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三星成DRAM合約價(jià)增長(zhǎng)推手
- DRAM合約價(jià)再度喊漲成功,雖然5月上半漲幅僅2~3%,但傳出三星電子(Samsung Electronics)成功將2GBDDR3模塊價(jià)格拉升至19美元,成為這次拉升合約價(jià)主要推手,次要因素則是近期傳出海力士(Hynix)和爾必達(dá)(Elpida)40納米制程良率不順和設(shè)計(jì)問(wèn)題,導(dǎo)致合約市場(chǎng)持續(xù)供給吃緊。不過(guò),現(xiàn)貨市場(chǎng)需求卻再降溫,現(xiàn)貨和合約價(jià)格差距幅度逼近15%,是過(guò)去相當(dāng)少見(jiàn)差距?!?/li>
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM
分析DRAM漲價(jià)成功原因
- DRAM合約價(jià)再度喊漲成功,雖然5月上半漲幅僅2~3%,但傳出三星電子(Samsung Electronics)成功將2GB DDR3模塊價(jià)格拉升至19美元,成為這次拉升合約價(jià)主要推手,次要因素則是近期傳出海力士(Hynix)和爾必達(dá)(Elpida)40納米制程良率不順和設(shè)計(jì)問(wèn)題,導(dǎo)致合約市場(chǎng)持續(xù)供給吃緊。不過(guò),現(xiàn)貨市場(chǎng)需求卻再降溫,現(xiàn)貨和合約價(jià)格差距幅度逼近15%,是過(guò)去相當(dāng)少見(jiàn)差距。
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創(chuàng)見(jiàn):臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)問(wèn)題與景氣無(wú)關(guān)
- 創(chuàng)見(jiàn)董事長(zhǎng)束崇萬(wàn)看好下半年DRAM和NAND Flash市場(chǎng)景氣都不錯(cuò),對(duì)存儲(chǔ)器模塊廠而言,是風(fēng)險(xiǎn)不大的一年,但談到臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)前景,他感慨表示,DRAM產(chǎn)業(yè)最大問(wèn)題的關(guān)鍵不是在于景氣波動(dòng),而是臺(tái)灣沒(méi)有自有DRAM技術(shù),但現(xiàn)在專利都被國(guó)際大廠把持,一切都為時(shí)已晚。
- 關(guān)鍵字: 創(chuàng)見(jiàn) DRAM
傳爾必達(dá)放棄入股茂德的合作案
- 日經(jīng)新聞12日?qǐng)?bào)導(dǎo),全球第3大DRAM廠爾必達(dá)(Elpida)已放棄和全球第7大DRAM廠茂德就加強(qiáng)合作關(guān)系的談判。報(bào)導(dǎo)指出,爾必達(dá)于去年秋天就和臺(tái)灣當(dāng)局及臺(tái)灣銀行團(tuán)針對(duì)包含入股茂德等方案在內(nèi)的救濟(jì)對(duì)策進(jìn)行協(xié)商,惟未能獲得共識(shí),故爾必達(dá)決議放棄和財(cái)務(wù)體質(zhì)惡化風(fēng)險(xiǎn)高的茂德進(jìn)行合作談判,轉(zhuǎn)而將資源集中于具成長(zhǎng)性的行動(dòng)裝置用DRAM事業(yè)。
- 關(guān)鍵字: 傳爾必 DRAM
爾必達(dá)全面量產(chǎn)30nmDRAM
- 日本爾必達(dá)存儲(chǔ)器(Elpida Memory)宣布,將從2011年5月開(kāi)始全面量產(chǎn)采用30nm工藝的DRAM。生產(chǎn)基地是該公司的廣島工廠和臺(tái)灣瑞晶電子(Rexchip Electronics)的工廠。廣島工廠已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)30nmDRAM,2011年4~6月將把比例擴(kuò)大至20%、2011年7~9月擴(kuò)大至30%。而瑞晶工廠則計(jì)劃在2011年7~9月導(dǎo)入30nmDRAM技術(shù),2011年7~9月將比例提高至50%、2011年10~12月迅速提高至100%。 爾必達(dá)從2010年9月開(kāi)始開(kāi)發(fā)30nmDRAM
- 關(guān)鍵字: 爾必達(dá) 30nm DRAM
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