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存儲器3Q景氣 NAND Flash略優(yōu)于DRAM

  • 　　存儲器產(chǎn)業(yè)度過辛苦的第2季后，第3季景氣恐沒有這么快復(fù)蘇，業(yè)界預(yù)期NANDFlash產(chǎn)業(yè)景氣在第3季中之后，會隨著消費(fèi)性電子產(chǎn)品需求出籠而開始翻揚(yáng)，但業(yè)界對于DRAM市場看法則是分歧，7月合約價續(xù)跌已成定局，部分業(yè)者認(rèn)為8月中開始價格可止跌，但另一派業(yè)者則認(rèn)為DRAM報價到年底都不會反轉(zhuǎn)，且恐有續(xù)跌的可能性，整體來看，下半年NANDFlash景氣微幅優(yōu)于DRAM產(chǎn)業(yè)，但好日子也不會維持太長。
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  DRAM  

DRAM成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術(shù)，該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  光刻  

茂德再度減資85%

  • 　　茂德再度啟動2次減資計劃，繼2010年4月宣布減資65%后，2011年7月6日董事會中再度通過減資85%，預(yù)計將在第3季底前完成減資程序，之后將辦理增資引進(jìn)策略性投資人，市場屢次點(diǎn)名的老面孔鴻海、聯(lián)電等大型集團(tuán)，再度被提出來討論。 　　
  • 關(guān)鍵字： 茂德  DRAM  

DRAM產(chǎn)業(yè)走向低納米技術(shù) 成本縮減將放速

  • 　　最近幾個季度DRAM產(chǎn)業(yè)在推低光刻節(jié)點(diǎn)方面比較積極，但在今年剩余時間內(nèi)力度將逐漸減弱。今年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)的加權(quán)平均節(jié)點(diǎn)從2010年第四季度的5.3%上升到5.6%，表明推動DRAM技術(shù)遷移的力度在增大。。在此期間，成本降幅從7.8%增大至14.2%，晶圓成本下降情況與光刻工藝的變化相符。據(jù)IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術(shù)，該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩。
  • 關(guān)鍵字： Inotera  DRAM  

存儲器3Q景氣NAND Flash略優(yōu)于DRAM

  • 　　存儲器產(chǎn)業(yè)度過辛苦的第2季后，第3季景氣恐沒有這么快復(fù)蘇，業(yè)界預(yù)期NAND Flash產(chǎn)業(yè)景氣在第3季中之后，會隨著消費(fèi)性電子產(chǎn)品需求出籠而開始翻揚(yáng)，但業(yè)界對于DRAM市場看法則是分歧，7月合約價續(xù)跌已成定局，部分業(yè)者認(rèn)為8月中開始價格可止跌，但另一派業(yè)者則認(rèn)為DRAM報價到年底都不會反轉(zhuǎn)，且恐有續(xù)跌的可能性，整體來看，下半年NAND Flash景氣微幅優(yōu)于DRAM產(chǎn)業(yè)，但好日子也不會維持太長?！?/li>
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  DRAM  

聯(lián)想NEC完成合資公司組建

  • 　　聯(lián)想集團(tuán)4日宣布，日本最大的個人電腦集團(tuán)——NEC聯(lián)想日本集團(tuán)正式宣告成立。數(shù)據(jù)顯示，新集團(tuán)將占據(jù)日本PC市場近25%的份額。 　　NEC聯(lián)想日本集團(tuán)由三家公司組成：控股公司為聯(lián)想NEC控股公司，于7月1日成立;其下有兩家全資子公司——NEC個人電腦有限公司和聯(lián)想日本有限公司。其中，NEC個人電腦有限公司是從NEC個人產(chǎn)品有限公司分拆個人電腦業(yè)務(wù)而新成立的公司。聯(lián)想已通過發(fā)行股票向NEC支付了1.75億美元，完成這項(xiàng)交易。 　　
  • 關(guān)鍵字： 聯(lián)想  PC  

DRAM產(chǎn)業(yè)成本削減步伐將放緩

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術(shù)，該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩。 　　雖然最近幾個季度DRAM產(chǎn)業(yè)在推低光刻節(jié)點(diǎn)方面比較積極，但在今年剩余時間內(nèi)力度將逐漸減弱。今年第一季度該產(chǎn)業(yè)的加權(quán)平均節(jié)點(diǎn)從2010年第四季度的5.3%上升到5.6%，表明推動DRAM技術(shù)遷移的力度增大。在此期間，成本降幅從7.8%增大至14.2%，晶圓成本下降情況與光刻工藝的變化相符。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  50納米  

