,中國大陸發(fā)展DRAM似乎已勢在必行。 楊瑞臨指出,中國大陸目前至少有 5家廠商規(guī)劃投入DRAM發(fā)展,除這次委托聯(lián)電開發(fā)技術(shù)的晉華外,還有武漢新芯,中芯也傳將重操舊業(yè),
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三星投入DRAM 18nm制程研發(fā)
- 2016年三星電子(Samsung Electronics)于DRAM將以開發(fā)18奈米制程為其投資重點,DIGITIMES Research觀察,為克服DRAM 18奈米制程微縮所面臨的電容器(Capacitor)易倒塌、雜訊(Noise)增加、電荷外泄及曝光顯影變復(fù)雜等課題,三星將運用四重曝光顯影技術(shù) (Quadruple Patterning Technology;QPT)與超微細導(dǎo)電膜形成技術(shù),以維持其在DRAM技術(shù)的領(lǐng)先地位。 三 星于DRAM 18奈米制程將運用自動對位QPT(Self
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