傳世界先進(jìn)有意投資茂德中科12吋廠

  • 　　茂德申請負(fù)債降息暫化解當(dāng)前財務(wù)危機(jī)后，引進(jìn)新資金成為當(dāng)務(wù)之急，業(yè)界已傳出多組人馬正評估有條件投資茂德，或?qū)ζ煜轮锌?2吋晶圓廠有興趣，近期已有第1個出價者浮現(xiàn)，內(nèi)存業(yè)界傳出世界先進(jìn)出價新臺幣100億元，想買茂德12吋廠，且推測背后應(yīng)是獲得臺積電默許，主要系因驅(qū)動IC未來采12吋廠生產(chǎn)較具成本優(yōu)勢，世界先進(jìn)可趁此機(jī)會撿便宜。不過，茂德和世界先進(jìn)對此事都予以否認(rèn)。　
  • 關(guān)鍵字： 茂德中科  DRAM  

瑞晶成30納米制程轉(zhuǎn)換最快的臺灣DRAM廠

  • 　　瑞晶董事會日前通過30納米制程轉(zhuǎn)換資本支出18.15億元決議案，并沖刺單月產(chǎn)能到年底達(dá)到8.8萬片，成為邁向30納米制程進(jìn)展最快的臺系DRAM廠。此外，董事會也通過，向臺灣歐力士公司申請機(jī)器設(shè)備售后租回融資約10億元，持續(xù)添購重要半導(dǎo)體制程設(shè)備如ASML的浸潤機(jī)臺等?！?/li>
  • 關(guān)鍵字： 瑞晶  DRAM  

力成科技布局先進(jìn)封裝技術(shù)

  • 　　力成科技積極自內(nèi)存封測業(yè)務(wù)往先進(jìn)封裝技術(shù)布局，繼先前買下茂德廠房以作為實(shí)驗(yàn)工廠后，轉(zhuǎn)投資公司聚成科技的新竹廠也在3月動土，預(yù)計2012年第3季裝機(jī)試產(chǎn)。力成董事長蔡篤恭表示，實(shí)驗(yàn)工廠以開發(fā)新技術(shù)為主，包括晶圓級封裝、3D IC及銅柱凸塊等，估計開發(fā)時程約1年，屆時新竹廠正好開始啟用，新產(chǎn)品效益可望適時于2012~2013年發(fā)酵。　
  • 關(guān)鍵字： 封裝  DRAM  

華芯預(yù)計內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)收入將過億元

  • 　　華芯半導(dǎo)體公司市場營銷部經(jīng)理殷和國6月28日在深圳集成電器創(chuàng)新應(yīng)用展上對《第一財經(jīng)日報》透露，預(yù)計今年內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)(DRAM)將為公司帶來超過1億元的收入。 　　
  • 關(guān)鍵字： 華芯  DRAM  

iSuppli:DDR4將在2014年集中上市

  • 　　據(jù)IHSiSuppli公司的研究，DDR3的市場份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來三年仍將是DRAM市場的主流技術(shù)，隨后才會逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。2011年DRAM模組出貨量將達(dá)8.08億個左右，預(yù)計DDR3將占89%，高于去年的67%和2009年的24%。DRAM模組是包含DRAM芯片的封裝，用于PC和其它電子產(chǎn)品之中。
  • 關(guān)鍵字： DDR4  DRAM  

英特爾中國戰(zhàn)略加速

  • 　　記者24日從英特爾媒體溝通會上獲悉，2012年，中國將成英特爾全球最大的單一PC消費(fèi)市場。 　　在北京IDF2011(英特爾信息技術(shù)峰會)上，英特爾曾引述了一個嵌入式市場的數(shù)據(jù)：將近四分之一的英特爾嵌入式業(yè)務(wù)來自中國。 　　
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  PC  

爾必達(dá)宣布開始銷售DDR3 DRAM樣品芯片

  • 　　日本爾必達(dá)公司27日宣布已經(jīng)開始銷售采用穿硅互連技術(shù)(TSV)制作的DDR3 SDRAM三維堆疊芯片的樣品。這款樣品的內(nèi)部由四塊2Gb密度DDR3 SDRAM芯片通過TSV三維堆疊技術(shù)封裝為一塊8Gb密度DDR3 SDRAM芯片(相當(dāng)1GB容量)，該三維芯片中還集成了接口功能芯片。
  • 關(guān)鍵字： 爾必達(dá)  DRAM  

DDR3仍是主流DRAM技術(shù)

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，DDR3的市場份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來三年仍將是DRAM市場的主流技術(shù)，隨后才會逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。 　　
  • 關(guān)鍵字： DDR3  DRAM  
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